Projeto e construção de uma câmara para estudos por gisaxs a altas temperaturas e estudo in situ por gisaxs da cinética de crescimento de nanopartículas em filme fino de SiO2-Co depositado sobre si

Orientador: Prof. Dr. Guinther KellermannDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materiais - PIPE. Defesa: Curitiba, 25/02/2014Inclui referênciasÁrea de concentração: Engenharia e ciência de materiaisResumo: Neste trabalho descreve-se: i) o projeto de uma câmara para estudos pela técnica de espalhamento de raios X na geometria de incidência rasante (GISAXS - do inglês Grazing-Incidence Small-Angle X-ray Scattering) em temperatura e atmosfera controladas e ii) o estudo in situ por GISAXS da cinética de formação e crescimento de nanopartículas num filme fino SiO2-Co depositado sobre silício monocristalino. A câmara possibilita estudos por GISAXS desde a temperatura ambiente até 1000 °C, em alto vácuo ou em atmosfera de gases inertes. Ligada ao corpo principal da câmara existe uma antecâmara, que permite a troca da amostra sem que haja quebra de vácuo ou perturbação na temperatura da câmara principal. Devido às restritas condições de estabilidade mecânica, impostas pelos estudos por GISAXS, a câmara foi projetada de modo a minimizar quaisquer movimentos (angulares ou translacionais) da amostra, inclusive durante o processo de aquecimento. Na sua parte superior, a câmara possui uma janela que permite coletar também a intensidade espalhada a altos ângulos (5o - 180o, em 2?) possibilitando estudos simultâneos de difração de raios X e espalhamento de raios X a baixo ângulo na geometria de incidência rasante. O projeto e construção da câmara foram realizados em conjunto com a equipe técnica do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS), onde, após a sua caracterização, a câmara estará disponível aos usuários. As medidas de GISAXS em um filme fino SiO2-Co depositado sobre silício monocristalino, tomadas ao longo de períodos crescentes de tratamento térmico a 700 °C, permitiram determinar a distribuição em tamanho das nanoestruturas formadas no filme fino, em função do tempo de tratamento térmico. Observamos a formação e crescimento, durante o tratamento térmico, de nanoesferas de Co (no filme de sílica) e dos nanohexágonos de CoSi2 (no Si, próximo a superfície), já observados em um estudo anterior por GISAXS numa amostra similar tratada ex situ a 750 °C por 1 h. A partir da análise das intensidades de GISAXS foi possível observar que as nanoesferas de Co estão presentes na amostra antes mesmo do tratamento térmico a 700 °C e, portanto, se formaram já durante o processo de redução do óxido de Co, realizado numa etapa anterior a 500 °C. Nenhuma evidência da formação de nanohexágonos durante o tratamento térmico a 500 °C foi observada. A formação dos nanohexágonos durante o tratamento térmico a 700 °C se dá muito rapidamente, pois os mesmos atingem metade do que será seu tamanho final ainda nos primeiros 15 minutos de tratamento. Os nanohexágonos crescem de modo aproximadamente proporcional em largura e espessura. Por outro lado, o número de nanohexágonos não varia durante todo o tratamento, o que é consistente com a suposição de que a formação destes nanocristais se dá a partir de defeitos pré-existentes na superfície do Si. Após cerca de 90 minutos de tratamento a 700 °C o crescimento das nanoestruturas cessa. A interrupção do crescimento das nanoestruturas após esse período é atribuída a diminuição na concentração do Co atômico, inicialmente dissolvido no filme de SiO2. Palavras chave: nanopartículas, câmara, GISAXS.Abstract:This work describes: i) the design of a chamber for in situ studies by grazing-incidence small-angle X-ray scattering (GISAXS) in controlled temperatures, and ii) a study by GISAXS of the kinetic of formation and growth of Co nanoparticles in a SiO2-Co thin film and of CoSi2 crystalline nanoplatelets in silicon during the thermal treatment of the sample at 700 ¢XC. The GISAXS chamber allows studies from room temperature up to 1000 ¢XC, in high vacuum or in inert gases atmospheres. A pre-chamber, attached to the main body of the GISAXS chamber, allows one to exchange the sample without vacuum break or shutdown of the heating elements. Because the GISAXS intensity patterns strongly depend of the incidence angle and of the alignment of the primary x-ray beam on the sample surface, the furnace was designed to minimize any movement of the sample, even during the heating process. In addition, a window on the top of the chamber allows one to simultaneously measuring the wide-angle x-ray scattering intensity in the 5¢X-180¢X 2ƒá range. The construction of the chamber was performed in cooperation with the Brazilian Synchrotron Light Laboratory (LNLS), where the chamber will be available to users after its commissioning. A previous study of a SiO2-Co thin film deposited on a flat silicon single-crystal with its surface parallel to the Si crystallographic planes showed that after thermal treatment of the sample during 1h at 750 ¢XC, Co nanoparticles are formed in the silica film and CoSi2 platelets, having nearly hexagonal shape, are formed in silicon, the larger surface of CoSi2 platelets being parallel to one of the four crystallographic planes of the Si family of planes. One of the aims of the work here described was to investigate the kinetic of formation and growth of these nanostructures since the very initial stages of isothermal treatment at 700 ¢XC. From the analysis of the GISAXS intensity due a SiO2-Co thin film deposited on the Si , measured after several periods during the thermal treatment, the nanoparticles size as a function of the annealing time was determined. The results also showed that small spherical Co nanoparticle are already present in the thin film before the 700 ¢XC thermal treatment, so indicating that these particles are formed in the earlier thermal treatment at 500 ¢XC, used in the SiO2-Co film preparation. On the other hand, no evidence of the formation of nanohexagonos was observed before the thermal treatment at 700 ¢XC. The formation of nanohexagons during the treatment at 700 ¢XC is very fast, the nanohexagons achieving half of their final size in the first 15 minutes of treatment. It was also observed that the nanohexagons growth approximately at the same rate in lateral size and thickness. On the other hand, no variation in the number of nanohexagons is observed during the whole thermal treatment period. After about 90 min nanoparticles stop to grow, this possible being due to the consumption of the Co atoms initially dissolved in the thin film. Keywords: nanoparticles, chamber, GISAXS

A noção de subjetividade em Émile Benveniste

Nossa pesquisa tem como objetivo principal investigar como se apresenta a noção de subjetividade na teoria do linguista francês Émile Benveniste (1902-1976). Assim, nossa tese se apresenta dividida em três capítulos, representando, cada um, uma maneira diferente de se chegar até a noção de subjetividade. Realizamos, para isso, um itinerário de leitura dos textos benvenistianos, tomando como guia o artigo “Da subjetividade na linguagem”, de 1958. Em um primeiro momento, observamos a maneira como a noção de subjetividade, em geral, é entendida pelos leitores de Benveniste. Em uma segunda etapa do trabalho, procuramos entender qual seria a posição e, sobretudo, a importância do artigo de 1958 para o desenvolvimento da teoria benvenistiana em torno da linguagem. Para terminar, em um terceiro momento, apresentamos nosso entendimento a respeito da noção de subjetividade em Émile Benveniste, destacando a distinção que estamos vislumbrando entre duas maneiras de se entender a noção. Um entendimento elaborado e, praticamente, circunscrito ao texto de 1958; e outro que, de certa forma, acompanha o momento teórico da distinção feita por Benveniste entre pessoa e não-pessoa. Além disso, ao longo do trabalho, fizemos algumas ponderações sobre como se deu nossa busca pela noção de subjetividade em Benveniste. Feito isso, conseguimos concluir que ter em mente as características próprias da distinção que propomos – entre subjetividade inerente e subjetividade enquanto efeito – é essencial para o entendimento da noção de subjetividade em Émile Benveniste.Notre objectif principal est d’étudier comment la notion de subjectivité est présentée dans la théorie du linguiste français Émile Benveniste (1902-1976). Ainsi, notre thèse est divisée en trois chapitres, chacun représentant une manière différente de comprendre la notion de subjectivité. Pour cela, nous avons réalisé un itinéraire de lecture des textes de Benveniste, en prenant comme guide l’article « De la subjectivité dans le langage », de 1958. Dans un premier temps, nous observons la façon dont la notion de subjectivité, en général, est comprise par les lecteurs de Benveniste. Et dans une deuxième étape du travail, nous essayons de comprendre quelle serait la position et, surtout, l’importance de l’article de 1958 pour le développement de la théorie benvenistienne autour du langage. Pour terminer, dans un troisième moment, nous présentons notre compréhension de la notion de subjectivité chez Émile Benveniste, en soulignant la distinction que nous envisageons entre deux façons de comprendre la notion. Il y a une compréhension élaborée et pratiquement circonscrite au texte de 1958 ; et il y a une autre compréhension qui, d’une certaine manière, accompagne le moment théorique de la distinction de Benveniste entre personne et non-personne. De plus, tout au long du travail, nous avons fait quelques réflexions sur la façon dont notre recherche de la notion de subjectivité dans Benveniste s’est déroulée. Une fois cela fait, nous pouvons conclure qu’avoir à l’esprit les caractéristiques de la distinction que nous proposons – entre la subjectivité inhérente et la subjectivité en tant qu’effet – est essentiel pour comprendre la notion de subjectivité chez Émile Benveniste

Investigation of main and secondary transformers on mitigation of voltage sags, swells and interruptions in unbalanced medium voltage distribution systems

Since voltage interruptions, sags and swells are Power Quality (PQ) disturbances with great economic impact, studies that seek alternatives to mitigate its effects have been conducted extensively. The PQ Brazilian standard names these disturbances as Short-Duration Voltage Variations (SDVVs), classified them in terms of magnitude, duration, and frequency of occurrence. These parameters are used to calculate the Impact Factor (IF) of SDVVs, a severity-characterization index of their incidence. In this context, this work assesses the influence of three-phase transformer winding connection and neutral grounding on the quantities of SDVVs and the IF observed by an industrial consumer in a distribution system. Fault simulations at ATPEMTP perform the study, considering two different winding connections for the secondary transformer and applying a grounding resistance to the neutral of the main transformer of the distribution system. The SDVVs are verified in two different ways: phase-to-ground and phase-to-phase voltages. It is observed that there are differences in these quantities and for the value of the IF due to the winding connection of the secondary transformer, the value of the neutral grounding resistance of the main transformer and the ways of voltage verification

Mineral and organic fertilizer combined with doses of Azospirillum brasilense in an orchid hybrid

Orchid production requires careful management of the crop. The objective of this work was to evaluate the growth of transplanted seedlings of hybrid orchid Cattleya virginia x BrassoCattleya pastoral, added with Azospirillum brasilense and different sources of fertilization. The experiment was conducted in a private orchard in the municipality of Marechal Cândido Rondon (PR). The experimental design was a randomized complete block design, in a 2 x 4 factorial scheme (2 fertilization sources x 4 concentrations of A. brasilense), containing four replications with 5 plants per replicate, totaling 160 homogeneous seedlings, where the fertilization sources were Bokaschi® as a source of organic fertilizer and NPK in formulation 10-10-10 as a soluble mineral at the rates: C1 = 0 mL-1 water, C2 = 1.0 mL-1 water, C3 = 1.5 mL -1 of water and C4 = 2.0 mL-1 of water. After 10 months, phytotechnical evaluations were performed, such as total number of roots; length of the largest root; number of leaves; length and width of the largest sheet; number of pseudobulbs; number of shoots; diameter of the pseudobulb. The use of Masterfix Gramines® in the growth of the hybrid Cattleya virginia x BrassoCattleya pastoral, provided the increase in the diameter of the pseudobulb, the largest number of roots and the largest root length. The interaction of the addition of A. brasilense with mineral fertilization with NPK in the formulation 10-10-10 obtained the highest number of shoots.Para produção de orquídeas são necessários vários cuidados no manejo da cultura. Objetivou-se com o presente trabalho avaliar o crescimento de mudas transplantadas de orquídea híbrida Cattleya virginia x BrassoCattleya pastoral, adicionados de Azospirillum brasilense e diferentes fontes de adubação. O experimento foi conduzindo em orquidário particular no município de Marechal Cândido Rondon (PR). O delineamento experimental utilizado foi o de blocos casualizados, em esquema fatorial 2 x 4 (2 fontes de adubação x 4 concentrações de A. brasilense), contendo quatro repetições com 5 plantas por repetição, totalizando 160 mudas homogêneas, onde as fontes de adubação foram o Bokaschi® como fonte de adubo orgânico e NPK na formulação 10-10-10 como mineral solúvel, nas doses:   C1 = 0 mL-1 de água, C2 = 1,0 mL-1 de água, C3 = 1,5 mL-1 de água e  C4 = 2,0 mL-1 de água. Após 10 meses foram realizadas avaliações fitotécnicas, como número total de raízes; comprimento da maior raiz; número de folhas; comprimento e largura da maior folha; número de pseudobulbos; número de brotos; diâmetro do pseudobulbo O uso de Masterfix Gramíneas® no crescimento do híbrido Cattleya virginia x BrassoCattleya pastoral, proporcionou o aumento no diâmetro do pseudobulbo, o maior número de raízes e o maior comprimento de raiz. A interação da adição de A. brasilense com a adubação mineral com NPK na formulação 10-10-10 obteve o maior número de brotos

Análise de produtividade da mão de obra com a utilização de alvenaria de vedação racionalizada – um estudo de caso em João Pessoa

The construction industry demands competitiveness and constant improvement of its productive processes to stay alive in the market and one of the methods for this is to know how to implement new technologies and optimize traditional services within the company, reducing costs and improving the final quality obtained. This work aims to analyze the productivity of the workforce with the implementation of rationalized masonry solution in a multi-floor residential building construction located in João Pessoa, Paraíba, understanding the main advantages and also initial disadvantages in doing so. The work concludes that manpower increases its productivity considerably in only six months of implementation, also improving the quality of services as they manage to achieve high levels of repetition of the process without external interventions. It can achieve even better results in case of higher levels of service continuity and team coordination.O setor da construção civil demanda competitividade e aprimoramento constante de seus processos produtivos para se manter vivo no mercado e um dos métodos para tal é saber implementar novas tecnologias e otimizar serviços tradicionais dentro da empresa, reduzindo custos e melhorando a qualidade final obtida. Este trabalho tem o objetivo de analisar a produtividade da mão de obra com a implementação de solução em alvenaria de vedação racionalizada em uma construção de edifício residencial de múltiplos pavimentos situada em João Pessoa na Paraíba, entendendo as principais vantagens e também desvantagens iniciais em fazê-lo. O trabalho conclui que a mão de obra aumenta sua produtividade consideravelmente em apenas seis meses de implementação, aprimorando também a qualidade dos serviços à medida que conseguem atingir níveis altos de repetição do processo sem intervenções externas. Podendo alcançar resultados ainda melhores em caso de maiores níveis de continuidade do serviço e coordenação da equipe

Aplicação do modelo escoras e tirantes a vigas parede de acordo com o Eurocódigo 2:2010

O Modelo Escoras e Tirantes surgiu no início do Século XX quando Ritter e Mörsch estabeleceram a analogia entre uma treliça clássica e uma viga de betão armado. Desde então pesquisadores têm estudado esse modelo como método de dimensionamento. A partir dos anos 90 várias normas apresentaram a utilização do modelo escoras e tirantes como relevante no dimensionamento de elementos de betão armado. Os critérios de segurança do Modelo Escoras e Tirantes são neste trabalho explicados de acordo com o Eurocódigo 2:2010, e comparadas com as normas NBR 6118:2014 e ACI 318:2011. É unanime dizer que a utilização do método torna-se mais vantajosa para regiões de descontinuidade. Em todos os elementos de betão armado, o Método Escoras e Tirantes são representações dos campos de tensão idealizados por elementos comprimidos e tracionados. Para a definição destes elementos é proposto o processo de “caminho de carga” em que conhecidas as tensões elásticas e suas direções principais utilizando o Método dos Elementos Finitos o modelo das escoras e tirantes é de fácil concepção. É também possível a definição deste a partir de modelos padrão já concebidos para determinados tipos de elementos estruturais de betão armado. Para o elemento descontinuo viga-parede estudado foram apresentados cinco modelos de cálculo até otimizar a solução validando as tensões com o Método dos Elementos Finitos. Em todos os modelos foram analisadas a definição do Modelo Escoras e Tirantes, a resistência das escoras, dos tirantes e dos nós até chegar à solução construtiva da viga-parede. Concluiu-se que a definição do modelo é a chave do dimensionamento.The Strut and Tie Model emerged in the early twentieth century when Ritter and Mörsch established the analogy between classical truss and a beam of reinforced concrete. Since then researchers have studied this model as a design method. From the 90s several standards presented using the strut and tie as relevant model in the design of reinforced concrete elements. The safety criteria of the strut and tie model in this work are explained according to the Eurocode 2, although some differences compared with other standards and is unanimous researchers say that the use of the method becomes more advantageous for discontinuous regions. In all the elements of reinforced concrete, the strut and tie model are representations of the compression and tension stress fields represented by strut and tie as its name indicates. For the definition of these rods is proposed charging way process in which known elastic stresses and their directions using the Finite Element Method, the design of the strut and tie is simple to create. It is also possible to define the model strut and tie from templates already designed for certain types of standard elements of reinforced concrete. For the beam-wall studied discontinuous element were presented five calculation models o optimize the solution validating the stresses with the Finite Element Method. All models were analyzed to define the model, the resistance of the strut?s strength, the risers and we even get to the constructive solution of the beam-wall. It was concluded that the model definition is the key to scaling

Síntese e caracterização estrutural de nanocristais de Ni em filmes finos de SiO2 e NiSi2 em Si(001)

Orientador: Prof. Dr. Guinther KellermannTese (doutorado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia dos Materiais. Defesa : Curitiba, 24/02/2022Inclui referênciasResumo: Nanocompósitos formados por nanocristais de NiSi2 em Si monocristalino têm atraído a atenção de diversos pesquisadores devido ao potencial deste material para aplicações em nanotecnologia. No entanto, os métodos atualmente aplicados em sua preparação às vezes não impedem a aglomeração desses nanocristais e requerem instrumentação sofisticada. Esta tese teve como objetivos: (i) desenvolver um método original e alternativo para a preparação de nanocristais de NiSi2 isolados e ordenados, endotaxialmente crescidos em wafers de silício e (ii) o estudo deste nanocompósito utilizando diversas técnicas experimentais para determinar sua morfologia, estrutura, composição química e a cinética de crescimento das nanopartículas. No método proposto, um filme fino de SiO2 dopado com Ni, preparado pelo processo sol-gel, foi depositado sobre a superfície de wafers de Si(001) nos quais a camada de óxido nativo havia sido removida. Os tratamentos térmicos durante a preparação da amostra permitiram a difusão dos átomos de Ni e através da interface filme-wafer, que reagiram com os átomos de Si do wafer para formar os nanocristais de siliceto. Amostras submetidas a tratamentos térmicos a 500 °C por 40 min foram estudadas por AFM, SEM, XEDS, XRR, STEM e GISAXS. As técnicas de AFM e SEM/XEDS foram utilizadas para investigar a morfologia da superfície, bem como a composição do filme fino. A técnica de XRR foi usada para determinar a porosidade do filme fino. Imagens de STEM permitiram determinar o tamanho e a forma das nanopartículas incorporadas no filme fino e no wafer de Si, próximo à sua superfície externa. As imagens de STEM mostraram que nanoplacas, com a forma de hexágonos quase regulares, estão enterradas em uma fina camada abaixo da superfície do wafer de Si. As faces hexagonais dessas nanoplacas eram sempre paralelas a um dos quatro planos da forma cristalográfica {111} do Si com os valores médios da espessura e diâmetro diagonal máximo de 12,9 e 146 nm, respectivamente. As imagens de HR-STEM mostraram que as nanoplacas eram silicetos de Ni, todos da fase NiSi2. As interfaces entre as nanoplacas e a matriz hospedeira de Si são planas e têm configuração do tipo 7A. Imagens de STEM e HR-STEM também mostraram que nanopartículas esféricas, apresentando alguma dispersão de tamanho e raio médio igual a 1,56 nm, se formam no filme fino de SiO2 dopado com Ni e em uma camada corroída do wafer de Si próximo à sua superfície externa. A análise por FFT das imagens de HR-STEM dessas regiões mostrou que essas nanoesferas são nanocristais de Ni aleatoriamente orientadas, cuja presença já era esperada devido à difusão dos átomos de Ni inicialmente dispersos no filme fino. Também realizamos um estudo in situ por GISAXS para investigar a cinética de formação e crescimento das nanopartículas durante um tratamento isotérmico a 405 °C. Os resultados mostraram que as nanoplacas de NiSi2 crescem muito rapidamente, atingindo o seu tamanho final após cerca de 15 minutos de tratamento. Por outro lado, a formação de novas nanoplacas ocorre durante um tempo muito maior (~1 hora). No que se refere aos nanocristais esféricos de Ni, os resultados de GISAXS in situ sugerem que o seu crescimento ocorre nos poros do filme fino de SiO2 e na camada corroída com o seu tamanho final limitado pelo tamanho desses poros.Abstract: Nanocomposites formed by NiSi2 nanocrystals embedded in single-crystalline Si have attracted the attention of several researchers due to the potential of this material for applications in nanotechnology. However, current methods applied in their preparation sometimes do not prevent the agglomeration of these nanocrystals and require sophisticated instrumentation. This thesis aimed: (i) to propose an original and alternative method for the preparation of isolated and ordered NiSi2 nanocrystals that grown on silicon wafers and (ii) the study of this nanocomposite using several experimental techniques to determine its morphology, structure, composition, and kinetics of the nanoparticles growth. In the proposed method a Ni-doped SiO2 thin film, prepared by the sol-gel process, was deposited on the bare surface of Si(001) wafers. Thermal treatments during the sample preparation allow the Ni atoms to diffuse across the film-wafer interface, reacting with the Si atoms in the wafer to form the silicide nanocrystals. Samples submitted to thermal treatments at 500 °C for 40 minutes were studied by AFM, SEM, XEDS, XRR, STEM, and GISAXS. AFM and SEM/XEDS were applied to investigate the surface morphology as well as the composition of the thin film. XRR technique was used to determine the porosity of the thin film. STEM allowed us to determine the size and shape of the nanoparticles embedded in the thin film and Si wafer close to its external surface. The STEM images showed that nanoplates having the shape of near regular hexagons are buried in a thin layer below the surface of the Si wafer. The large surfaces of the nanoplates were always parallel to one of the four planes of the Si{111} crystallographic form. Its average thickness and maximum diagonal diameter are equal to 12.9 and 146 nm, respectively. HR-STEM images showed the hexagonal nanoplates were Ni silicides, all of them of the NiSi2 phase. The interfaces between the nanoplates and the Si host matrix are flat and have a coherent 7A-type configuration. STEM and HR-STEM images also showed that spherical nanoparticles presenting some size dispersion and mean radius equal to 1.56 nm are embedded in the Ni-doped SiO2 thin film and a corroded layer of the Si wafer close to its external surface. FFT analysis of HR-STEM images of these regions showed that these spherical particles are Ni nanocrystals randomly oriented, whose formation is expected as consequence of the Ni atoms initially dispersed in the Ni-doped SiO2 thin film. We also performed an in situ study by GISAXS to investigate the kinetics of formation and growth of the nanoparticles during an isothermal treatment at 405 °C. The results showed the NiSi2 nanoplates grow very rapidly reaching the final size after about 15 minutes of annealing. On the other hand, the formation of new nanoplates takes place during a much longer time (~1 hour). Regarding the spherical Ni nanocrystals, the results from in situ GISAXS suggest these nanoparticles grow in the pores of the SiO2 film and corroded layer with their final maximum size being limited by the size of these pores

In situ study of the endotaxial growth of hexagonal CoSi2 nanoplatelets in Si(001)

This investigation aims at studying-by in situ grazing-incidence small-angle x-ray scattering-the process of growth of hexagonal CoSi2 nanoplatelets endotaxially buried in a Si(001) wafer. The early formation of spherical Co nanoparticles with bimodal size distribution in the deposited silica thin film during a pretreatment at 500 °C and their subsequent growth at 700 °C were also characterized. Isothermal annealing at 700 °C promotes a drastic reduction in the number of the smallest Co nanoparticles and a continuous decrease in their volume fraction in the silica thin film. At the same time, Co atoms diffuse across the SiO2/Si(001) interface into the silicon wafer, react with Si, and build up thin hexagonal CoSi2 nanoplatelets, all of them with their main surfaces parallel to Si{111} crystallographic planes. The observed progressive growths in thickness and lateral size of the hexagonal CoSi2 nanoplatelets occur at the expense of the dissolution of the small Co nanoparticles that are formed during the pretreatment at 500 °C and become unstable at the annealing temperature (700 °C). The kinetics of growth of the volume fraction of hexagonal platelets is well described by the classical Avrami equation.Fil: Costa, Daniel Da Silva. Universidade Federal do Paraná; BrasilFil: Huck Iriart, Cristián. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas; ArgentinaFil: Kellermann, Guinther. Universidade Federal do Paraná; BrasilFil: Giovanetti, Lisandro Jose. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas; ArgentinaFil: Craievich, Aldo F.. Universidade de Sao Paulo; BrasilFil: Requejo, Felix Gregorio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - La Plata. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas; Argentin

Identificação das linhas que influenciam a capacidade de interligação

Com o começo da liberalização do mercado de eletricidade nos anos 1990, o setor elétrico europeu tem vindo a sofrer grandes alterações, quer na sua gestão como estrutura da rede. Relativamente à estrutura da rede, as linhas adjacentes não são as que provocam maior impacto no funcionamento do mercado elétrico. Contrariamente, as linhas de interligação são consideradas uma das maiores dificuldades na garantia do aprovisionamento e estabilidade do sistema, inviabilizando a mitigação do poder do mercado e o crescimento da produção descentralizada. A indisponibilidade dessas linhas limitam a capacidade de interligação, podendo originar disparidades nos preços entre países, e assim, a separação dos mercados (market split). A criação de um mecanismo de compensação para os fluxos transfronteiriços foi uma das necessidades impostas pelo parlamento europeu, através do regulamento (CE) n.º 1228/2003. Para que essa compensação seja efetuada o Operador dos Sistemas de Transmissão (TSO) tem que identificar os elementos mais afetados pelos trânsitos internacionais, através da metodologia da rede horizontal. Esta metodologia consiste na variação dos fluxos tanto em linhas como transformadores aquando da importação e exportação de fluxos pelas linhas de interligação. Pretende-se neste trabalho, propor uma metodologia que identifique quais são as linhas e autotransformadores que têm impacto na capacidade de interligação. Atualmente, a REN tem uma lista Ad hoc que tem sido atualizada em função da evolução da RNT. Porém, necessitam de uma metodologia que valide essa lista. Cientes do possível impacto que uma indisponibilidade programada pode ter no mercado ibérico, esta tem de ser comunicada e aprovada pelo TSO adjacente (REE). A REN para validar a rede relevante ao TSO adjacente para o estimador de estado, trânsito de energia e análise de contingências, usa a metodologia da rede horizontal. Esta metodologia pode ser usada para este fim, no entanto, é necessário verificar se existem outras metodologias mais apropriadas para este objetivo

RELAT?RIO T?CNICO Projeto Integrador em Sistemas para Internet (PISI) Projeto de Implementa??o de Produto de Software: Pront Atendimento

TCC - RELAT?RIOT?CNICO - Daniel Cordeiro & Joyce PinheiroO Projeto Integrador em Sistemas para Internet pretende desenvolver a capacidade de aplica??o dos conceitos e teorias adquiridas durante o curso de forma integrada. Dessa maneira, o presente relat?rio ? consubstanciado em duas partes: a documenta??o de um produto implementado na forma de software (parte I) e as percep??es acad?micas dos autores sobre os variados t?picos e ?reas presentes no curso superior em Sistemas para Internet (parte II). O projeto de implementa??o se refere ao desenvolvimento de um software, p?gina web e/ou aplicativo h?brido com o objetivo de auxiliar no exerc?cio de atendimento de pacientes em unidades hospitalares. Por se tratar de projeto de implementa??o meramente com fins educacionais, a comercializa??o/venda do programa de computador oriundo desta implementa??o - transfer?ncia de tecnologia - n?o ? cab?vel neste trabalho. Por sua vez, as percep??es sobre a integra??o de t?picos e ?reas presentes no curso superior em Sistemas para Internet s?o descritas neste documento