Creación de un cómic mudo

Este Trabajo de Final de Grado consiste en la creación de un cómic corto, de unas quince páginas, con el cual se pretende demostrar que la narrativa visual no necesita apoyarse en diálogo para ser comprendida por su lector. Por lo tanto, el producto final será un cómic completamente privado de globos y bocadillos. En otras palabras, un cómic mudo. En este documento se irá registrando todo el proceso llevado a cabo con el fin de obtener el resultado final. Esto incluye desde el brainstorming y nacimiento de la idea original, pasando por el diseño tanto de los personajes como de entorno que los rodea y donde transcurre toda la acción, hasta el entintado y maquetado de las páginas finales. El cómic en sí será completamente en blanco y negro, y contará con tramas y texturas para representar los distintos elementos presentes en sus viñetas, todo hecho en medios digitales. Su lectura será de manera oriental, es decir, de derecha a izquierda, ya que uno de los principales objetivos será presentarlo al concurso de cómic nipón Silent Manga Audition, con el fin de, con un poco de suerte, poder cosechar feedback de reconocidos autores y profesionales de la industria de aquel país. Eso quiere decir también que, por lo tanto, las dimensiones y detalles técnicos del cómic están sujetos a la normativa del concurso. Para poder alcanzar el mejor resultado posible, se hará un estudio de referentes, especialmente del mundo del cómic, pero también de la narrativa visual en general. Esto ayudará a ampliar los conocimientos y la biblioteca visual antes de emprender el viaje hacia la creación propia. Ya en la etapa de producción se utilizará principalmente un software de dibujo enfocado a la ilustración digital y la producción de cómics/manga, Clip Studio Paint, aunque también se utilizarán diversos medios analógicos y otros programas para facilitar el diseño de algunos elementos, como Blender para la creación de algunos assets 3D más complejos

Polycrystalline SiC growth and characterization

Growth of 3C-SiC on (100) Si wafers has been carried out by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), using a H(2) + SiH(4) + C(3)H(8) gas mixture at about 1000 degreesC. No carbonization layer was performed. Micro-Raman measurements yield the presence of microcrystalline SiC matrix, while neither carbon nor silicon clusterization in amorphous phase was detected with optimized deposition conditions. Transmission electron microscopy has been used to analyze the orientation of the films and the surface growth: the presence of voids and edge dislocations at the interface was revealed