Kelionės maršrutu Sovetsk–Svetlogorsk 1983 m. dienoraštis

AbstractDOI: http://dx.doi.org/10.15181/ahuk.v25i0.32

Elektromagnetinio lauko teorija

Uždavinyne pateikiamas Elektromagnetinio lauko teorijos (EMLT) praktinių užduočių rinkinys su sprendimų metodikomis 6 savarankiškiems bei 2 namų darbams atlikti. Elektromagnetinio (EM) lauko vektoriai, plokščiųjų laukų sklidimas ir bangų poliarizacija neribotose terpėse, atspindys nuo dviejų terpių ribos ir interferencija, laukai metaliniuose bangolaidžiuose ir rezonatoriuose nagrinėjami pagal bendrus EMLT dėsnius. Elektromagnetiniai laukai atviruose apskrituose dielektriniuose, optiniuose bei girotropiniuose bangolaidžiuose tiriami pagal originalius algoritmus ir programas, sukurtas MATLAB® terpėje. Rezultatai lyginami su programų paketu CST Microwave Studio 10 gaunamais rezultatais. Leidinio tikslas – suteikti studentams daugiau praktinių žinių apie EM laukus įvairiose terpėse ir suformuoti šių žinių supratimą, specialiuosius taikymo gebėjimus bei įgūdžius. Leidinys parengtas vykdant projektą „VGTU Elektronikos fakulteto I pakopos studijų programų esminis atnaujinimas“. Leidinio rengimą ir leidybą finansavo Vilniaus Gedimino technikos universitetas ir Europos socialinis fondas (sutartis Nr. VP1-2.2-ŠMM-07-K-01-047)

Smugglers as predecessors of book-spreaders

The author analyzes a contraband phenomenon - illegal carrying of goods through the border between Lithuania Minor (Prussia) and Lithuania Major (occupied by Russia), as recorded for the first time in the 16th century already. In the 19th century, the smuggling contributed to distribution of prohibited Lithuanian press. A type of a Samogitian contrabandist pictured in the Lithuanian Story by Ernst Wiehert is presented

The investigation of gyroelectric n-InAs phase shifters characteristics

In this paper the open cylindrical gyroelectric phase shifters characteristics are investigated. The investigation is performed by changing their parameters: the magnetic flux density, the number of layers of dielectric, width and permittivities. The highest differential phase shift in n-InAs semiconductor and semiconductor-dielectric phase shifters can be obtained in range of magnetic flux density from 0 to 0.25 T. The minimum attenuation in phase shifters is obtained with one external dielectric layer