Who Should Parent? Parenting Fitness as Determined by the Five-factor Personality Module

The majority of parents in the United States engage in good enough parenting, which allows children to develop into functional and well-adjusted adults. However, as the Juvenile court system knows well, some parent\u27s do not engage in good enough parenting; some parents are very abusive or neglectful in their parenting styles. In 2012, and estimated 686,000 children were victims of child maltreatment. Can child abuse be prevented? Yes, it can. There is a strong correlation between an individual\u27s personality make up and the way they parent. Additionally, personality follows a predictable maturation trend and significant deficits within an individual\u27s personality will remain relatively constant unto that individual as he or she ages, if steps are not taken to intentionally alter those deficits. This indicates that a person\u27s ability to parent, and his or her likelihood of being a good enough or neglectful and abusive parent can be determined long before a person even has children, such as in late adolescence. This researcher sought to determine if the Five-Factor Personality module could be used to screen for individuals at risk of engaging in child maltreatment during late adolescence to prevent future child abuse and neglect

Lead-supported germanium nanowire growth

The Pb-assisted growth of Ge nanowires (NWs) has been investigated under high and low pressure conditions via thermal decomposition of diphenylgermane. Highly crystalline Ge NWs were obtained and Pb was established as a viable growth promoter with the Pb particle being in the solid and liquid state

Preventing viral infections with polymeric virus catchers: a novel nanotechnological approach to antiviral therapy

10.1039/c3tb00009eJournal of Materials Chemistry. B151203

A novel planar optical sensor for simultaneous monitoring of oxygen, carbon dioxide, pH and temperature

The first quadruple luminescent sensor is presented which enables simultaneous detection of three chemical parameters and temperature. A multi-layer material is realized and combines two spectrally independent dually sensing systems. The first layer employs ethylcellulose containing the carbon dioxide sensing chemistry (fluorescent pH indicator 8-hydroxy-pyrene-1,3,6-trisulfonate (HPTS) and a lipophilic tetraalkylammonium base). The cross-linked polymeric beads stained with a phosphorescent iridium(III) complex are also dispersed in ethylcellulose and serve both for oxygen sensing and as a reference for HPTS. The second (pH/temperature) dually sensing system relies on the use of a pH-sensitive lipophilic seminaphthorhodafluor derivative and luminescent chromium(III)-activated yttrium aluminum borate particles (simultaneously acting as a temperature probe and as a reference for the pH indicator) which are embedded in polyurethane hydrogel layer. A silicone layer is used to spatially separate both dually sensing systems and to insure permeation selectivity for the CO2/O2 layer. The CO2/O2 and the pH/temperature layers are excitable with a blue and a red LED, respectively, and the emissions are isolated with help of optical filters. The measurements are performed at two modulation frequencies for each sensing system and the modified Dual Lifetime Referencing method is used to access the analytical information. The feasibility of the simultaneous four-parameter sensing is demonstrated. However, the practical applicability of the material may be compromised by its high complexity and by the performance of individual indicators

Nanoscale aluminum plasmonic waveguide with monolithically integrated germanium detector

Surface plasmon polaritons have rapidly established themselves as a promising concept for molecular sensing, near-field nanoimaging, and transmission lines for emerging integrated ultracompact photonic circuits. In this letter, we demonstrate a highly compact surface plasmon polariton detector based on an axial metal-semiconductor-metal nanowire heterostructure device. Here, an in-coupled surface plasmon polariton propagates along an aluminum nanowire waveguide joined to a high index germanium segment, which effectively acts as a photoconductor at low bias. Based on this system, we experimentally verify surface plasmon propagation along monocrystalline Al nanowires as thin as 40 nm in diameters. Furthermore, the monolithic integration of plasmon generation, guiding, and detection enables us to examine the bending losses of kinked waveguides. These systematic investigations of ultrathin monocrystalline Al nanowires represent a general platform for the evaluation of nanoscale metal based waveguides for transmission lines of next generation high-speed ultracompact on-chip photonic circuits

Synthese und Charakterisierung von Eindimensionalen Ge-basierten Nanostrukturen Metastabiler Zusammensetzung

Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des VerfassersKumulative Dissertation aus vier ArtikelnDie Integration von Ge in die Si basierte Halbleiterindustrie war aufgrund von Problemen mit dessen nativen Oxid lange Zeit nicht rentabel. Es wurde allerdings ein Weg gefunden diese Probleme zu umgehen und Ge erfolgreich auf Si-Plattformen zu integrieren. Die herausragenden elektrischen Eigenschaften von Ge im Vergleich zu Si konnten ausgenutzt werden, um neuartige Hochleistungsbauteile zu entwickeln. Heutzutage ist das effiziente Dotieren von Ge, welches für Si bereits weitestgehend erforscht ist, im Fokus dieses Forschungsfeldes. Außerdem sind metastabile Ge Legierungen von großem Interesse, da sie die Möglichkeit bieten Ge von einem indirekten Halbleiter mit schlechter Lichtabsorption und emission im mittleren Infrarotbereich in einen direkten Halbleiter umzuwandeln. Die Reduktion von Materialdimensionen innerhalb des Nanometerregimes ermöglicht das Wachstum von Materialien mit speziellen Eigenschaften und Zusammensetzungen, welche aus thermodynamischer Sicht unerreichbar wären, können dadurch realisiert werden. Der Fokus dieser Arbeit liegt auf dem Wachstum anisotroper, metastabiler Legierungen in einem metallunterstützten Bottom up Wachstumsprozess mittels SLS/VLS Mechanismus. Der Einbau des Wachstumkeims durch das Einfangen von Atomen an der Wachstumsfront des wachsenden Ge Kristalls wird in einem kinetisch kontrollierten Prozess bei sehr niedrigen Temperaturen durchgeführt. Im ersten Abschnitt der Arbeit wird über den Einbau von Ga in die Ge-Matrix mithilfe eines Gasphasenprozesses berichtet. Die metastabile Legierung enthält ungefähr die vierfache Menge an Ga im Vergleich zur thermodynamisch festgelegten Löslichkeitsgrenze bei hohen Temperaturen. Dies entspricht dem 50-fachen des thermodynamisch möglichen Einbaus bei der eigentlichen Wachstumstemperatur. Das erzeugte Material ist sehr leitfähig und zeigt metallähnliches Verhalten. Außerdem wird der Einbau von Sn in einen anisotropen Ge-Kristall, mithilfe eines Mikrowellenprozesses in flüssiger Phase, realisiert. Die metastabilen, nanostrukturierten Ge1-xSnx-Legierungen (x = 0.17 - 0.28) werden durch homogene Nukleation und ohne die Verwendung eines Templates erzeugt. Es können dabei einige neue Erkenntnisse, wie die hohe thermische Stabilität von Sn, die Stabilität der Ge1-xSnx-Legierungen bei An und Abwesenheit von metallischem Sn sowie ein Zerfall der metastabilen Legierung durch Festphasendiffusion, gewonnen werden. Darauf basierend wird eine Phasenkarte erstellt, die kinetische Einflüsse inkludiert. Außerdem werden physikalische Eigenschaften der hergestellten Materialien, wie die Leitfähigkeit und die indirekte Beobachtung eines direkten Halbleiterverhaltens, präsentiert. Die Ergebnisse der Mikrowellenmethode werden verwendet, um einen Gasphasenprozess für das epitaktische Wachstum von anisotropen, metastabilen Ge1-xSnx-Legierungen mit hohem Sn Gehalt (19 at. %) auf einem Ge-Substrat zu ermöglichen. Die Größenabhängigkeit einer Übergangszone, die den Unterschied der Gitterparameter zwischen dem Substrat und der wachsenden Legierung ausgleicht, wird untersucht. Schließlich wird die direkte Bandlücke des Materials (0.29 eV) mittels Photolumineszensmessungen bestimmt. Die präsentierte Methode ist ein weiterer Schritt in Richtung der Integration dieser metastabilen Legierung auf eine Si-Plattform. Die synthetisierten Materialien werden mittels Elektronenmikroskopie, Röntgendiffraktion, IR Absorption und Photolumineszensmessungen charakterisiert. Außerdem werden Einzeldrahtmessungen an metastabilen Ge1-xSnxund Ge1-xGax-Nanodrähten zur Evaluierung der elektrischen Eigenschaften durchgeführt. Die erhaltenen Resultate dieser Arbeit liefern ein tieferes Verständnis der Syntheseparameter metastabiler Verbindungen und zeigen neue Methoden zur Synthese von Materialien bei kinetisch kontrollierter Prozessführung.Problems concerning the native oxide of Ge hampered the integration of Ge into the Si based semiconductor industry. After solving these problems and the successful integration of Ge on Si platforms, the superior properties of Ge in terms of hole and electron mobility when compared to Si have been used to develop novel high performance devices. Nowadays, efficient doping of Ge which is already well established for Si is now in the focus of this research field. In addition, metastable compounds based on Ge are of great interest due to the possibility of transforming Ge from an indirect bandgap semiconductor with very poor absorption and emission of light in the mid IR range into a direct bandgap semiconductor. The down scaling of materials dimensions towards the nanometre regime enables the growth of materials with special properties and compositions which cannot be observed and reached for bulk materials. This work focuses on the growth of anisotropic, metastable alloys in a metal assisted bottom up growth process by the SLS/VLS mechanism. The incorporation of the metal growth promoter by solute trapping during the growth of the Ge crystal is targeted which requires a kinetically controlled process at very low temperatures. In the first part of the results section the incorporation of Ga in a Ge crystal matrix via a vapour phase process is described. The metastable composition of the material contains approximately four times the solubility limit at high temperatures and 50 times the composition limit at the actual growth temperatures. The material is highly conducting and shows metal like behaviour. Furthermore, the incorporation of Sn in anisotropic Ge crystals is realised via a solution based microwave assisted process. The metastable Ge1-xSnx alloy (x = 0.17 - 0.28) nanostructures are formed via homogeneous nucleation and without the use of a template. Several new findings such as the stability of Sn at high temperatures, the Ge1-xSnx materials stability with and without the presence of metallic Sn as well as the solid state diffusion mechanism for the material degradation are observed. Based on these results, a phase map is suggested including the kinetic influence on phase evolution. In addition, the physical properties such as conductivity and indirect observation of a direct bandgap material are presented. The results obtained by this microwave approach are used to implement a vapour phase process for the epitaxial growth of anisotropic, metastable Ge1-xSnx alloys with high Sn contents of 19 at. % on a Ge substrate. The size dependence of a transition zone to accommodate the lattice mismatch between the growing material and the substrate is described. Finally, a direct bandgap of the material (0.29 eV) is demonstrated by photoluminescence. This is a significant step towards to the integration of this compound on a Si platform. The obtained materials are characterised by electron microscopy, X ray diffraction, IR absorption, and photoluminescence measurements. Furthermore, single NW devices are fabricated to evaluate the electronic properties of metastable Ge1-xSnx and Ge1-xGax nanowires. Results obtained in this thesis provide a deeper understanding of synthesis parameters of metastable compounds and demonstrate new approaches for the synthesis of materials achieved under kinetically controlled growth conditions.12

ICH Q9 trifft COSO II : Qualitäts-Risikomanagement in der pharmazeutischen Industrie bereichert durch kybernetisches Risikomanagement

In der internationalen Richtlinie ICH Q9 wird ein Qualitäts-Risikomanagement-Modell vorgestellt, welches für alle Aspekte und den gesamten Lebenszyklus des pharmazeutischen Qualitätssystems gemäß ICH Q10 angewendet werden soll. Die Umsetzung in der Praxis ist verhalten, was an einer fehlenden allgemein akzeptierten Auffassung von Qualitäts-Risikomanagement liegen kann. Um ein harmonisiertes Verständnis zu erhöhen, wird ICH Q9 mit anderen Risikomanagement-Modellen, nämlich dem "COSO Enterprise Risk Management" (COSO ERM) und dem unternehmensweiten Risikomanagement-Modell des Instituts für Managementwissenschaften (IMW ERM) der Technischen Universität Wien sowie den zugrundeliegenden kybernetischen Konzepten, verglichen. Es wird erkennbar, dass der ISO-PDCA-Zyklus sowohl der ICH Q9, als auch dem COSO ERM und dem IMW ERM zugrunde liegt. Über das COSO ERM wird für ICH Q9, vor allem im Zusammenspiel mit ICH Q10 deutlich, dass ein Risikomanagement orientiert an Zielen stattfinden soll, dass aus Unsicherheit sowohl Risiken als auch Chancen resultieren können, dass das interne Umfeld eine für Risikomanagement entscheidende Rolle spielt, dass Risiken im Sinne eines systemübergreifenden Risikomanagements aggregiert und korreliert betrachtet werden müssen und dass Risikomanagement als Gesamtsystem im Zuge eines Überwachens kontinuierlich evaluiert werden sollte. Mithilfe des IMW ERM kann der Qualitäts- Risikomanagement-Prozess gemäß ICH Q9 über Aktivitäten und Informationsflüsse des PDCA-Zyklus nachvollzogen werden. Es wird ersichtlich, dass das Double Loop- Prinzip als selbstreflexives Element des Systems vorherrschen muss, Varietät als Voraussetzung nicht nur für Risiko sondern auch für Risikomanagement benötigt wird, Information über Kommunikation und Feedback systemweit wirken muss, und schließlich Verantwortung, Pflichtbewusstsein und Integrität sowohl von Seiten des Managements als auch in jedem Mitarbeiter realisiert sein müssen, um Management und Qualitäts-Risikomanagement erfolgreich zu gestalten. Insgesamt können sowohl das COSO ERM, als auch das IMW ERM für ein Verständnis und ein Umsetzen der ICH Q9 als hilfreich erachtet werden, sodass eine gemeinsame Reflexion der Modelle für all jene, die Qualitäts-Risikomanagement konzeptionell begreifen sollen, wie Manager, interne und externe Revisoren sowie Regulatoren, als bereichernd betrachtet werden kann.The international guideline ICH Q9 describes a quality risk management model that is applicable to all aspects and over the entire lifecycle of the pharmaceutical quality system according to ICH Q10. Pharmaceutical industry is reluctant to implement ICH Q9, which can be due to missing shared understanding concerning the realization of quality risk management among different stakeholders. In order to contribute to a harmonized approach, in this work, ICH Q9 is compared to other risk management models, namely "COSO Enterprise Risk Management" (COSO ERM) and the Enterprise Risk Management model of the Institute of Management Science (IMW ERM) of the Technical University of Vienna, including underlying cybernetic principles. It can be shown, that ICH Q9 as well as COSO ERM and IMW ERM are based on ISO's PDCA Management Cycle. With the help of COSO ERM, it can be realized that for successful implementation of ICH Q9, especially in conjunction with ICH Q10, risk management should be carried out with regards to goals, not only risks but also opportunities should be considered as a consequence of uncertainty, the internal environment is a critical prerequisite for quality risk management, risks should be treated in an aggregated and correlated way in order to manage them system widely whereas also monitoring of quality risk management should be carried out in a system wide manner. With the help of the IMW ERM, the PDCA-cycle underlying ICH Q9 can be understood on the basis of activities as well as information flows. It can be revealed, that the double loop principle representing a self reflexive element, has to be in place in order to facilitate continual improvement, that variety is a precondition of not only risk, but also risk management, that information, communication and feedback have to flow through the entire system and that responsibility, discipline and integrity have to be exhibited by both, management and employees, in order to render quality risk management successful. All in all, both, COSO ERM and IMW ERM can be considered helpful for the implementation of ICH Q9. For those who have to understand quality risk management conceptually, like managers, auditors and regulators, the consolidated reflection of the models will lead to increased understanding of quality risk management