Influence of the spatial distribution of border traps in the capacitance frequency dispersion of Al2O3/InGaAs

In this paper, the capacitance frequency dispersion in strong accumulation of capacitance voltage curves has been studied for different high-k dielectric layers in MOS stacks. By studying experimental data at low (77 K) and room temperature (300 K), in oxides with different density of defects, it was possible reflect the spatial distribution of the defects in the capacitance frequency dispersion. The experimental data show that while at room temperature, the capacitance dispersion is dominated by the exchange of carriers from the semiconductor into oxide traps far away from the interface, at low temperature the oxide traps near the Al2O3/InGaAs interface are responsible for the frequency dispersion. The results indicate that the capacitance dispersion in strong accumulation reflect the spatial distribution of traps within the oxide, and that dielectric/semiconductor conduction band offset is a critical parameter for determining the capacitance dispersion for Al2O3/InGaAs based gate stacks.Fil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional; ArgentinaFil: Aguirre, Fernando Leonel. Universidad Tecnológica Nacional; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Pazos, Sebastián Matías. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Krylov, Igor. Technion - Israel Institute of Technology; IsraelFil: Winter, Roy. Technion - Israel Institute of Technology; IsraelFil: Eizenberg, Moshe. Technion - Israel Institute of Technology; Israe

Implementación de un sistema de gestión de seguridad y salud en el trabajo para reducir costos en la empresa TAL S.A.

El estudio se realizó bajo la modalidad de suficiencia profesional, tuvo como objetivo general implementar un sistema de gestión de seguridad y salud en el trabajo para reducir costos en la empresa TAL S.A., debido a la situación inicial detectada en la organización en la que se presentaban altos costos por accidentes laborales, es por ello que mediante el diagnóstico inicial se determinó que las principales causas que generaban esta situación fueron: (a) falta de procedimientos para manejo de productos químicos; (b) falta de control en el uso de EPP (c) Falta de procedimientos para inducción en peligro y riesgos laborales, (d) Falta de procedimientos de capacitación y formación e (e) Inadecuada gestión del programa de mantenimiento y disponibilidad de máquinas y equipos. Para lograr la implementación del sistema de seguridad y salud en el trabajo se siguieron las siguientes etapas: diagnóstico de SST actual en la empresa, desarrollo de la política de SST, planificación de SST, implementación y operación, verificación y acciones correctivas, revisión por la alta dirección del SGSST y la evaluación económica financiera. Con la implementación del sistema de gestión de seguridad y salud en el trabajo se logró disminuir el índice de frecuencia de 629,53 accidentes incapacitantes por hora hombre trabajada a 51,46 accidentes incapacitantes por hora hombre trabajada, el índice de severidad de 8 888,77 días perdidos por accidente por horas hombre trabajada a 652,67 días perdidos por accidente por hora hombre trabajada, el índice de accidentabilidad de 874,03 accidentes por cada 1000 horas trabajadas a 4,05 accidentes por cada 1000 horas trabajadas y los accidentes de trabajo de 35 accidentes por mes a 3 accidentes por mes, lo que significó una reducción del 91,83%, 92,66%, 99,54% y 91,43% respectivamente, desde el punto de vista económico, con una inversión de S/. 225 673,72, se pronosticó un B/C de S/. 3,60 para los cinco años posteriores a la implementación, con un VAN de S/. 586 650,44, una TIR de 78% y un PRI de 15,35 meses

Breakdown transients in high-k multilayered MOS stacks: Role of the oxide-oxide thermal boundary resistance

In this work, breakdown transients of multilayered gate oxide stacks were analyzed to study the impact of the interfaces between oxides on the heat dissipation considering an electromigration-based progressive breakdown model. Using two distinct measurement setups on four different sets of samples, featuring two layers and three layers of Al 2 O 3 and HfO 2 interspersed, the breakdown transients were captured and characterized in terms of the degradation rate. Experimental results show that the number of oxide-oxide interfaces present in the multilayered stack has no visible impact on the breakdown growth rate among our samples. This strongly supports the interpretation of the bulk materials dominating the heat transfer to the surroundings of a fully formed conductive filament that shows no electrical differences between our various multilayered stack configurations.Fil: Boyeras Baldomá, Santiago. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Pazos, Sebastián Matías. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; ArgentinaFil: Aguirre, F. L.. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; ArgentinaFil: Palumbo, Felix Roberto Mario. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentin

Las teorías del Trade Off (costo-beneficio) y del Pecking Order (orden jerárquico) relacionadas a las empresas que cotizan en la Bolsa de Valores de Lima, en los últimos 5 años

El presente trabajo pretende abordar un análisis comparado del grado de explicación aportado por dos de las grandes teorías que coexisten en relación a la decisión de financiación o estructura de capital. De un lado la teoría estática o del Trade Off desde la vertiente más tradicional y clásica de la economía financiera aporta factores tales como la tangibilidad de los activos, el tamaño, las oportunidades de crecimiento y la rentabilidad económica. De otro, y de la mano de las aportaciones más recientes procedentes de la moderna economía contractual, la teoría de la jerarquización financiera o teoría del Pecking Order viene a sugerir la existencia de un orden de jerarquías en la elección de financiación cuando la empresa afronta un déficit financiero a la hora de emprender nuevos proyectos de inversión. Con una muestra de 113 empresas que cotizan en la Bolsa de Valores de Lima para el periodo 2004-2008. Donde las empresas que cotizan en la Bolsa de Valores de Lima responden a la teoría del Pecking Order. Donde el factor como el tamaño en el sector agrario, los factores como las oportunidades de crecimiento y el tamaño en el sector diverso, los factores como las oportunidades de crecimiento y el tamaño en el sector industrial y por último los factores como la rentabilidad, tangibilidad y tamaño en el sector minero responden a la teoría del Trade Off. Y el factor como el tamaño en el sector agrario, los factores como las oportunidades de crecimiento y rentabilidad en el sector diverso, los factores como las oportunidades de crecimiento y tangibilidad en el sector industrial y por ultimo el factor como las oportunidades de crecimiento en el sector minero responden a la teoría del Pecking Order

SPICE Simulation of RRAM-Based Cross-Point Arrays Using the Dynamic Memdiode Model

We thoroughly investigate the performance of the Dynamic Memdiode Model (DMM) when used for simulating the synaptic weights in large RRAM-based cross-point arrays (CPA) intended for neuromorphic computing. The DMM is in line with Prof. Chua’s memristive devices theory, in which the hysteresis phenomenon in electroformed metal-insulator-metal structures is represented by means of two coupled equations: one equation for the current-voltage characteristic of the device based on an extension of the quantum point-contact (QPC) model for dielectric breakdown and a second equation for the memory state, responsible for keeping track of the previous history of the device. By considering ex-situ training of the CPA aimed at classifying the handwritten characters of the MNIST database, we evaluate the performance of a Write-Verify iterative scheme for setting the crosspoint conductances to their target values. The total programming time, the programming error, and the inference accuracy obtained with such writing scheme are investigated in depth. The role played by parasitic components such as the line resistance as well as some CPA’s particular features like the dynamical range of the memdiodes are discussed. The interrelationship between the frequency and amplitude values of the write pulses is explored in detail. In addition, the effect of the resistance shift for the case of a CPA programmed with no errors is studied for a variety of input signals, providing a design guideline for selecting the appropriate pulse’s amplitude and frequency.Fil: Aguirre, Fernando Leonel. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Pazos, Sebastián Matías. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; ArgentinaFil: Suñé, Jordi. Universitat Autònoma de Barcelona; EspañaFil: Miranda, Enrique. Universitat Autònoma de Barcelona; Españ

Comparative study of the breakdown transients of thin Al2O3 and HfO2 films in MIM structures and their connection with the thermal properties of materials

In this work, the breakdown transients of Al2O3- and HfO2 based metal-insulator-metal (MIM) stacks with the same oxide thickness and identical metal electrodes were compared. Their connection with the thermal properties of the materials was investigated using alternative experimental setups. The differences and similarities between these transients in the fast and progressive breakdown regimes were assessed. According to the obtained results, Al2O3 exhibits longer breakdown transients than HfO2 and requires a higher voltage to initiate a very fast current runaway across the dielectric film. This distinctive behavior is ascribed to the higher thermal conductivity of Al2O3. Overall results link the breakdown process to the thermal properties of the oxides under test rather than to dissipation effects occurring at the metal electrodes.Fil: Pazos, Sebastián Matías. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Aguirre, Fernando Leonel. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Miranda, Enrique. Universitat Autònoma de Barcelona; EspañaFil: Lombardo, Salvatore. Consiglio Nazionale delle Ricerche; ItaliaFil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentin

Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks

The influence of forming gas annealing on the degradation at a constant stress voltage of multi-layered germanium-based Metal-Oxide-Semiconductor capacitors (p-Ge/GeOx/Al2O3/High-K/Metal Gate) has been analyzed in terms of the C-V hysteresis and flat band voltage as a function of both negative and positive stress fields. Significant differences were found for the case of negative voltage stress between the annealed and non-annealed samples, independently of the stressing time. It was found that the hole trapping effect decreases in the case of the forming gas annealed samples, indicating strong passivation of defects with energies close to the valence band existing in the oxide-semiconductor interface during the forming gas annealing. Finally, a comparison between the degradation dynamics of Germanium and III-V (n-InGaAs) MOS stacks is presented to summarize the main challenges in the integration of reliable Ge–III-V hybrid devices.Fil: Aguirre, Fernando Leonel. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Pazos, Sebastián Matías. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; ArgentinaFil: Fadida, S.. Technion - Israel Institute of Technology; IsraelFil: Winter, R.. Technion - Israel Institute of Technology; IsraelFil: Eizenberg, M.. Technion - Israel Institute of Technology; Israe

Complejo Deportivo y Comercial Municipal – Surquillo

El título profesional de arquitectura es la culminación de la etapa de estudio base de la carrera y el inicio de una nueva etapa profesional. Entre las posibilidades para obtener el título se encuentra la tesis, metodología elegida que será desarrollada, con la finalidad de culminar satisfactoriamente nuestra carrera de arquitectura. En este trabajo analizaremos las razones que motivaron la elección del tema de investigación así como los gustos e inquietudes que podrían suscitarse durante el desarrollo. La finalidad de la investigación es lograr un resultado integral que nos permita llegar a conclusiones sólidas y satisfactorias. Ambos autores hemos estado identificados con el deporte en alguna etapa de nuestras vidas, practicando distintas disciplinas y concluyendo que el deporte es una herramienta importante en el desarrollo de los seres humanos como individuos y en sociedad. Es por eso y otros motivos que nos inclinamos por este tema. Esta tesis analizará y aportará aspectos de mejora a nivel de infraestructura e instalaciones centradas en el desarrollo del deporte. El deporte es una actividad realizada por el ser humano principalmente con fines recreativos, aunque en algunos casos puede convertirse en la profesión de una persona. Una de las importancias del deporte es que permite que la persona ejercite su organismo, manteniéndose en buen estado de salud y en un buen nivel físico, así como también le permite relajarse, despreocuparse de la rutina, liberar tensión y, además divertirse. El deporte es también importante porque cuando es grupal nos permite interactuar con otros y luchar de manera conjunta por un objetivo común; cuando es individual, nos permite buscar superarnos de manera permanente ya que los buenos resultados dependen pura y exclusivamente de nosotros. También promueve el intercambio sociocultural, a través de los eventos deportivos y, asimismo los valores humanos y universales, como la disciplina, el sentido del equipo y colectividad, la solidaridad, la comprensión y la tolerancia. A partir de esta reflexión hemos decidido tratar el tema señalado como tema de la tesis a desarrollar.Tesi

Assessment and Improvement of the Pattern Recognition Performance of Memdiode-Based Cross-Point Arrays with Randomly Distributed Stuck-at-Faults

In this work, the effect of randomly distributed stuck-at faults (SAFs) in memristive crosspoint array (CPA)-based single and multi-layer perceptrons (SLPs and MLPs, respectively) intended for pattern recognition tasks is investigated by means of realistic SPICE simulations. The quasi-static memdiode model (QMM) is considered here for the modelling of the synaptic weights implemented with memristors. Following the standard memristive approach, the QMM comprises two coupled equations, one for the electron transport based on the double-diode equation with a single series resistance and a second equation for the internal memory state of the device based on the so-called logistic hysteron. By modifying the state parameter in the current-voltage characteristic, SAFs of different severeness are simulated and the final outcome is analysed. Supervised ex-situ training and two well-known image datasets involving hand-written digits and human faces are employed to assess the inference accuracy of the SLP as a function of the faulty device ratio. The roles played by the memristor’s electrical parameters, line resistance, mapping strategy, image pixelation, and fault type (stuck-at-ON or stuck-at-OFF) on the CPA performance are statistically analysed following a Monte-Carlo approach. Three different re-mapping schemes to help mitigate the effect of the SAFs in the SLP inference phase are thoroughly investigated.In this work, the effect of randomly distributed stuck-at faults (SAFs) in memristive cross-point array (CPA)-based single and multi-layer perceptrons (SLPs and MLPs, respectively) intended for pattern recognition tasks is investigated by means of realistic SPICE simulations. The quasi-static memdiode model (QMM) is considered here for the modelling of the synaptic weights implemented with memristors. Following the standard memristive approach, the QMM comprises two coupled equations, one for the electron transport based on the double-diode equation with a single series resistance and a second equation for the internal memory state of the device based on the so-called logistic hysteron. By modifying the state parameter in the current-voltage characteristic, SAFs of different severeness are simulated and the final outcome is analysed. Supervised ex-situ training and two well-known image datasets involving hand-written digits and human faces are employed to assess the inference accuracy of the SLP as a function of the faulty device ratio. The roles played by the memristor?s electrical parameters, line resistance, mapping strategy, image pixelation, and fault type (stuck-at-ON or stuck-at-OFF) on the CPA performance are statistically analysed following a Monte-Carlo approach. Three different re-mapping schemes to help mitigate the effect of the SAFs in the SLP inference phase are thoroughly investigated.Fil: Aguirre, Fernando Leonel. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina. Universitat Autònoma de Barcelona; España. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Pazos, Sebastián Matías. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Morell, Antoni. Universitat Autònoma de Barcelona; EspañaFil: Suñé, Jordi. Universitat Autònoma de Barcelona; EspañaFil: Miranda, Enrique. Universitat Autònoma de Barcelona; Españ