Evaluation of Crestal Bone Loss in Single Tooth Posterior Implant Restorations – A Cohort Study

Abstract:   Aims & Objectives: To evaluate the success rate and crestal bone loss around single tooth dental implant restorations in the posterior region. Materials and Method: 55 implants placed in 55 patients were observed for this study. All implants were restored by metal ceramic crowns. Patients were followed up for 2 years. Radiographic and clinical evaluations were done at the 1 and 2 year recall appointment after implant placement. Results: Implants showed 100% survival rate. There was statistically significant bone loss during the first year and no significant crestal bone loss between first and second year.  It was also observed that the mandibular restorations showed lesser bone loss than the maxillary restorations. Conclusion: Within the limitations of this study, it can be concluded that majority of the crestal bone loss around posterior implants occur within the first year and the bone loss becomes stabilized then after. &nbsp

Soft tissue response and esthetics in anterior single tooth implant restorations - A cross-sectional study

Abstract: Aims & Objectives: The aim of this study is to evaluate the peri-implant soft tissue in terms of fullness, absence of inflammation, regeneration and maintenance by using the Jemt Index. Materials and Method: 12 patients (age ranges 22-38yrs) with missing anterior teeth were selected for implant placement. All implants were restored with an immediate temporary acrylic prosthesis and a final metal ceramic restoration. Papilla index scores were assessed by clinical examination and photographs. Results: All 8 maxillary restorations and 3 of 4 mandibular restorations exhibited a Jemt score of 3. Cumulative Jemt papilla index scores illustrate that there was a complete papilla fill in 91.6%. Conclusion: Within the limitations of this study, it can be concluded that narrow profile implants can be considered as a promising treatment option for anterior single tooth restoration

Включення багатомостових каналів у затвор навколо нанодротового польового транзистора

3-канальний прямокутний Gate All Around Nanowire Multi Bridge Channel Field Effect Transistor (GAA NWMBCFET) представлений у цій роботі шляхом інтеграції багатомостового каналу в Gate All Around Nanowire Field Effect Transistor (GAA NWFET) зі збільшеним струмом стоку та покращеним. Зменшений ефект короткого каналу (SCE) для довжини затвора 35 нм. Ємність затвора значно збільшується через вертикально розташовані канали, закриті затвором. Щоб зрозуміти характеристики та поведінку запропонованого GAA NWMBCFET, проведено ретельний аналіз з використанням надійної фізичної моделі: моделі транспортування носіїв, що залежить від температури (DD). У цьому аналізі модель мобільності (ММ) зіграла вирішальну роль у врахуванні ефектів концентрації допінгу та електричного поля. Крім того, модель звуження забороненої зони (BNM) і рекомбінаційна модель Шоклі-Ріда-Холла (SRM) відіграли важливу роль у вирішенні проблем із терміном служби носія. Використання Synopsys Sentaurus Technology Computer Aided Design (TCAD) полегшило моделювання запропонованої нами моделі, дозволяючи ретельно вивчити її характеристики. Прямокутний багатоканальний мостовий пристрій демонструє в 2,3 рази кращий струм стоку, ніж прямокутний нанодротяний транзистор. Крім того, ультратонкий корпус (UTB) у пристрої блокує підпорогове коливання (SS) і зниження бар’єру, викликане стоком (DIBL), що сприяє мінімізації струму відключення. Поточний диск має збільшення на 28 % для LG = 5 нм, ніж GAA NWFET. Крім того, для повного розуміння поведінки пристрою, був проведений детальний аналіз транс-провідності для довжини затвора 35 нм. Крім того, аналіз було розширено до довжини затвора 5 нм, що дало змогу ретельно оцінити транзистори.A 3 channel rectangular Gate All Around Nano-Wire Multi Bridge Channel Field Effect Transistor (GAA NWMBCFET) is introduced in this work by integrating multi bridge channel into Gate All Around Nano-wire Field Effect Transistor (GAA NWFET) with increased drain current and enhanced Short Channel Effect (SCE) suppression for a gate length of 35 nm. Gate capacitance increases significantly due to vertically stacked channels enclosed by the gate. To understand the characteristics and behavior of the proposed GAA NWMBCFET, a rigorous analysis was conducted using a reliable physical model: the temperature-dependent carrier transport model (DD). Within this analysis, the Mobility Model (MM) played a crucial role in incorporating the effects of doping concentration and electric field. Additionally, the Bandgap Narrowing Model (BNM) and the Shockley-Read-Hall recombination Model (SRM) were instrumental in addressing carrier lifetime concerns. Utilizing Synopsys Sentaurus Technology Computer Aided Design (TCAD) facilitated the simulation of our proposed model, enabling a thorough examination of its characteristics. The rectangular multi bridge channel device exhibit 2.3 times better drain current than the rectangular nano-wire transistor. In addition, the Ultra Thin Body (UTB) in the device inhibits Sub threshold Swing (SS) and Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) which contributes to minimized off current. The current drive has a 28 % increase for LG = 5 nm than GAA NWFET. Furthermore, to ensure a comprehensive understanding of the device behavior, a detailed analysis of trans conductance was performed for a gate length of 35 nm. Additionally, analyses were extended to gate lengths of 5 nm, enabling a thorough evaluation of both GAA NWMBCFET and GAA NWFET