El treball de les Intel·ligències múltiples des de l'àrea d'Educació física

Curs 2012-2013La petita investigació que porto a terme en aquest treball va dirigida als alumnes de l’etapa d’Educació Secundària Obligatòria, tot i que ja veurem més endavant la seva possible aplicació a l’etapa anterior, la primària. A nivell personal seria molt interessant poder extrapolar els resultats i/o les conclusions a l’etapa que precedeix la ESO donada la possibilitat que tinc de treballar en ambdós etapes de formació. Tal i com està estructurat el sistema educatiu les intel·ligències no estan contemplades, i si ho estan, apareixen en àmbits molt parcel·lats per les diferents assignatures. Imaginem una imatge que faré servir de paral·lelisme per explicar la meva manera de pensar, per una banda tenim l’àmbit educatiu formal (escoles, instituts, etc.) on cada matèria tractada dintre d’aquests està representada per un color diferent en un recipient diferent. Tot està ordenat i en el seu lloc. La següent imatge és un caos, colors barrejats, recipients que no estan al seu lloc, etc. en definitiva, l’oposat a la primera. La reflexió ve quan te n’adones que la segona imatgerepresenta la vida real. No pot ser que estiguem formant persones en parcel·les quan després, a la realitat, no funcionem d’aquesta manera. Sé que el meu àmbit dintre de l’institut es limitarà només a l’assignatura d’Educació Física, i és des d’aquí on pretenc investigar què puc fer per pal·liar mínimament el fet exposat anteriorment. Per tant, el segon objectiu que em plantejo és aplicar la teoria de les Intel·ligències Múltiples a l’àrea d’Educació Física i, per fer-ho, abans hauré fet una recerca bibliogràfica sobre la temàtica ja que la veritat no és absoluta i m’interessa veure diferents maneres d’enfocar una mateixa qüestió. Si en la vessant més pràctica del treball aconsegueixo aplicar la teoria és bàsicament perquè busco donar resposta a les diferents Intel·ligències Múltiples que té l’alumnat amb el qual treballo. Més endavant, en l’apartat de metodologia veurem com plantejo aquesta qüestió de donar resposta i si en una unitat didàctica és possible donar-ne a totes i cadascuna de les que hi ha. Finalment, i ja en la darrera part del treball, plasmaré els diferents feedbacks rebuts per part de tots els que d’alguna manera o d’una altra han participat en aquest treball ja que aquest és el tercer objectiu, avaluar el programa proposat. Caldrà posar en una balança els pros i contres d’aquesta manera de plantejar l’Educació Física per veure si realment és viable treballar les Intel·ligències Múltiples des d’aquesta àrea, o si pel contrari, és inviable i quins son els motius que fan que ho sigui.Director/a: Núria Padrós Tune

The Final Hurdle?: Security of supply, the Capacity Mechanism and the role of interconnectors

The UK Government has developed a carefully designed Capacity Mechanism to ensure security of supply in the GB electricity system. This paper criticises the methods used to determine the amount of capacity to procure, and argues that the amount finally proposed is likely to be excessive, particularly (but not exclusively) in ignoring the contribution from interconnectors. More broadly, there has been too little attention to either the political economy, or the option value aspects. Procuring too little is risky, but fear of'the lights going out' can easily become a catch-all argument for excessive procurement, and associated subsidy. The risk of over-procurement, particularly of new capacity on long-term contracts, is that it drives up the costs to consumers; undermines renewable energy by transferring capped resources from renewable to fossil fuel producers; and impedes the Single Market including by weakening the business case for future interconnectors. The paper argues that the development of technologies and markets, particularly on the demand- side and of potentially available – 'latent' – capacity - further lowers the risks and increases options. This implies greater potential to defer more capacity procurement – and enhances the value of a more appropriate treatment of interconnectors in security assessments

CMOS-MEMS resonant pressure sensors: optimization and validation through comparative analysis

The final publication is available at Springer via http://dx.doi.org/10.1007/s00542-016-2878-3An optimized CMOS-MEMS resonant pressure sensor with enhanced sensitivity at atmospheric pressure has been reported in this paper. The presented work reports modeling and characterization of a resonant pressure sensor, based on the variation of the quality factor with pressure. The relevant regimes of air flow have been determined by the Knudsen number, which is the ratio of the mean free path of the gas molecule to the characteristic length of the device. The sensitivity has been monitored for the resonator design from low vacuum to atmospheric levels of air pressure. This has been accomplished by reducing the characteristic length and optimization of other parameters for the device. While the existing analytical model has been adapted to simulate the squeeze film damping effectively and it is validated at higher values of air pressure, it fails to compute the structural damping mechanisms dominant in the molecular flow regime, i.e. at lower levels of air pressure. This discrepancy has been solved by finite element modeling that has incorporated both structural and film damping effects. The sensor has been designed with an optimal geometry of 140 × 140 × 8 µm having 6 × 6 perforations along the row and column of the plate, respectively, for maximum Q, with an effective mass of 0.4 µg. An enhanced quality factor of 60 and reduced damping coefficient of 4.34 µNs/m have been obtained for the reported device at atmospheric pressure. The sensitivity of the manufactured device is approximately -0.09 at atmospheric pressure and increases to -0.3 at 40 kPa i.e. in the lower pressures of slip flow regime. The experimental measurements of the manufactured resonant pressure sensor have been compared with that of the analytical and finite element modeling to validate the optimization procedure. The device has been manufactured using standard 250 nm CMOS technology followed by an in-house BEOL metal-layer release through wet etching.Peer ReviewedPostprint (author's final draft

Pensamiento arbitrista y estructuras institucionales en la carrera de Indias (siglo XVII): entre la desincentivación y la represión

The Castilian arbitrism of the 17th century demonstrated great concern about the colonial trade; however, the Spanish Treasure Fleets are only moderately present in arbitrista culture. How can this paradox be explained? This paper proposes an argument based on three ideas: 1) there was a contradictory relationship between the arbitrista culture and the institutional system of the Fleets; 2) this relationship changed throughout the 17th century: during the first decades of the century the institutions disincentivized arbitrismo and, during the last ones, they tended to repress it; 3) this evolution is largely due to the transfer of the Fleets from Seville to Cadiz.El arbitrismo castellano del siglo XVII mostró una gran preocupación por el comercio colonial y, sin embargo, la carrera de Indias participó en la cultura arbitrista de forma moderada. ¿Cómo puede explicarse esta paradoja? Este artículo ofrece como respuesta una argumentación basada en tres ideas: 1) existió una relación contradictoria entre la cultura arbitrista y el aparato institucional de la carrera; 2) esa relación varió a lo largo del siglo XVII: durante las primeras décadas las instituciones desincentivaron el arbitrismo y, durante las últimas, tendieron más a reprimirlo; 3) tal evolución se debe en gran medida al desplazamiento del centro de la Carrera desde Sevilla hasta Cádiz

L'electrodeposició com a mètode de preparació de capes primes heterogènies de cobalt-coure

[cat] L'electrodeposició a partir d'un bany de sulfat-citrat permet l'obtenció de dipòsits de Co-Cu amb diferents graus d'heterogeneïtat i capaços de presentar propietats magnetorresisitives. L'aplicació tecnològica d'aquests materials rau en la seva possible implementació en sensors o dispositius d'emmagatzematge de memòria. Per una banda, s'han dissenyat banys electrolítics que permeten l'obtenció de capes formades per partícules de mida micro-nanomètrica riques en cobalt distribuïdes en una matriu de cobalt-coure. D'altra banda, s'han desenvolupat banys que permeten, mitjançant l'electrodeposició polsant, preparar multicapes alternades de Co/Cu. S'ha fet un estudi del comportament electroquímic del sistema per a cada un dels banys electrolítics dissenyats, tot emprant diferents substrats com a elèctrode de treball: carboni vitri, coure, níquel, substrats de base silici modificats, vidre ITO modificat, etc. Les propietats exhibides pels diferents dipòsits s'han analitzat mitjançant diverses tècniques, ja sigui electroquímiques (in situ : voltametria cíclica, cronomètodes, stripping voltamètric, stripping galvanostàtic) o físiques (ex situ: SEM, TEM, XRD, EPMA, XPS, AFM, així com la mesures de les propietats magnètiques), tot relacionant la informació que s'extreu de cadascuna d'elles. En cada cas s'han utilitzat els substrats més adequats. S'ha fet especial èmfasi en la mesura de les propietats magnetoresistives dels electrodipòsits i s'ha comprovat que aquestes augmenten quan es potencia l'heterogeneïtat dels dipòsits. L'electrodeposició permet obtenir capes uniformes Co-Cu com a conseqüència de la deposició conjunta d'ambdós metalls a partir d'un determinat valor de potencial o densitat de corrent aplicats. Aquests dipòsits presenten micro-nanoheterogeneïtat gràcies a la presència de partícules de cobalt distribuïdes en una matriu, la qual cosa confereix al sistema un cert caràcter magnetorresistiu. El recuit controlat de les mostres a valors optimitzats de temperatura i temps en un forn en absència d'oxigen ha permès de segregar noves partícules riques en Co responsables d'un clar increment de la magnetorresistència de les làmines. A més, ha estat possible preparar capes alternes de Co/Cu de diferents gruixos. S'han optimitzat els potencials de deposició a fi de preparar, amb una eficiència elevada, capes alternades de coure pur i de cobalt pràcticament pur. El control de la duració dels polsos permet controlar l'espaiat de les bicapes. Bicapes de l'ordre de 80 nm poden visualitzar-se per SEM o AFM després d'un acurada preparació de les mostres. Les capes més primes, amb espaiats de bicapes d'uns pocs nanòmetres, presenten propietats magnetorresistives. Per a aquests sistemes, la magnetorresistència és màxima quan la mida de cada capa se situa entre 1 i 2 nm. Tanmateix, capes més primes són de difícil obtenció, ja que es produeix la formació d'illes de cobalt. L'stripping voltamètric és de gran utilitat per determinar l'espaiat òptim entre capes

Reducing the temperature sensitivity of SOI waveguide-based biosensors

Label-free photonic biosensors fabricated on silicon-on-insulator (SOI) can provide compact size, high evanescent field strength at the silicon waveguide surface, and volume fabrication potential. However, due to the large thermo optic coefficient of water-based biosamples, the sensors are temperature-sensitive. Consequently, active temperature control is usually used. However, for low cost applications, active temperature control is often not feasible. Here, we use the opposite polarity of the thermo-optic coefficients of silicon and water to demonstrate a photonic slot waveguide with a distribution of power between sample and silicon that aims to give athermal operation in water. Based on simulations, we made three waveguide designs close to the athermal point, and asymmetric integrated Mach- Zehnder interferometers for their characterization. The devices were fabricated on SOI with a 220 nm device layer and 2 ï¿œm buried oxide, by electron beam lithography of hydrogen silsesquioxane (HSQ) resist, and etching in a Cl2/HBr/O2/He plasma. With Cargile 50350 fused silica matching oil as top cladding, the group index of the three guides varies from 1.9 to 2.8 at 1550 nm. The temperature sensitivity of the devices varied from -70 to -160 pm/K under the same conditions. A temperature sensitivity of -2 pm/K is projected with water as top cladding.QC 20120613</p

CMOS-MEMS resonant pressure sensors: optimization and validation through comparative analysis

The final publication is available at Springer via http://dx.doi.org/10.1007/s00542-016-2878-3An optimized CMOS-MEMS resonant pressure sensor with enhanced sensitivity at atmospheric pressure has been reported in this paper. The presented work reports modeling and characterization of a resonant pressure sensor, based on the variation of the quality factor with pressure. The relevant regimes of air flow have been determined by the Knudsen number, which is the ratio of the mean free path of the gas molecule to the characteristic length of the device. The sensitivity has been monitored for the resonator design from low vacuum to atmospheric levels of air pressure. This has been accomplished by reducing the characteristic length and optimization of other parameters for the device. While the existing analytical model has been adapted to simulate the squeeze film damping effectively and it is validated at higher values of air pressure, it fails to compute the structural damping mechanisms dominant in the molecular flow regime, i.e. at lower levels of air pressure. This discrepancy has been solved by finite element modeling that has incorporated both structural and film damping effects. The sensor has been designed with an optimal geometry of 140 × 140 × 8 µm having 6 × 6 perforations along the row and column of the plate, respectively, for maximum Q, with an effective mass of 0.4 µg. An enhanced quality factor of 60 and reduced damping coefficient of 4.34 µNs/m have been obtained for the reported device at atmospheric pressure. The sensitivity of the manufactured device is approximately -0.09 at atmospheric pressure and increases to -0.3 at 40 kPa i.e. in the lower pressures of slip flow regime. The experimental measurements of the manufactured resonant pressure sensor have been compared with that of the analytical and finite element modeling to validate the optimization procedure. The device has been manufactured using standard 250 nm CMOS technology followed by an in-house BEOL metal-layer release through wet etching.Peer Reviewe