Ein Arbeitsbericht

Das Grab des Konrad von Burgsdorff (gest. 1652) wurde im Jahr 2008 in einer Gruft im Bereich des alten Berliner Doms, dem Areal des ehemaligen Dominikaner Klosters in Berlin-Mitte, entdeckt und freigelegt. Der Tote wurde in einem Sarkophag in einer Gruft am Rande der Klosterkirche mit 17 weiteren Bestattungen beigesetzt. Aufgrund des schlechten Erhaltungszustands der Metallbleche entschieden sich die Ausgräber für eine Blockbergung. In den Restaurierungslaboren der HTW Berlin wurde eine detaillierte Zustandsdokumentation erstellt. Dabei war es das Ziel, jegliche aufliegenden Verzierungen, Farbfassungen, Metall- oder Stoffapplikationen in situ zu erhalten. Es stellte sich heraus, dass der Sarkophag aus zwei großen Teilen aufgebaut war – einer unteren Wanne und einem oberen Deckel, die beide aus an den Kanten verlöteten Blechen hergestellt waren. Die Außenseiten waren mit Metallverzierungen besetzt: Löwenköpfe mit Ringen als Handgriffe, Metallborten in Akanthusmotiven, zwei Engelköpfe und einige runde Medaillons. Ein hölzerner Sarg, innen mit Textilien ausgekleidet, barg den Verstorbenen. Die Füllung der Gruft mit Bauschutt hatte den Sarkophag, der unter dieser Last eingebrochen war, stark beschädigt. Aufgrund der durchgeführten Analysen und anhand von Vergleichen mit zeitgleichen Sarkophagen aus der Hohenzollern-Gruft im Berliner Dom konnte eine überzeugende virtuelle Rekonstruktion des Sarkophags von Konrad von Burgsdorff erarbeitet werden

Acceptance and application of psychological selection procedures for doctoral candidates

Die Auswahl von Promovierenden ist für Wissenschaftsorganisationen von hoher Relevanz. Dennoch existieren bisher kaum Studien zu diesen Prozessen. Die Arbeit adressiert diese Lücke, indem sie Akzeptanzurteile für Auswahlverfahren bei N = 170 potenziell Bewerbenden erfragte. Frei geführte Auswahlgespräche, berufliche Erfahrungen, Arbeitsproben und strukturierte Auswahlgespräche erhielten die höchsten Akzeptanzwerte. Persönlichkeitseigenschaften der Befragten und vorher erbrachte Leistungen in den Verfahren hatten keinen signifikanten Einfluss auf die Akzeptanzurteile. Welche Verfahren eingesetzt werden, hatte Einfluss auf eine mögliche Bewerbungsabsicht. Zusätzlich wurde bei N = 164 Promovierenden erhoben, wie diese tatsächlich ausgewählt wurden. Promotionsstellen wurden am häufigsten durch frei geführte Auswahlgespräche und persönliche Kontakte besetzt. Es werden Implikationen für die Gestaltung von Auswahlverfahren von Promovierenden mit Blick auf Akzeptanz, Validität und Fairness diskutiert. (DIPF/Orig.)Selection processes for doctoral candidates are of great relevance for scientific organizations. However, there is only a limited number of studies on this subject. This study addresses this gap by asking N = 170 potential applicants for acceptance ratings of different selection methods. Unstructured interviews, professional experience, work samples and structured interviews had the highest ratings in acceptance. Participants’ personality traits and previous performance in the selection methods had no impact on acceptance ratings. The selection method used had an impact on the decision whether or not someone applied for a doctoral position. In addition, N = 164 doctoral candidates were asked how doctoral candidates were actually selected. Unstructured interviews and personal contacts were most often used to fill doctoral positions. Implications for doctoral candidates\u27 selection processes are discussed with respect to acceptance, validity, and fairness. (DIPF/Orig.

Authenticity and Communication

Authenticity is not an absolute and constant quality inherent in an object or an experience; it is constructed in the process of research. Actors inscribe and attribute it to both material objects and subjective processes like communication and consumption. This article from the research group seeks on the one hand to reflect on the historical scope of action and action patterns among actors from various disciplines between the conflicting priorities of authentication and communication, and on the other to find ways to visualize and operationalize attribution processes through joint reflection. When we look at both history and the discussions fifty years after the Venice Charter, its idea to hand on historic monuments “in the full richness of their authenticity” has turned into an abundance of vibrant action and decision- making

Der barocke Zinnsarkophag des Konrad von Burgsdorff. Herstellung und Rekonstruktion. Ein Arbeitsbericht

Das Grab des Konrad von Burgsdorff (gest. 1652) wurde im Jahr 2008 in einer Gruft im Bereich des alten Berliner Doms, dem Areal des ehemaligen Dominikaner Klosters in Berlin-Mitte, entdeckt und freigelegt. Der Tote wurde in einem Sarkophag in einer Gruft am Rande der Klosterkirche mit 17 weiteren Bestattungen beigesetzt. Aufgrund des schlechten Erhaltungszustands der Metallbleche entschieden sich die Ausgräber für eine Blockbergung. In den Restaurierungslaboren der HTW Berlin wurde eine detaillierte Zustandsdokumentation erstellt. Dabei war es das Ziel, jegliche aufliegenden Verzierungen, Farbfassungen, Metall- oder Stoffapplikationen in situ zu erhalten. Es stellte sich heraus, dass der Sarkophag aus zwei großen Teilen aufgebaut war – einer unteren Wanne und einem oberen Deckel, die beide aus an den Kanten verlöteten Blechen hergestellt waren. Die Außenseiten waren mit Metallverzierungen besetzt: Löwenköpfe mit Ringen als Handgriffe, Metallborten in Akanthusmotiven, zwei Engelköpfe und einige runde Medaillons. Ein hölzerner Sarg, innen mit Textilien ausgekleidet, barg den Verstorbenen. Die Füllung der Gruft mit Bauschutt hatte den Sarkophag, der unter dieser Last eingebrochen war, stark beschädigt. Aufgrund der durchgeführten Analysen und anhand von Vergleichen mit zeitgleichen Sarkophagen aus der Hohenzollern-Gruft im Berliner Dom konnte eine überzeugende virtuelle Rekonstruktion des Sarkophags von Konrad von Burgsdorff erarbeitet werden

Towards Full-area Passivating Contacts for Silicon Surfaces based on Al₂O₃-TiOₓ Double Layers

In order to remove the local openings for contacting PERC Solar cells, one has to introduce passivating contacts. The Al₂O₃-TiOₓ double layer stack is an attractive candidate for this purpose. This study will guide a way to enhance the conductivity of those contacts by doping TiO x with a. Additionally, it is shown, that major parts of the stacks are deposited by sputtering. This demonstrates a higher feasibility for industrial applications than atomic layer deposition as reported earlier [1], [2]

Atomic Layer Deposition for Coating of High Aspect Ratio TiO2 Nanotube Layers

We present an optimized approach for the deposition of Al2O3 (as a model secondary material) coating into a high aspect ratio (≈180) anodic TiO2 nanotube layers using atomic layer deposition (ALD) process. In order to study the influence of the diffusion of the Al2O3 precursors on the resulting coating thickness, ALD processes with different exposure times (i.e. 0.5, 2, 5 and 10 sec) of the trimethylaluminium (TMA) precursor were performed. Uniform coating of the nanotube interiors was achieved with longer exposure times (5 and 10 sec), as verified by detailed scanning electron microscopy analysis. Quartz crystal microbalance measurements were used to monitor the deposition process and its particular features due to the tube diameter gradient. Finally, theoretical calculations were performed to calculate the minimum precursor exposure time to attain uniform coating. Theoretical values on the diffusion regime matched with the experimental results and helped to obtain valuable information for further optimization of ALD coating processes. The presented approach provides a straightforward solution towards the development of many novel devices, based on a high surface area interface between TiO2 nanotubes and a secondary material (such as Al2O3)

High Gain Graphene Based Hot Electron Transistor with Record High Saturated Output Current Density

Abstract Hot electron transistors (HETs) represent an exciting new device for integration into semiconductor technology, holding the promise of high‐frequency electronics beyond the limits of SiGe bipolar hetero transistors. With the exploration of 2D materials such as graphene and new device architectures, hot electron transistors have the potential to revolutionize the landscape of modern electronics. This study highlights a novel hot electron transistor structure with a record output current density of 800 A cm−2 and a high current gain α, fabricated using a scalable fabrication approach. The hot electron transistor structure comprises 2D hexagonal boron nitride and graphene layers wet transferred to a germanium substrate. The combination of these materials results in exceptional performance, particularly in terms of the highly saturated output current density. The scalable fabrication scheme used to produce the hot electron transistor opens up opportunities for large‐scale manufacturing. This breakthrough in hot electron transistor technology holds promise for advanced electronic applications, offering high current capabilities in a practical and manufacturable device

Germ cells in the crustacean Parhyale hawaiensis depend on Vasa protein for their maintenance but not for their formation

Germ cells are a population of cells that do not differentiate to form somatic tissue but form the egg and sperm that ensure the reproduction of the organism. To understand how germ cells form, holds a key for identifying what sets them apart from all other cells of the organism. There are large differences between embryos regarding where and when germ cells form but the expression of Vasa protein is a common trait of germ cells. We studied the role of vasa during germ cell formation in the crustacean Parhyale hawaiensis. In a striking difference to the posterior specification of the group of germ cells in the arthropod model Drosophila, all germ cells in Parhyale originate from a single germ line progenitor cell of the 8-cell stage. We found vasa RNA ubiquitously distributed from 1-cell to 16-cell stage in Parhyale and localized to the germ cells from 32-cell stage onwards. Localization of vasa RNA to the germ cells is controlled by its 3'UTR and this could be mimicked by fluorescently labeled 3'UTR RNA. Vasa protein was first detectable at the 100-cell stage. MO-mediated inhibition of vasa translation caused germ cells to die after gastrulation. This means that in Parhyale Vasa protein is not required for the initial generation of the clone of germ cells but is required for their subsequent proliferation and maintenance. It also means that the role of vasa changed substantially during an evolutionary switch in the crustaceans by Parhyale from the specification of a group of germ cells to that of a single germ line progenitor. This is the first functional study of vasa in an arthropod beyond Drosophila