Characterization of alternative carrier selective materials and their application to heterojunction solar cells

Crystalline silicon (c-Si) solar cells can be considered a highly industrialized and mature product with a record conversion efficiency of 26.6%, not far from the practical limit of 29.4% (for single p/n junction devices). Accordingly, current research and development are addressing some remaining efficiency and cost limitations, including the reduction of (1) carrier recombination in highly doped materials, (2) parasitic absorption by narrow band gap films and (3) high temperature energy-intensive processing (especially critical for wafer thicknesses below 100 µm). In parallel, thin-film PV (e.g. organics and perovskites) have introduced a large number of dopant-free, hole- or electron-selective materials with optoelectronic properties that are comparable or superior to standard p- and n-doped layers in c-Si. Consequently, this thesis work explores novel heterojunctions between c-Si and these carrier-selective contact materials, putting special emphasis on TMO thin films whose wide energy band gap (>3 eV), surface passivation and large work function (>5 eV) characteristics permit their utilization as transparent/passivating/hole-selective front contacts in n-type c-Si (n-Si) solar cells. To this purpose, a comparative study among three thermally evaporated TMOs (V2O5, MoO3 and WO3) allowed correlating their chemical composition with thin film conductivity, optical transmittance, passivation potential and contact resistance on n-Si substrates. The variation of these properties with film thickness, air exposure or temperature annealings was also studied. Overall, V2Ox outperformed the other oxides by obtaining higher implied open-circuit voltages and lower contact resistances, translating into higher selectivities. Next, a thorough study of the TMO/c-Si interface was performed by electron microscopy, secondary ion-mass spectrometry and x-ray photoelectron spectroscopy, identifying two separate contributions to the observed passivation: (1) a chemical component, as evidenced by a thin SiOx interlayer naturally-grown by chemical reaction during TMO evaporation; and (2) a "field-effect" component, a result of a strong inversion (p+) of the n-Si surface, induced by the large work function difference between both materials. Considering all this, an energy band diagram for the TMO/SiOx/n-Si heterojunction was proposed, reflecting the possible physicochemical mechanisms behind c-Si passivation and carrier transport. Then, the characterized TMO/n-Si heterojunctions were implemented as front hole contacts in complete solar cell devices, using thin TMO films (15 nm) contacted by an indium-tin oxide (ITO) anti-reflection/conductive electrode and a silver finger grid. As rear electron contacts, n-type a-SiCx:H thin films (20 nm) were used in localized (laser-doped) and full-area configurations, the former contacted by titanium/aluminum while the latter by ITO/silver electrodes. The best performance solar cells were obtained for V2Ox/n-Si heterojunctions, characterized by an open-circuit voltage (VOC) close to 660 mV and a maximum conversion efficiency of 16.5%. Additional characterization confirmed the good quality of the induced p+/n-Si junction, with ideality factors close to 1 and built-in potentials above 700 mV. Moreover, a photocurrent gain of ~1 mA/cm2 (300-550 nm wavelength range) was directly attributed to the difference in energy band gaps between TMOs (>2.5 eV) and the a-SiCx:H reference (~1.7 eV). On a sideline, hole-selective contacts based on PEDOT:PSS polymer solutions were also characterized, resulting in a moderate conversion efficiency of 11.6% in ITO-free devices. Finally, it is worth emphasizing the high degree of innovation in this thesis project, reporting for the first time the properties of these alternative contact materials in the context of c-Si photovoltaics and contributing to a more generic understanding of solar cell operation and design.Las celdas solares de silicio cristalino (c-Si) pueden ser consideradas un producto maduro y altamente industrializado, con eficiencias de conversión record de 26.6% muy cercanas al límite práctico de 29.4%. En consecuencia, la investigación y desarrollo actuales están abordando las limitantes restantes en eficiencia y costes, incluyendo la reducción de (1) la recombinación de portadores en materiales altamente dopados, (2) la absorción parásita debido a energías de banda prohibida insuficientes y (3) los procesos térmicos (un factor crítico para obleas delgadas de 100 micras o menos). En paralelo, tecnologías de capa delgada (e.g. orgánicos y perovskitas) han introducido un gran número de materiales selectivos a electrones o huecos, libres de dopantes y cuyas propiedades optoelectrónicas son comparables o superiores a las capas dopadas tipo-n o tipo-p usadas de manera estándar en c-Si. Es así que esta tesis explora heterouniones novedosas entre c-Si y dichos materiales de contacto selectivos, poniendo especial énfasis en capas delgadas de TMOs cuya energía de band prohibida (>3 eV), pasivación superficial y alta función de trabajo (>5 eV) permiten su utilización como contactos frontales, transparentes, pasivantes y selectivos a huecos en celdas con substrato tipo-n (n-Si). Con este propósito, se realizó un estudio comparativo entre tres TMOs evaporados térmicamente (V2O5, MoO3 and WO3) que permitió correlacionar su composición química con la conductividad, transmitancia óptica, pasivación y resistencia de contacto de capas delgadas sobre sustratos de n-Si. La variabilidad de estas propiedades con el grosor de las capas, su exposición al aire o a recocidos de alta temperatura también fue estudiada. En general, V2Ox tuvo un mejor desempeño que el resto de los óxidos al obtener mayores pseudo-voltajes de circuito abierto y menores resistencias de contacto, traduciéndose en una mayor selectividad. En seguida, un estudio detallado de la interface TMO/c-Si fue llevado a cabo mediante microscopia de electrones, espectrometría de masas de iones secundarios y espectroscopia fotoelectrónica de rayos-x, identificando dos contribuciones a la pasivación superficial: (1) un componente químico, demostrado por la presencia de una inter-capa de SiOx formada mediante reacción química durante el depósito del TMO; y (2) un componente de "efecto de campo", que es resultado de la fuerte inversión de la superficie (p+/n-Si) inducida por la gran disparidad en funciones de trabajo entre ambos materiales. Bajo esta consideración, se propuso un diagrama de bandas para la heterounión TMO/SiOx/n-Si que refleja los posibles mecanismos de pasivación y transporte de cargas. Acto seguido, se implementaron dichas heterouniones como contactos tipo-p frontales en celdas solares finalizadas, con la estructura Ag/ITO(80 nm)/TMO (15 nm)/n-Si, donde el ITO "óxido de indio y estaño" sirve de capa antirreflejo conductora y la plata como electrodo. Para el contacto tipo-n trasero, capas de a-SiCx:H dopado (20 nm) fueron utilizadas en dos configuraciones (dopado puntual por láser y contacto en área completa). El mejor desempeño se obtuvo para las celdas de V2Ox/n-Si, caracterizadas por voltajes de circuito abierto (Voc) cercanos a 660 mV y una eficiencia máxima de 16.5%. La caracterización adicional de estos dispositivos reveló factores de idealidad cercanos a 1 y una barrera interna de potencial mayor a 700 mV, comprobando la buena calidad de la unión p+/n-Si inducida. Además, ganancias en fotocorriente de ~1 mA/cm2 (para el rango de longitudes de onda de 300-550 nm) fueron directamente atribuidas a las diferencias en energías de banda prohibida entre el TMO (>2.5 eV) y la capa referencia de a-SiCx:H (~1.7 eV). Finalmente, vale la pena enfatizar el alto grado de innovación en este proyecto de tesis, reportando por primera vez las propiedades de estos materiales de contacto alternativos en el contexto de la fotovoltaica de silicio.Postprint (published version

Characterization of alternative carrier selective materials and their application to heterojunction solar cells

Crystalline silicon (c-Si) solar cells can be considered a highly industrialized and mature product with a record conversion efficiency of 26.6%, not far from the practical limit of 29.4% (for single p/n junction devices). Accordingly, current research and development are addressing some remaining efficiency and cost limitations, including the reduction of (1) carrier recombination in highly doped materials, (2) parasitic absorption by narrow band gap films and (3) high temperature energy-intensive processing (especially critical for wafer thicknesses below 100 µm). In parallel, thin-film PV (e.g. organics and perovskites) have introduced a large number of dopant-free, hole- or electron-selective materials with optoelectronic properties that are comparable or superior to standard p- and n-doped layers in c-Si. Consequently, this thesis work explores novel heterojunctions between c-Si and these carrier-selective contact materials, putting special emphasis on TMO thin films whose wide energy band gap (>3 eV), surface passivation and large work function (>5 eV) characteristics permit their utilization as transparent/passivating/hole-selective front contacts in n-type c-Si (n-Si) solar cells. To this purpose, a comparative study among three thermally evaporated TMOs (V2O5, MoO3 and WO3) allowed correlating their chemical composition with thin film conductivity, optical transmittance, passivation potential and contact resistance on n-Si substrates. The variation of these properties with film thickness, air exposure or temperature annealings was also studied. Overall, V2Ox outperformed the other oxides by obtaining higher implied open-circuit voltages and lower contact resistances, translating into higher selectivities. Next, a thorough study of the TMO/c-Si interface was performed by electron microscopy, secondary ion-mass spectrometry and x-ray photoelectron spectroscopy, identifying two separate contributions to the observed passivation: (1) a chemical component, as evidenced by a thin SiOx interlayer naturally-grown by chemical reaction during TMO evaporation; and (2) a "field-effect" component, a result of a strong inversion (p+) of the n-Si surface, induced by the large work function difference between both materials. Considering all this, an energy band diagram for the TMO/SiOx/n-Si heterojunction was proposed, reflecting the possible physicochemical mechanisms behind c-Si passivation and carrier transport. Then, the characterized TMO/n-Si heterojunctions were implemented as front hole contacts in complete solar cell devices, using thin TMO films (15 nm) contacted by an indium-tin oxide (ITO) anti-reflection/conductive electrode and a silver finger grid. As rear electron contacts, n-type a-SiCx:H thin films (20 nm) were used in localized (laser-doped) and full-area configurations, the former contacted by titanium/aluminum while the latter by ITO/silver electrodes. The best performance solar cells were obtained for V2Ox/n-Si heterojunctions, characterized by an open-circuit voltage (VOC) close to 660 mV and a maximum conversion efficiency of 16.5%. Additional characterization confirmed the good quality of the induced p+/n-Si junction, with ideality factors close to 1 and built-in potentials above 700 mV. Moreover, a photocurrent gain of ~1 mA/cm2 (300-550 nm wavelength range) was directly attributed to the difference in energy band gaps between TMOs (>2.5 eV) and the a-SiCx:H reference (~1.7 eV). On a sideline, hole-selective contacts based on PEDOT:PSS polymer solutions were also characterized, resulting in a moderate conversion efficiency of 11.6% in ITO-free devices. Finally, it is worth emphasizing the high degree of innovation in this thesis project, reporting for the first time the properties of these alternative contact materials in the context of c-Si photovoltaics and contributing to a more generic understanding of solar cell operation and design.Las celdas solares de silicio cristalino (c-Si) pueden ser consideradas un producto maduro y altamente industrializado, con eficiencias de conversión record de 26.6% muy cercanas al límite práctico de 29.4%. En consecuencia, la investigación y desarrollo actuales están abordando las limitantes restantes en eficiencia y costes, incluyendo la reducción de (1) la recombinación de portadores en materiales altamente dopados, (2) la absorción parásita debido a energías de banda prohibida insuficientes y (3) los procesos térmicos (un factor crítico para obleas delgadas de 100 micras o menos). En paralelo, tecnologías de capa delgada (e.g. orgánicos y perovskitas) han introducido un gran número de materiales selectivos a electrones o huecos, libres de dopantes y cuyas propiedades optoelectrónicas son comparables o superiores a las capas dopadas tipo-n o tipo-p usadas de manera estándar en c-Si. Es así que esta tesis explora heterouniones novedosas entre c-Si y dichos materiales de contacto selectivos, poniendo especial énfasis en capas delgadas de TMOs cuya energía de band prohibida (>3 eV), pasivación superficial y alta función de trabajo (>5 eV) permiten su utilización como contactos frontales, transparentes, pasivantes y selectivos a huecos en celdas con substrato tipo-n (n-Si). Con este propósito, se realizó un estudio comparativo entre tres TMOs evaporados térmicamente (V2O5, MoO3 and WO3) que permitió correlacionar su composición química con la conductividad, transmitancia óptica, pasivación y resistencia de contacto de capas delgadas sobre sustratos de n-Si. La variabilidad de estas propiedades con el grosor de las capas, su exposición al aire o a recocidos de alta temperatura también fue estudiada. En general, V2Ox tuvo un mejor desempeño que el resto de los óxidos al obtener mayores pseudo-voltajes de circuito abierto y menores resistencias de contacto, traduciéndose en una mayor selectividad. En seguida, un estudio detallado de la interface TMO/c-Si fue llevado a cabo mediante microscopia de electrones, espectrometría de masas de iones secundarios y espectroscopia fotoelectrónica de rayos-x, identificando dos contribuciones a la pasivación superficial: (1) un componente químico, demostrado por la presencia de una inter-capa de SiOx formada mediante reacción química durante el depósito del TMO; y (2) un componente de "efecto de campo", que es resultado de la fuerte inversión de la superficie (p+/n-Si) inducida por la gran disparidad en funciones de trabajo entre ambos materiales. Bajo esta consideración, se propuso un diagrama de bandas para la heterounión TMO/SiOx/n-Si que refleja los posibles mecanismos de pasivación y transporte de cargas. Acto seguido, se implementaron dichas heterouniones como contactos tipo-p frontales en celdas solares finalizadas, con la estructura Ag/ITO(80 nm)/TMO (15 nm)/n-Si, donde el ITO "óxido de indio y estaño" sirve de capa antirreflejo conductora y la plata como electrodo. Para el contacto tipo-n trasero, capas de a-SiCx:H dopado (20 nm) fueron utilizadas en dos configuraciones (dopado puntual por láser y contacto en área completa). El mejor desempeño se obtuvo para las celdas de V2Ox/n-Si, caracterizadas por voltajes de circuito abierto (Voc) cercanos a 660 mV y una eficiencia máxima de 16.5%. La caracterización adicional de estos dispositivos reveló factores de idealidad cercanos a 1 y una barrera interna de potencial mayor a 700 mV, comprobando la buena calidad de la unión p+/n-Si inducida. Además, ganancias en fotocorriente de ~1 mA/cm2 (para el rango de longitudes de onda de 300-550 nm) fueron directamente atribuidas a las diferencias en energías de banda prohibida entre el TMO (>2.5 eV) y la capa referencia de a-SiCx:H (~1.7 eV). Finalmente, vale la pena enfatizar el alto grado de innovación en este proyecto de tesis, reportando por primera vez las propiedades de estos materiales de contacto alternativos en el contexto de la fotovoltaica de silicio

Integrated Design of a Supermarket Refrigeration System by Means of Experimental Design Adapted to Computational Problems

In this paper, an integrated design of a supermarket refrigeration system has been used to obtain a process with better operability. It is formulated as a multi-objective optimization problem where control performance is evaluated by six indices and the design variables are the number and discrete power of each compressor to be installed. The functional dependence between design and performance is unknown, and therefore the optimal configuration must be obtained through a computational experimentation. This work has a double objective: to adapt the surface response methodology (SRM) to optimize problems without experimental variability as are the computational ones and show the advantage of considering the integrated design. In the SRM framework, the problem is stated as a mixture design with constraints and a synergistic cubic model where a D-optimal design is applied to perform the experiments. Finally, the multi-objective problem is reduced to a single objective one by means of a desirability function. The optimal configuration of the power distribution of the three compressors, in percentage, is (50,20,20). This solution has an excellent behaviour with respect to the six indices proposed, with a significant reduction in time oscillations of controlled variables and power consumption compared with other possible power distributions.This research was funded by Spanish MINISTERIO DE CIENCIA E INNOVACION and European Regional Development Funds, grant number PID2021-123654OB-C33

Origin of passivation in hole-selective transition metal oxides for crystalline silicon heterojunction solar cells

Transition metal oxides (TMOs) have recently demonstrated to be a good alternative to boron/phosphorous doped layers in crystalline silicon heterojunction solar cells. In this work, the interface between n-type c-Si (n-Si) and three thermally evaporated TMOs (MoO3, WO3, and V2O5) was investigated by transmission electron microscopy, secondary ion-mass, and x-ray photoelectron spectroscopy. For the oxides studied, surface passivation of n-Si was attributed to an ultra-thin (1.9–2.8 nm) SiOx~1.5 interlayer formed by chemical reaction, leaving oxygen-deficient species (MoO, WO2, and VO2) as by-products. Carrier selectivity was also inferred from the inversion layer induced on the n-Si surface, a result of Fermi level alignment between two materials with dissimilar electrochemical potentials (work function difference ¿¿ = 1 eV). Therefore, the hole-selective and passivating functionality of these TMOs, in addition to their ambient temperature processing, could prove an effective means to lower the cost and simplify solar cell processing.Postprint (author's final draft

Comparacion de cuatro indices de calidad vocal en sujetos con y sin fisura labiopalatina y fisura palatina aislada

66 p.Los niños con fisura presentan dificultades en diversos aspectos. Uno de ellos es la fonación, específicamente la calidad de la voz. Esto ocurre por diversos motivos, entre ellos insuficiencia velofaríngea, tipo y extensión de la fisura, escape nasal, ineficacia respiratoria, entre otros. Del mismo modo, se conocen múltiples parámetros encargados de medir la calidad vocal. Éstos pueden ser medidos con distintos programas computacionales, como por ejemplo el Software VoxMetría CTS Informática. Por ello el propósito de este trabajo es estudiar si existen diferencias entre sujetos con fisura palatina aislada y sujetos con fisura labiopalatina, con respecto a algunos índices de calidad vocal, como son el Jitter, Shimmer, Nivel de Ruido y Glotal Noise Exitation (GNE). Se comparó un grupo de 17 sujetos con fisura labiopalatina y palatina aislada, con un grupo control sin la característica mencionada. Los resultados demuestran que no existe una diferencia significativa que permita establecer claramente que los sujetos con fisura discrepan con respecto a la calidad vocal en comparación al grupo control. Se discuten las implicancias de los resultados

Projeto e implementação de uma sequência didática para alunos do ensino médio sobre uma questão sociocientífica.

The research was carried out with the objective of designing and testing a didactic sequencethat had as its central axis the socio-scientific issue "Transgenic Foods" and with activitiesassociated with the processes of inquiry, argumentation and debate supported with the use ofICT. The above derived from what Revel, Díaz and Aduriz-Bravo (2021), cited byHernández-Sarabia (2022) and Bahamonde (2014), point out that students have problemsinquiring, arguing, making decisions and debating. The methodology developed was mixedin nature with a pragmatic approach. Bibliography was reviewed regarding the axis and theactivities included in the didactic sequence. It was implemented by a teacher, there wasconstant communication with him and an unstructured interview was carried out. Aquestionnaire was administered to the students. For students to improve their learning, theresults show, according to Tobón, Pimienta and García (2010); Guerrero (2011) and DíazBarriga (2013) that, when implementing a didactic sequence with activities organized basedon a didactic purpose, supported by a study program, appropriate to the cognitive level of thestudents and of socio-scientific relevance, it is also necessary the accompaniment and timelyintervention of the teacher.La investigación se realizó con el objetivo de diseñar y probar una secuencia didáctica quetuvo como eje central el asunto sociocientífico “Alimentos transgénicos” y con actividadesasociadas a los procesos de indagación, argumentación y debate apoyadas con el uso de TIC.Lo anterior derivado de lo que Revel, Díaz y Aduriz-Bravo (2021) citados por HernándezSarabia (2022) y Bahamonde (2014), señalan respecto a que los estudiantes tienen problemaspara indagar, argumentar, tomar decisiones y debatir. La metodología desarrollada fue decarácter mixto con enfoque pragmático. Se revisó bibliografía referente al eje y lasactividades incluidas en la secuencia didáctica. Fue implementada por un docente, se tuvocomunicación constante con él y se le efectuó una entrevista no estructurada. Al estudiantadose le aplicó un cuestionario. Para que los estudiantes mejoren su aprendizaje, los resultadosmuestran, de acuerdo con Tobón, Pimienta y García (2010); Guerrero (2011) y Díaz-Barriga(2013) que, al implementar una secuencia didáctica con actividades organizadas con base enun propósito didáctico, apoyadas en un programa de estudios, adecuadas al nivel cognitivode los estudiantes y de relevancia sociocientífica, también es necesario el acompañamiento eintervención oportuna del docente.A pesquisa foi realizada com o objetivo de projetar e testar uma sequência didática que tinhacomo eixo central a questão sociocientífica "Alimentos transgênicos" e com atividades  associadas aos processos de investigação, argumentação e debate apoiados pelo uso das TIC.O exposto acima derivou do que Revel, Díaz e Aduriz-Bravo (2021), citados por HernándezSarabia (2022) e Bahamonde (2014), apontam em relação ao fato de que os alunos têmproblemas com a investigação, a argumentação, a tomada de decisões e o debate. Ametodologia desenvolvida foi de natureza mista com uma abordagem pragmática. Foramrevisadas a bibliografia referente ao eixo e as atividades incluídas na sequência didática. Foiimplementada por um professor, com comunicação constante e uma entrevista nãoestruturada. Um questionário foi aplicado aos alunos. Para que os alunos melhorem suaaprendizagem, os resultados mostram, de acordo com Tobón, Pimienta e García (2010);Guerrero (2011) e Díaz-Barriga (2013), que, ao implementar uma sequência didática comatividades organizadas com base em um propósito didático, apoiado por um programa deestudos, adequado ao nível cognitivo dos alunos e de relevância sociocientífica, também énecessário o acompanhamento e a intervenção oportuna do professo

Apoio do ensino virtual de biologia para o desenvolvimento da argumentação em alunos do ensino médio

The research was carried out with students and teachers from urban basic education schools at the secondary level to identify whether, during confinement, derived from the COVID-19 pandemic, biology students received support from virtual learning environments (EVA) to argue their ideas. It was developed in three stages with a mixed perspective, which involved the collection and analysis of qualitative and quantitative data. It was found that some biology topics of interest to students are associated with sexuality, evolution, health, and the cell. The use of virtual biology learning environments is recommended to strengthen argumentation skills in students in order to contribute to the improvement of their school performance.La investigación se realizó con estudiantes y docentes de escuelas urbanas de educación básica del nivel secundaria para identificar si durante el confinamiento, derivado de la pandemia COVID-19, los estudiantes de biología recibieron apoyo de los entornos virtuales de aprendizaje (EVA) para argumentar sus ideas. Se desarrolló en tres etapas con perspectiva mixta, ello implicó recolección y análisis de datos cualitativos y cuantitativos. Se encontró que algunos temas de biología de interés para el estudiantado se asocian con sexualidad, evolución, salud y célula. Se recomienda el uso de los entornos virtuales de aprendizaje de la biología para robustecer habilidades de argumentación en los estudiantes a fin de contribuir en el mejoramiento de su rendimiento escolar.A pesquisa foi realizada com alunos e professores de escolas urbanas de ensino básico de nível médio para identificar se, durante o confinamento, decorrente da pandemia de COVID-19, os alunos de biologia receberam apoio de ambientes virtuais de aprendizagem (EVA) para argumentar suas ideias. Foi desenvolvido em três etapas com uma perspectiva mista, que envolveu a coleta e análise de dados qualitativos e quantitativos. Constatou-se que alguns tópicos de biologia de interesse dos alunos estão associados à sexualidade, evolução, saúde e célula. O uso de ambientes virtuais de aprendizagem de biologia é recomendado para fortalecer as habilidades de argumentação dos alunos, a fim de contribuir para a melhoria de seu desempenho escolar

Superior performance of V2O5 as hole selective contact over other transition metal oxides in silicon heterojunction solar cells

Transition metal oxides (TMOs) have recently been proved to efficiently serve as hole-selective contacts in crystalline silicon (c-Si) heterojunction solar cells. In the present work, two TMO/c-Si heterojunctions are explored using MoO3 (reference) and V2O5 as an alternative candidate. It has been found that V2O5 devices present larger (16% improvement) power conversion efficiency mainly due to their higher open-circuit voltage. While V2O5/c-Si devices with textured front surfaces exhibit larger short-circuit currents, it is also observed that flat solar cell architectures allow for passivation of the V2O5/n-Si interface, giving significant carrier lifetimes of 200 µs (equivalent to a surface recombination velocity of Seff ~140 cm s-1) as derived from impedance analysis. As a consequence, a significant open-circuit voltage of 662 mV is achieved. It is found that, at the TMO/c-Si contact, a TMO work function enhancement ¿FTMO occurs during the heterojunction formation with the consequent dipole layer enlargement ¿’=¿+¿FTMO. Our results provide new insights into the TMO/c-Si contact energetics, carrier transport across the interface and surface recombination allowing for further understanding of the nature of TMO/c-Si heterojunctions.Peer ReviewedPostprint (published version

La urbanización que tuerce el modus vivendi de la avifauna

El proyecto pretende dar a conocer cómo la urbanización ha afectado a las diferentes especies de aves en los últimos veinte años en el AMG, por medio de una investigación que cruza el crecimiento de la urbe en relación con los cambios en los hábitos alimenticios, el comportamiento, las adaptaciones o la migración de aquéllas. El producto que comunicará los resultados de esta investigación es un libro de relatos, cuyos narradores serán las propias aves, con la finalidad de darles voz y sensibilizar al lector sobre este problema.ITESO, A.C