Лабораторна установка для дослідження ступеня очищення і пошкодження коренебульбоплодів

Патент України на корисну модель № 79083, МПК B65G 33/00, 2012.Лабораторна установка для дослідження ступеня очищення і пошкодження коренебульбоплодів, що містить раму, на якій з можливістю кутового та вертикального зміщення на підрамах встановлені секція пруткового транспортера-очисника та секція бітерних очисних валів, завантажувальний бункер, причому під секцією пруткового транспортера-очисника та секцією бітерних очисних валів на рамі розташовані поперечні лотки для відбору від сепарованих домішок, яка відрізняється тим, що кутовий зазор між центральною віссю барабана пруткового транспортера-очисника в зоні вивантаження коренебульбоплодів та центральною віссю першого бітерного очисного вала може змінюватись за рахунок використання різних отворів, які виконані на стійці та підрамі, а осьовий зазор – за рахунок кронштейна з отворами, причому над прутковим транспортером-очисником та секцією бітерних очисних валів встановлені вертикальні та похилі еластичні екрани, а для відбору очищених коренебульбоплодів в зоні вивантаження бітерних очисних валів розташована еластична ємність з можливістю вертикального переміщення та фіксації її задньої частини на вертикальному кронштейні

Tilt of the columnar microstructure in off-normally deposited thin films using highly ionized vapor fluxes

The tilt of the columnar microstructure has been studied for Cu and Cr thin films grown off-normally using highly ionized vapor fluxes, generated by the deposition technique high power impulse magnetron sputtering. It is found that the relatively large column tilt (with respect to the substrate normal) observed for Cu films decreases as the ionization degree of the deposition flux increases. On the contrary, Cr columns are found to grow relatively close to the substrate normal and the column tilt is independent from the ionization degree of the vapor flux when films are deposited at room temperature. The Cr column tilt is only found to be influenced by the ionized fluxes when films are grown at elevated temperatures, suggesting that film morphology during the film nucleation stage is also important in affecting column tilt. A phenomenological model that accounts for the effect of atomic shadowing at different nucleation conditions is suggested to explain the results

Compressive intrinsic stress originates in the grain boundaries of dense refractory polycrystalline thin films

International audienceIntrinsic stresses in vapor deposited thin films have been a topic of considerable scientific and technological interest owing to their importance for functionality and performance of thin film devices. The origin of compressive stresses typically observed during deposition of polycrystalline metal films at conditions that result in high atomic mobility has been under debate in the literature in the course of the past decades. In this study, we contribute towards resolving this debate by investigating the grain size dependence of compressive stress magnitude in dense polycrystalline Mofilmsgrown by magnetron sputtering. Although Mo is a refractory metal and hence exhibits an intrinsically low mobility, low energy ion bombardment is used during growth to enhance atomic mobility and densify the grain boundaries. Concurrently, the lateral grain size is controlled by using appropriate seed layers on which Mofilms are grown epitaxially. The combination of in situ stress monitoring with ex situ microstructural characterization reveals a strong, seemingly linear, increase of the compressive stress magnitude on the inverse grain size and thus provides evidence that compressive stress is generated in the grain boundaries of the film. These results are consistent with models suggesting that compressive stresses in metallic filmsdeposited at high homologous temperatures are generated by atom incorporation into and densification of grain boundaries. However, the underlying mechanisms for grain boundary densification might be different from those in the present study where atomic mobility is intrinsically lo

Atom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films

We present evidence for compressive stress generation via atom insertion into grain boundaries in polycrystalline Mo thin films deposited using energetic vapor fluxes (&lt;∼120 eV). Intrinsic stress magnitudes between −3 and +0.2 GPa are obtained with a nearly constant stress-free lattice parameter marginally larger (0.12%) than that of bulk Mo. This, together with a correlation between large compressive film stresses and high film densities, implies that the compressive stress is not caused by defect creation in the grains but by grain boundary densification. Two mechanisms for diffusion of atoms into grain boundaries and grain boundary densification are suggested.Funding Agencies|COST Action|MP0804|Linkoping University.The previous status of this article was Manuscript and the working title was Atomistic mechanisms leading to adatom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films.</p