Linking cocoa polyphenol composition to chocolate quality with Average-Mass-Spectra fingerprints

Linking cocoa polyphenol composition to chocolate quality with Average-Mass-Spectra fingerprints. CoCoTea 2019 (5. International Congress on Cocoa Coffee and Tea

Minimal information for studies of extracellular vesicles 2018 (MISEV2018):a position statement of the International Society for Extracellular Vesicles and update of the MISEV2014 guidelines

The last decade has seen a sharp increase in the number of scientific publications describing physiological and pathological functions of extracellular vesicles (EVs), a collective term covering various subtypes of cell-released, membranous structures, called exosomes, microvesicles, microparticles, ectosomes, oncosomes, apoptotic bodies, and many other names. However, specific issues arise when working with these entities, whose size and amount often make them difficult to obtain as relatively pure preparations, and to characterize properly. The International Society for Extracellular Vesicles (ISEV) proposed Minimal Information for Studies of Extracellular Vesicles (“MISEV”) guidelines for the field in 2014. We now update these “MISEV2014” guidelines based on evolution of the collective knowledge in the last four years. An important point to consider is that ascribing a specific function to EVs in general, or to subtypes of EVs, requires reporting of specific information beyond mere description of function in a crude, potentially contaminated, and heterogeneous preparation. For example, claims that exosomes are endowed with exquisite and specific activities remain difficult to support experimentally, given our still limited knowledge of their specific molecular machineries of biogenesis and release, as compared with other biophysically similar EVs. The MISEV2018 guidelines include tables and outlines of suggested protocols and steps to follow to document specific EV-associated functional activities. Finally, a checklist is provided with summaries of key points

Reactions redox topotactiques des chalcogenures a clusters de molybdene : analyse par voie electrochimique et applications

SIGLECNRS T 61223 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution à l'élaboration d'électrodépôts de matériaux thermoélectriques de type Bi2Te3 et Bi2(Te0,9Se0.1)3

La réduction électrochimique des epèces solubles Bi3+, HTe02+, H2Se03 en milieu nitrique permet la formation de matériaux développant des propriétés thermoélectriques valorisables. Le travail entrepris concerne la définition précise des paramètres chimiques et électrochimiques nécessaires à la formation de films épais de tellurures de bismuth binaires et ternaires (10 à 20 um). La première partie s'est attachée à la maîtrise des paramétres chimiques et électrochimiques pour les matériaux de formulation Bix Tey avec x/y variable autour de 2/3 et pouvant donc conduire suivant la valeur du rapport à des semi conducteurs de type p ou n. Une deuxième partie, en mettant en œuvre la méthode des plans d'expériences, aboutit à la définition de protocoles pour la réalisation et l'étude de films ternaires Bi2 (Te0 ,9Se0,1)3. Dans un développement final, les résultats ont été exploités pour l'élaboration de films épais sur wafer de silicium de surface opérationnelle d'environ 1 dm2, structurables pour l'élaboration de modules Peltier.The electrochemical reduction of Bi3+, HTe02+, H2Se03 soluble species in nitric acid electrolyte alloys the formation of materials which are developed attractive thermoelectrics properties . The work concerns the specific definition of chemical and electrochemical parameters necessary for the formation of binary and ternary bismuth tellurides thick films (10 to 20 um). The first part is concerning the perfect knowledge of chemical and electrochemical parameters for thermoelectric material like BixTey with a ratio x/y varying around 2/3 and then leading to a p or n type semiconductors depending to the ratio's value. The second part, using methodology of experimental design, leads to the protocol's definition for the realisation and the study of ternary Bi2 (Te0 ,9Se0,1)3 films. In the last development, results were used for the elaboration of thick film on structured silicon wafer which surface is about 1 dmø, alloying the elaboration of Peltier modules.METZ-SCD (574632105) / SudocSudocFranceF

Contributions à la synthèse par voie de films de type Bi2Te3

Le Tellurure de bismuth et les ternaires proches de cette structure développent des propriétés thermoélectriques optimales dans la gamme des températures ambiantes laissant supposer de nombreuses applications dans le domaine du transfert de chaleur ou de génération thermique directe d électricité. Le travail développé s est attaché à une nouvelle voie de synthèse de ce matériau, celle de l action de différents réducteurs chimiques solubles ou métalliques sur des solutions sources de BiIII et TeIV en milieu nitrique. Si les réducteurs solubles testés ne s avèrent pas performants, il apparaît au contraire que la formation de films de Bi2Te3 peut être obtenue par déplacement par de nombreux métaux notamment Ni, Bi, Sn, Pb, Fe, Zn. Un mode de synthèse performant a été défini en engageant le nickel soit sous forme massive soit sous forme de films. Des revêtements monophasés, homogènes et cohérents sont obtenus avec des épaisseurs de 5 m pour une immersion de 2 h dans la solution source. Des films minces de 160 nm ont été également réalisés à partir de la conversion totale de 100 nm de nickel déposé sur une lame de verre. Ces pré-films thermoélectriques se prêtent alors à un développement complémentaire par électrochimie. De cette manière, il a été mis en place les éléments d un premier dispositif démontrant, sur 2 jonctions p-n, un pouvoir thermoélectrique de 700 V.K-1. Ce travail ouvre une nouvelle voie pour l élaboration simple et peu onéreuse de modules thermoélectriques.The Bismuth Telluride and the ternary derivative compounds develop optimal thermoelectric properties in the range of the ambient temperatures leading to many applications in the field of the transfer of heat or direct thermal generation of electricity. A new way of synthesis of this material was based on the action of various soluble or metal reducing agents on solutions sources of BiIII and TeIV in nitric medium. If the soluble reducers tested do not prove their efficacity, it appeared on the contrary that the film formation of Bi2Te3 can be obtained by displacement by many metals in particular Ni, Bi, Sn, Pb, Fe, Zn. A powerful mode of synthesis was defined by engaging nickel either in massive form or in the form of films. single-phase, homogeneous and coherent coatings were obtained with a thickness of 5 m for an immersion of 2 hours in the solution source. Thin films of 160 nm were also carried out starting from the total conversion of 100 nm nickel deposited in a glass substrate. These thermoelectric pre-films lend themselves then to a complementary development by electrochemistry. In this manner, it was set up the elements of a first experimental device, on 2 junctions p-n, a thermoelectric capacity of 700 V.K-1. This work opens a new way for the simple and not very expensive development of thermoelectric modules.METZ-SCD (574632105) / SudocSudocFranceF

Caractérisations optiques et electrochimiques de films electrodéposés de type Bi2Te3

Ce travail concerne la caractérisation de films électrodéposés de tellurure de bismuth (-0,2 x 0,2), semi-conducteur thermoélectrique à faible gap. Les paramètres de transport ont été déterminés par ellipsométrie spectroscopique, spectroscopie d'impédance électrochimique (diagramme de Mott-Schottky) et par des mesures additionnelles d'effets Hall et Seebeck. Ces techniques ont nécessité l'optimisation des conditions de synthèse pour améliorer l'état de surface des couches électrodéposées. L'analyse des films par matrices de Mueller a démontré leur isotropie optique. Les fonctions diélectriques des films ont été déterminées dans le domaine spectral 0,03-3,1 eV. Une modélisation combinant les lois dispersives de Drude et de Tauc-Lorentz a été utilisée dans l'infrarouge. Le gap Eg apparaît constant (0,11 eV) quel que soit x. Cette analyse a été étendue avec succès à des films de Bi2(Te0,9Se0,1)3. Tous les résultats sont en accord avec un semi-conducteur de type n et ce quel que soit x. Les films présentent des concentrations en porteurs de l'ordre de 1020 cm-3, une résistivité de 15-50 .m et une mobilité de 4-14 cm2/(V.s) liées à leur nature polycristalline. Un banc de caractérisation original a été utilisé combinant simultanément des données de microbalance à cristal de quartz électrochimique, électrochimiques et une analyse par ellipsométrie spectroscopique temps réel dans le domaine du visible. Le système électrochimique est totalement réversible et la masse volumique apparente des films est de 7,34 g/cm3. La croissance de la couche a révélé une première période d'environ 30 secondes correspondant au recouvrement progressif du substrat d'or par les cristallites de Bi2Te3. Une épaisseur minimum de 35 nm est nécessaire pour obtenir des caractéristiques morphologiques et optiques identiques à celles d'échantillons épais.Optical and electrochemical characterizations of electroplated films of bismuth telluride compounds. This work concerns the characterization of electroplated films of bismuth telluride (-0.2 x 0.2) which is a semiconductor compound with narrow band-gap generally used for thermoelectric applications. Transport parameters were determined using Spectroscopic Ellipsometry, Electrochemical Impedance Spectroscopy (Mott-Schottky plot) and additional measurements (Hall & Seebeck effects) which required to optimize the synthesis conditions to improve surface quality of electroplated layers. Mueller Matrix analysis showed the optically isotropic behavior. The dielectric functions of the films were determined in the energy range of 0.03 to 3.10 eV. In the infrared range, Tauc Lorentz combined with Drude dispersion relations were successfully used. The energy band gap Eg was found to be about 0.11 eV independent of x. This analysis was successfully extended to Bi2(Te0.9Se0.1)3 films. All results showed that the films are described as n-type semiconductor independently of x. Carrier concentration of the order of 1020 cm-3, resistivity of 15-50 .m and mobility of 4-14 cm2/(V.s) were explained by polycrystalline material features. An original experimental setup was carried out including simultaneously electrochemical quartz crystal microbalance data, electrochemical data and real time ellipsometer analysis in the visible range. The electrochemical system was found to be fully reversible and the apparent volumic mass of the film is equal to 7.34 g/cm3. The analysis of the layer growth revealed a first period around 30 seconds where the gold substrate is progressively covered by the crystallites of Bi2Te3. A minimum of 35 nm-thick film is necessary to obtain morphological and optical characteristics quite similar to thick samples.METZ-SCD (574632105) / SudocSudocFranceF