Realization of a voltage controlled oscillator using 0.35 um sige-bicmos technology for multi-band applications

The stable growth in wireless communications market has engendered the interoperability of various standards in a single broadband frequency range from hundred MHz up to several GHz. This frequency range consists of various wireless applications such as GSM, Bluetooth and WLAN. Therefore, an agile wireless system needs smart RF front-ends for functioning properly in such a crowded spectrum. As a result, the demand for multi-standard RF transceivers which put various wireless and cordless phone standards together in one structure was increased. The demand for multi-standard RF transceivers gives a key role to reconfigurable wideband VCO operation with low-power and low-phase noise characteristics. Besides agility and intelligence, such a communication system (GSM, WLAN, Global Positioning Systems, etc. ) required meeting the requirements of several standards in a cost-effective way. This, when cost and integration are the major concerns, leads to the exploitation of Si-based technologies. In this thesis, an integrated 2.2-5.7GHz Multi-band differential LC VCO for Multi-standard Wireless Communication systems was designed utilizing 0.35μm SiGe BiCMOS technology. The topology, which combines the switching inductors and capacitors together in the same circuit, is a novel approach for wideband VCOs. Based on the post layout simulation results, the VCO can be tuned using a DC voltage of 0 to 3.3V for 5 different frequency bands (2.27-2.51 GHz, 2.48-2.78GHz, 3.22-3.53GHz, 3.48-3.91GHz and 4.528-5.7GHz) with a maximum bandwidth of 1.36GHz and a minimum bandwidth of 300MHz. The designed and simulated VCO can generate a differential output power between 0.992 dBm and -6.087 dBm with an average power consumption of 44.21mW including the buffers. The average second and third harmonics level were obtained as -37.21 dBm and -47.6 dBm, respectively. The phase noise between -110.45 and -122.5 dBc/Hz, that was simulated at 1 MHz offset, can be obtained through the frequency of interest. Additionally, the figure of merit (FOM), that includes all important parameters such as the phase noise, the power consumption and the ratio of the operating frequency to the offset frequency, is between -176.48 and -181.16 and comparable or better than the ones with the other current VCOs. The main advantage of this study in comparison with the other VCOs, is covering 5 frequency bands starting from 2.27 up to 5.76 GHz without FOM and area abandonment

Survey on individual components for a 5 GHz receiver system using 130 nm CMOS technology

La intención de esta tesis es recopilar información desde un punto de vista general sobre los diferentes tipos de componentes utilizados en un receptor de señales a 5 GHz utilizando tecnología CMOS. Se ha realizado una descripción y análisis de cada uno de los componentes que forman el sistema, destacando diferentes tipos de configuraciones, figuras de mérito y otros parámetros. Se muestra una tabla resumen al final de cada sección, comparando algunos diseños que se han ido presentando a lo largo de los años en conferencias internacionales de la IEEE.The intention of this thesis is to gather information from an overview point about the different types of components used in a 5 GHz receiver using CMOS technology. A review of each of the components that form the system has been made, highlighting different types of configurations, figure of merits and parameters. A summary table is shown at the end of each section, comparing many designs that have been presented over the years at international conferences of the IEEE.Departamento de Ingeniería Energética y FluidomecánicaGrado en Ingeniería en Electrónica Industrial y Automátic

Clock Generation Design for Continuous-Time Sigma-Delta Analog-To-Digital Converter in Communication Systems

Software defined radio, a highly digitized wireless receiver, has drawn huge attention in modern communication system because it can not only benefit from the advanced technologies but also exploit large digital calibration of digital signal processing (DSP) to optimize the performance of receivers. Continuous-time (CT) bandpass sigma-delta (ΣΔ) modulator, used as an RF-to-digital converter, has been regarded as a potential solution for software defined ratio. The demand to support multiple standards motivates the development of a broadband CT bandpass ΣΔ which can cover the most commercial spectrum of 1GHz to 4GHz in a modern communication system. Clock generation, a major building block in radio frequency (RF) integrated circuits (ICs), usually uses a phase-locked loop (PLL) to provide the required clock frequency to modulate/demodulate the informative signals. This work explores the design of clock generation in RF ICs. First, a 2-16 GHz frequency synthesizer is proposed to provide the sampling clocks for a programmable continuous-time bandpass sigma-delta (ΣΔ) modulator in a software radio receiver system. In the frequency synthesizer, a single-sideband mixer combines feed-forward and regenerative mixing techniques to achieve the wide frequency range. Furthermore, to optimize the excess loop delay in the wideband system, a phase-tunable clock distribution network and a clock-controlled quantizer are proposed. Also, the false locking of regenerative mixing is solved by controlling the self-oscillation frequency of the CML divider. The proposed frequency synthesizer performs excellent jitter performance and efficient power consumption. Phase noise and quadrature phase accuracy are the common tradeoff in a quadrature voltage-controlled oscillator. A larger coupling ratio is preferred to obtain good phase accuracy but suffer phase noise performance. To address these fundamental trade-offs, a phasor-based analysis is used to explain bi-modal oscillation and compute the quadrature phase errors given by inevitable mismatches of components. Also, the ISF is used to estimate the noise contribution of each major noise source. A CSD QVCO is first proposed to eliminate the undesired bi-modal oscillation and enhance the quadrature phase accuracy. The second work presents a DCC QVCO. The sophisticated dynamic current-clipping coupling network reduces injecting noise into LC tank at most vulnerable timings (zero crossing points). Hence, it allows the use of strong coupling ratio to minimize the quadrature phase sensitivity to mismatches without degrading the phase noise performance. The proposed DCC QVCO is implemented in a 130-nm CMOS technology. The measured phase noise is -121 dBc/Hz at 1MHz offset from a 5GHz carrier. The QVCO consumes 4.2mW with a 1-V power supply, resulting in an outstanding Figure of Merit (FoM) of 189 dBc/Hz. Frequency divider is one of the most power hungry building blocks in a PLL-based frequency synthesizer. The complementary injection-locked frequency divider is proposed to be a low-power solution. With the complimentary injection schemes, the dividers can realize both even and odd division modulus, performing a more than 100% locking range to overcome the PVT variation. The proposed dividers feature excellent phase noise. They can be used for multiple-phase generation, programmable phase-switching frequency dividers, and phase-skewing circuits

Design of CMOS LC voltage controlled oscillators

This work presents the design and implementation of CMOS LC voltage controlled oscillators. On-chip planar spiral inductors and PMOS inversion mode varactors were utilized to implement the resonator. Two voltage controlled oscillators (VCOs) were realized as a part of this work, one designed to operate at 1.1 GHz while the second at 1.8 GHz. Both VCOs were implemented in a scalable digital CMOS process, with the former in a 1.5 micron CMOS process and the latter in a 0.5 micron technology. A simulation based methodology was adopted to arrive at a simple pi model used to model the metal and substrate related losses responsible for deteriorating the integrated inductor\u27s performance. Geometry based optimization techniques were utilized to arrive at an inductor geometry that ensures reasonable quality factor. In addition to the core VCO structure a host of test structures have been incorporated in order to carry out two-port network measurements in the future. Such measurements should enable one to gain a greater insight into the integrated inductor and varactor\u27s performance

Reliability Study Of Ingap/gaas Heterojunction Bipolar Transistor Mmic Technology By Characterization, Modeling And Simulation

Recent years have shown real advances of microwave monolithic integrated circuits (MMICs) for millimeter-wave frequency systems, such as wireless communication, advanced imaging, remote sensing and automotive radar systems, as MMICs can provide the size, weight and performance required for these systems. Traditionally, GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) or InP based MMIC technology has dominated in millimeter-wave frequency applications because of their high fT and fmax as well as their superior noise performance. But these technologies are very expensive. Thus, for low cost and high performance applications, InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) are quickly becoming the preferred technology to be used due to their inherently excellent characteristics. These features, together with the need for only one power supply to bias the device, make InGaP/GaAs HBTs very attractive for the design of high performance fully integrated MMICs. With the smaller dimensions for improving speed and functionality of InGaP/GaAs HBTs, which dissipate large amount of power and result in heat flux accumulated in the device junction, technology reliability issues are the first concern for the commercialization. As the thermally triggered instabilities often seen in InGaP/GaAs HBTs, a carefully derived technique to define the stress conditions of accelerated life test has been employed in our study to acquire post-stress device characteristics for the projection of long-term device performance degradation pattern. To identify the possible origins of the post-stress device behaviors observed experimentally, a two iv dimensional (2-D) TCAD numerical device simulation has been carried out. Using this approach, it is suggested that the acceptor-type trapping states located in the emitter bulk are responsible for the commonly seen post-stress base current instability over the moderate base-emitter voltage region. HBT-based MMIC performance is very sensitive to the variation of core device characteristics and the reliability issues put the limit on its radio frequency (RF) behaviors. While many researchers have reported the observed stress-induced degradations of GaAs HBT characteristics, there has been little published data on the full understanding of stress impact on the GaAs HBTbased MMICs. If care is not taken to understand this issue, stress-induced degradation paths can lead to built-in circuit failure during regular operations. However, detection of this failure may be difficult due to the circuit complexity and lead to erroneous data or output conditions. Thus, a practical and analytical methodology has been developed to predict the stress impacts on HBTbased MMICs. It provides a quick way and guidance for the RF design engineer to evaluate the circuit performance with reliability considerations. Using the present existing EDA tools (Cadance SpectreRF and Agilent ADS) with the extracted pre- and post-stress transistor models, the electrothermal stress effects on InGaP/GaAs HBT-based RF building blocks including power amplifier (PA), low-noise amplifier (LNA) and oscillator have been systematically evaluated. This provides a potential way for the RF/microwave industry to save tens of millions of dollars annually in testing costs. v The world now stands at the threshold of the age of advanced GaAs HBT MMIC technology and researchers have been exploring here for years. The reliability of GaAs HBT technology is no longer the post-design evaluation, but the pre-design consideration. The successful and fruitful results of this dissertation provide methods and guidance for the RF designers to achieve more reliable RF circuits with advanced GaAs HBT technology in the future

Amplificador de potência CMOS em 2.4 ghz com potência de saída programável

Orientador : Prof. Dr. Bernardo Rego Barros de Almeida LeiteCoorientador : Prof. Dr. André Augusto MarianoDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. Defesa: Curitiba, 12/12/2016Inclui referências : f. 89-90Área de concentraçãoResumo: A potência DC (PDC) em um sistema móvel sem fio é um critério deter-minante de projeto. O amplificador de potência (PA) é um dos subsistemas que mais consome PDC, uma vez que é responsável por amplificar sinais de baixa potência para sinais de alta potência de saída (POUT). Para que o uso da PDC seja eficiente, o sistema transmissor deve ser capaz de selecionar os níveis de POUT do PA conforme a necessidade da aplicação, relacionando de maneira ótima PDC e POUT. Em arquiteturas de PAs nas quais não é possível selecionar a POUT, o consumo da PDC é aproximadamente constante, independente da POUT utilizada. Dessa maneira, se a aplicação demanda uma POUT baixa, a PDC consumida será aproximadamente a mesma que aquela consumida por uma POUT alta. Ao contrário, em arquiteturas de PAs nas quais a POUT é selecioná-vel, o consumo da PDC é modulado conforme a demanda da POUT. Dessa ma-neira, se é necessária uma POUT alta, a PDC consumida será proporcionalmente maior. Se a POUT é baixa, a PDC consumida será proporcionalmente menor. O fato da PDC ser modulada em função da POUT caracteriza a utilização inteligente da energia disponível em um sistema móvel sem fio. Essa dissertação de mestrado apresenta o projeto, a implementação e a caracterização de um PA em tecnologia CMOS 130 nm em 2,4 GHz com POUT selecionável. O projeto do PA consiste em compreender o que é um PA, qual o seu papel e impacto em um sistema transmissor, onde ele se insere em um sistema transceptor de rádio frequências (RF) e em quais padrões de comunicação sem fio ele se enquadra. Também são demandas de projeto o estudo da tecnologia utilizada (características e ferramentas), CMOS RF8-DM, quais os benefícios e desafios encontrados na microeletrônica de potência em RF, quais arquiteturas atendem aos requisitos de projeto, acompanhar um tape-out, e determinar quais são as métricas utilizadas para a caracterização do circuito. A implementação, por sua vez, consiste em estudar a literatura referen-te às topologias de PAs com POUT selecionável, em compreender os blocos construtivos de um PA, em propor a captura de esquemático da solução defini-da, em realizar o leiaute e simulações do circuito. Por fim, a caracterização neste trabalho consiste em apresentar os re-sultados pós-leiaute e medições preliminares; em apresentar a comparação entre os resultados de pós-leiaute e o estado da arte; a comparação entre os resultados pós-layout e medições; a análise de variações de processo, tensão e temperatura (PVT) e Monte Carlo do circuito, e a apresentação dos resulta-dos do PA em alguns padrões de comunicação digital. Diferentemente da literatura estudada, o PA proposto utiliza um estágio de potência composto por três células de amplificação que são ativadas ou de-sativadas independentemente. Dependendo da combinação em que tais célu-las são ativadas ou desativadas, sete níveis diferentes de POUT e de PDC são obtidos. Por exemplo: quando todas as células são ativadas, o PA é capaz de entregar a maior faixa de POUT possível, entretanto, o consumo de PDC é tam-bém o maior. De forma contrária, se apenas uma célula for ativada e as demais desativadas, a faixa de POUT e o consumo de PDC são reduzidos. Dessa manei-ra, é possível adequar o PA para uma operação com consumo de PDC mínima dependente da POUT desejada. O circuito proposto possui sete modos de ope-ração unívocos em termos de ganho de pequeno sinal, ponto de compressão de 1 dB referenciado à potência de saída (OCP1dB) e potência saturada (PSAT). O PA é incondicionalmente estável em todos os modos de operação. O PA proposto é totalmente integrado, significando que componente externo algum é necessário para o seu funcionamento. Os blocos-núcleo do circuito são: rede de adaptação de impedância de entrada, estágio de ganho, componente de acoplamento interestágios, estágio de potência reconfigurável e rede de adaptação de impedância de saída. Os blocos periféricos do projeto são um buffer e um circuito gerador de polarização. O circuito é composto por pads para que seja possível aplicar e ler as tensões e sinais de RF. As redes de adaptação de impedância de entrada e de saída são responsáveis por adaptar a impedância de 50 ? à impedância de entrada do estágio de ganho e a impedância de saída do estágio de potência a 50 ?, respectivamente. Os estágios de ganho e de potência são responsáveis respectivamente por dar ganho de potência ao sinal RF de entrada e fornecer um sinal de saída com alta potência e baixas distorções. Ambos estágios são baseados em transisto-res em topologia cascode: a fonte de um transistor em configuração fonte co-mum (CS) conectada ao dreno de um transistor em configuração porta comum (CG). Em especial no estágio de potência, para se selecionar os diferentes modos de operação, as células cascode de potência devem ser ligadas ou des-ligadas. Para que as células sejam ligadas, deve-se aplicar a tensão VDD nas portas dos CGs. De forma contrária, para que as células cascode de potência sejam desligadas, deve-se aplicar a tensão gnd nas portas dos CGs. O leiaute do circuito foi realizado considerando a presença de parasitas dos metais, o fluxo e intensidade da corrente RF, o desacoplamento da interfe-rência RF na alimentação e a dispersão de potenciais de terra e de alimenta-ção por todo o circuito. Nenhum erro impactante de fabricação foi encontrado durante o design rule check e o layout Vs. schematic e a verificação de modo ortogonal não apresentaram erros. Após o leiaute, as componentes parasitas R e C foram extraídas, o arquivo de fabricação encaminhado para a MOSIS e simulações pós-leiaute foram conduzidas. A simulação pós-leiaute apresentou os seguintes resultados para o modo de menor potência: PSAT de 8,1 dBm, ganho de 13,5 dB e consumo de PDC de 171 mW para entregar 6 dBm de OCP1dB. O modo de maior potência, por sua vez, apresentou PSAT de 18,9 dBm, ganho de 21,1 dB e PDC de 415 mW para OCP1dB de 18,2 dBm. Em relação à literatura estudada, este trabalho pos-sui a maior faixa de OCP1dB e de PSAT. Em termos de medição, apenas o modo de operação de maior potência foi medido. Ele apresenta um PSAT de 12,6 dBm, OCP1dB de 9,4 dBm, ganho de 12,8 dB e PDC de 252 mW para o OCP1dB. Em termos comparativos, o modo de maior potência medido situou-se entre os modos de menor potência de simulação pós-leiaute. Na tentativa de determinar a fonte da diferença entre o circuito medido e simulado, algumas hipóteses foram testadas, tais como alteração da tensão de polarização do cir-cuito, métodos alternativos para extração de parasitas e influência dos pads no descasamento de impedâncias. Os resultados obtidos não foram suficientes para explicar a discrepância encontrada e espera-se que com as medições fal-tantes seja possível determinar a fonte de diferenças. Palavras-chave: Amplificador de potências. PA CMOS em 2,4 GHz. Po-tência de saída selecionável.Abstract: The DC power consumption (PDC) of a mobile wireless system is a de-terminant project criterion. The power amplifier (PA) is one of the most PDC con-suming subsystem, as it is responsible for amplifying low power signals into high output power (POUT) signals. In order to use PDC efficiently, the transmitter system must be capable of selecting levels of POUT according to the amplifica-tion demand, optimizing the PDC and POUT relation. This masters dissertation presents the design, implementation and characterization of a selectable POUT 2.4 GHz 130 nm CMOS PA. Employing a power stage composed of amplifica-tion cells that are independently enabled or disabled, different levels of POUT and PDC are achieved. The designed amplifier is composed of seven univocal power modes and is fully integrated, meaning that no external components are needed for operation. The characterization of the circuit is composed of small and large-signal continuous-wave metrics, as well as digital channel metrics. The post-layout simulations showed a lowest power mode with a PSAT of 8.1 dBm, gain of 13.5 dB and PDC consumption of 171 mW to deliver an OCP1dB of 6 dBm. The highest power mode performs a PSAT of 18.9 dBm, gain of 21.1 dB and PDC of 415 mW for an 18.2 dBm OCP1dB. The circuit was fabricated and preliminary measurements were conducted. The comparison between measurement and simulation results showed that the fabricated circuit performs bellow expected. Some hypotheses and tests were conducted to determine the difference, but no conclusive results were obtained as further measurements are necessary. Key-words: Power amplifier. 2.4 GHz CMOS PA. Selectable output power

Subsampling receivers with applications to software defined radio systems

Este trabajo de tesis propone la utilización sistemas basados en submuestreo como una alternativa para la implementación de la etapa de down-conversion de los receptores de radio frecuencia (RF) empleados para aplicaciones multi-estándar y SDR (Software Defined Radio). El objetivo principal será el de optimizar el diseño en cuanto a flexibilidad y simplicidad, las cuales son propiedades inherentes en los sistemas basados en submuestreo. Por tanto, como reducir el número de componentes al mínimo es clave cuando un mismo receptor procesa diferentes estándares de comunicación, las arquitecturas basadas en submuestreo han sido seleccionadas, donde la reusabilidad de los componentes empleados es posible, así como la reducción de los costes totales de los receptores de comunicación y de los equipos de certificación que emplean estas arquitecturas. Un motivo adicional por el que los sistemas basados en submuestreo han sido seleccionados es el concerniente a la topología del receptor. Como la idea de la tecnología SDR es implementar todas las funcionalidades del receptor (filtrado, amplificación) en el dominio digital, el convertidores analógico-digital (ADC) deberá estar localizado en la cadena de recepción lo más cerca posible a la antena, siendo el objetivo final el convertir la señal directamente de RF a digital. Sin embargo, con los actuales ADC no es posible implementar esta idea debido al alto ancho de banda que necesitarían sin perder resolución para cubrir las especificaciones de los estándares de comunicaciones inalámbricas. Por tanto, los sistemas basados en submuestreo se presentan como la opción más adecuada para implementar este tipo de sistemas debido a que pueden muestrear la señal de entrada por debajo de la tasa de Nyquist, si se cumplen ciertas restricciones en cuanto a la elección de la frecuencia de muestreo. De este modo, los requerimientos del ADC serán relajados ya que, usando estas arquitecturas, este componente procesará la señal a frecuencias intermedias. Una vez se han introducido los conceptos principales de las técnicas de submuestreo, esta tesis doctoral presenta el diseño de una tarjeta de adquisición de datos basada en submuestreo con la finalidad de ser implementada como un receptor de test y certificación de banda ancha. El sistema propuesto proporciona una alta resolución para un elevado ancho de banda, a partir del uso de un S&H de bajo jitter y de un convertidor analógico digital ADC que trabaja a frecuencias intermedias. El sistema es implementado usando dispositivos comerciales en una placa de circuito impreso diseñada y fabricada, y cuya caracterización experimental muestra una resolución de más 8 bits para un ancho de banda analógico de 20 MHz. Concretamente, la resolución medida será mayor de 9 bits hasta una frecuencia de entrada de 2.9 GHz y mayor de 8 bits para una frecuencia de entrada de hasta 6.5 GHz, lo cual resulta suficiente para cubrir los requerimientos de la mayor parte de los actuales estándares de comunicaciones inalámbricas (GPS, GSM, GPRS, UMTS, Bluetooth, Wi-Fi, WiMAX). Sin embargo, los receptores basados en submuestreo presentan algunos importantes inconvenientes, como son adicionales fuentes de ruido (jitter y plegado de ruido térmico) y una dificultad añadida para implementarlo en escenarios multi-banda y no lineales. Acerca del plegado de ruido en la banda de interés, esta tesis propone el uso de una técnica basada en una arquitectura de reloj múltiple con el objetivo de aumentar la resolución y cubrir un número mayor de estándares para su test y certificación. Empleando una frecuencia de muestreo mayor para el caso del S&H, se conseguirá reducir este efecto, aumentando la resolución en aproximadamente 0.5-1 bit respecto al caso de sólo usar una fuente de reloj. Las expresiones teóricas de esta mejora son desarrolladas y presentadas en esta tesis, siendo posteriormente corroboradas de modo experimental. Por otra parte, esta tesis también propone novedosas técnicas para la aplicación de estos sistemas de submuestreo en entornos multi-banda y no lineales, los cuales presentan desafíos adicionales por el hecho de existir la posibilidad de solapamiento entre la señal de interés y los otros canales de comunicación, así como de solapamiento con sus armónicos. De este modo, esta tesis extiende el uso de los sistemas basados en submuestreo para este tipo de entornos, proponiendo técnicas para la elección de la frecuencia óptima de muestreo que evitan el solapamiento entre señales, a la vez que consiguen incrementar la resolución del receptor. Finalmente, se presentará la optimización en cuanto a características de ruido de un receptor concreto para aplicaciones de banda dual en entornos no lineales. Dicho receptor estará basado en las técnicas de reloj múltiple presentadas anteriormente y en una estructura de multi-filtro entre el S&H y el ADC. El sistema diseñado podrá emplearse para diversas aplicaciones a ambos lados de la cadena de comunicación, tal como en receptores de detección de espectro para radio cognitiva, o implementando el bucle de realimentación de un transmisor para la linealización de amplificadores de potencia. Por tanto, la presente tesis doctoral cuenta con tres contribuciones diferenciadas. La primera de ellas es la dedicada al diseño de un prototipo de recepción multi-estándar basado en submuestreo para aplicaciones de test y certificación. La segunda aportación es la dedicada a la optimización de las especificaciones de ruido a partir de las técnicas presentadas basadas en reloj múltiple. Por último, la tercera contribución principal es la relacionada con la extensión de este tipo de técnicas a sistemas multi-banda en entornos no lineales. Todas estas contribuciones han sido estudiadas teóricamente y experimentalmente validadas

Advanced Trends in Wireless Communications

Physical limitations on wireless communication channels impose huge challenges to reliable communication. Bandwidth limitations, propagation loss, noise and interference make the wireless channel a narrow pipe that does not readily accommodate rapid flow of data. Thus, researches aim to design systems that are suitable to operate in such channels, in order to have high performance quality of service. Also, the mobility of the communication systems requires further investigations to reduce the complexity and the power consumption of the receiver. This book aims to provide highlights of the current research in the field of wireless communications. The subjects discussed are very valuable to communication researchers rather than researchers in the wireless related areas. The book chapters cover a wide range of wireless communication topics

Optical generation of mm-wave signals for use in broadband radio over fiber systems

In future cellular radio networks Radio over Fiber (RoF) is a very attractive technology to deliver microwave and millimeter-wave signals containing broad band multimedia services to numerous base stations of the network. The radio signals are placed on an optical carrier and distributed by means of an optical fiber network to the base stations (BS). In the BS the optical signals heterodyne in a photodiode to produce the radio signals which are then sent via a wireless link to the mobile units (MU). The optical fiber network provides high frequency, wideband, low loss and a means of signal distribution immune to electromagnetic interference. In this thesis, different methods of electrooptical upconversion were investigated. The generation of an optical double-sideband with suppressed carrier (DSB-SC) signal is a straightforward method due to the fact that only one optical modulator driven at half the millimeter-wave frequency is required. One or both sidebands were ASK-modulated with baseband data rates of up to 10 Gbps. Optical single sideband modulation proves to be dispersion resilient as error free transmission was demonstrated after 53 km of single mode fiber transmission for data rates up to 10 Gbps. Wireless links up to 7 m were also demonstrated, proving the feasibility of this approach for broadband wireless inhouse access systems.Für zukünftige zellulare Funknetze ist „Radio over Fiber (RoF)“ eine sehr attraktive Technologie, um breitbandige Multimedia-Dienste mit Mikro- und Millimeterwellen zu übertragen. Die Funksignale werden dabei auf eine optische Trägerwelle aufmoduliert und mittels eines optischen Fasernetzes zu den Basisstationen (BS) verteilt. In den BS erfolgt die Überlagung der optischen Signale durch eine Fotodiode, um die Funksignale zu erzeugen. Diese werden dann über eine drahtlose Verbindung zu den beweglichen Multimedia-Endgeräten geschickt. Vorteile des optischen Fasernetzes sind Breitbandigkeit, geringe Dämpfung und eine gegenüber elektromagnetischen Störungen immune Signalverteilung. In dieser Arbeit werden verschiedene Methoden der elektrooptischen Aufwärtskonversion erforscht und die wichtigsten Eigenschaften dieser untersucht. Die Erzeugung eines optischen Zweiseitenbandsignales mit unterdrücktem Träger (DSB-SC) ist eine einfache Methode, da nur ein optischer Modulator, betrieben mit der halben elektrischen Trägerfrequenz, benötigt wird. Eine oder beide Seitenbänder konnten mit Bitraten bis zu 10 Gbps amplitudenmoduliert werden. Optische Einseitenbandmodulation ist extrem tolerant bezüglich der chromatischen Dispersion der Faser, wie die fehlerfreie Übertragung nach 53 km Glasfaser beweist. Drahtlose Links bis zu 7 m wurden realisiert und zeigen die Möglichkeit dieser Verfahren für breitbandige drahtlose Inhouse-Zugangssysteme