High-frequency response and thermal effects in GaN diodes and transistors: modeling and experimental characterization

Se han analizado diodos autoconmutantes (SSDs) y transitores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de GaN, tanto en el régimen DC como en AC, tanto desde el punto de vista experimental como de simulaciones. Las no linealidades presentes en las curvas corriente-voltaje permiten su operación como detectores de microondas a polarización nula. A pesar de las buenas propiedades del GaN, existen problemas tecnológicos relacionados con defectos, trampas y calentamiento que deben ser investigados para perfeccionar la electrónica de potencia en el futuro. Medidas pulsadas y de transitorios de corriente realizadas sobre el SSD han revelado la influencia de trampas volúmicas y superficiales, observándose anomalías en las características DC e impedancia AC. Los efectos superficiales son relevantes en canales estrechos puesto que la relación superficie-volumen del dispositivo aumenta, mientras que en los dispositivos más anchos prevalece la influencia de las trampas de tipo volúmico. Las medidas muestran un incremento anómalo de la detección a bajas temperaturas, mientras que a altas frecuencias el voltaje detectado muestra una caída que atribuimos a la presencia de trampas de tipo superficial y volúmico. Se ha observado una fuerte dispersión a baja frecuencia tanto de la transconductanciacomo de la conductancia de salida en HEMTs de AlGaN/AlN/GaN en el rango de microondas, que atribuimos a la presencia de trampas y defectos tanto en el volumen de canal de GaN como en los contactos de fuente y drenador. Estos efectos han sido modelados mediante un circuito equivalente (SSEC) modificado, obteniéndose un acuerdo excelente con los parámetros S medidos. La geometría del dispositivo afecta a los valores de los elementos del circuito equivalente y con ello a las frecuencias de corte, siendo la longitud de puerta el parámetro más influyente. Para LG = 75 nm, ft y fmax son 72 y 89 GHz, respectivamente, en los HEMTs estudiados. En los SSDs caracterizados, se ha observado una potencia equivalente del ruido (NEP) de 100 - 500 pW/Hz1=2 y una responsividad de decenas de V/W con una fuente de 50 ohmios. Se ha demostrado una frecuencia de corte de unos 200 GHz junto a una respuesta cuadrática hasta 20 dBm de potencia de entrada. A bajas frecuencias, las medidas RF muestran una responsividad que reproduce bien los cálculos realizados mediante un modelo cuasiestático (QS) basado en la pendiente y la curvatura de las curvas corriente-voltaje. Polarizar los dispositivos aumenta el voltaje detectado a costa del consumo de potencia y la aparición de ruido 1/f. El modelo QS predice que la reducción de la anchura del canal mejora la responsividad, hecho que ha sido confirmado experimentalmente. El aumento del número de diodos en paralelo reduce la impedancia; cuando coincide con el triple de la impedancia de la linea de transmisión o la antena, la NEP alcanza su valor mínimo. Los diodos con puerta (G-SSDs) muestran, en espacio libre a 300 GHz, una responsividad en torno a 600 V/W y una NEP en torno a 50 pW/Hz1=2 cerca del voltaje umbral. De nuevo, se obtiene un buen acuerdo entre los resultados del modelo QS, las medidas a 900 MHz y las medidas en espacio libre a 300 GHz, todo ello por encima de la zona subumbral. La NEP mejora al aumentar el número de canales en paralelo. Se han comparado los resultados de la detección inyectando la señal por el drenador (DCS) y la puerta (GCS) de los HEMTs hasta 40 GHz. Para DCS, se han obtenido una responsividad en torno a 400 V/W y una NEP de 30 pW/Hz1/2, en un HEMT con LG = 150 nm a temperatura ambiente bajo condiciones de polarización nula y puerta polarizada cerca del umbral. Por otro lado, la responsividad se incrementa en GCS hasta 1.4 kV/W, con la desventaja de polarizar con una corriente de drenador de ID = 1.2 mA. Ambas configuraciones muestran una frecuencia de corte, con -3 dB de caída, en torno a 40 GHz. Resulta interesante que en GCS y a unafrecuencia suficientemente alta para cortocircuitar la rama puerta-drenador con la de la no linealidad, se consigue detectar una responsividad no nula. El estudio del autocalentamiento se vuelve relevante cuando los dispositivos trabajan en condiciones de alta potencia. Las simulaciones se han realizado con una herramienta Monte Carlo (MC) desarrollada por el grupo y acoplada con dos modelos térmicos: (i) modelo de resistencia térmica (TRM) y (ii) un modelo electrotérmico avanzado y que se basa en la resolución autoconsistente de la ecuación del calor independiente del tiempo. A temperatura ambiente la herramienta MC se calibró comparando con resultados experimentales de TLMs (transfer length measurement ), lográndose reproducir la densidad supercial de portadores y la movilidad. Incluyendo la resistencia de contactos, la barrera Schottky y la barrera térmica, nuestros resultados se han validado con medidas experimentales de un HEMT de dimensiones LDS = 1.5 micras y LG = 150 nm, encontrándose un acuerdo razonable. El TRM da unos resultados similares al ETM con valores de la resistencia térmica (RTH) bien calibradas. La principal ventaja del ETM es la posibilidad de obtener mapas de temperatura dentro del canal e identificar la localización de los puntos calientes. También se discute el impacto de la polarización en el SSEC y las discrepancias entre los modelos ETM y TRM. Se utilizan medidas pulsadas hasta 500 K para estimar la temperatura del canal y el valor de la RTH. Para T 250 K.Nanoelectrónica de gap ancho y estrecho para la mejora de la eficiencia en aplicaciones de RF y THz (TEC2013-41640-R). Ministerio de Economía y Competitividad (MINECO). Estudio de efectos térmicos en dispositivos de RF. Modelado y caracterización experimental (SA052U13). Consejería de Educación de la Junta de Castilla y León. Emisores y detectores de terahercios basados en nanodiodos semiconductores para comunicaciones e imagen médica y de seguridad (SA022U16). Consejería de Educación de la Junta de Castilla y León. Tecnologías de diodos de GaN para generación y detección en la banda de subterahercios (TEC2017-83910-R). Ministerio de Economía y Competitividad (MINECO). Simulación y caracterización de efectos electrotérmicos en dispositivos de subterahercios para comunicaciones de alta velocidad (SA254P18). Consejería de Educación de la Junta de Castilla y León

High-frequency response and thermal effects in GaN diodes and transistors: modeling and experimental characterization

[ES] Se han analizado diodos autoconmutantes (SSDs) y transitores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de GaN, tanto en el régimen DC como en AC, tanto desde el punto de vista experimental como de simulaciones. Las no linealidades presentes en las curvas corriente-voltaje permiten su operación como detectores de microondas a polarización nula. A pesar de las buenas propiedades del GaN, existen problemas tecnológicos relacionados con defectos, trampas y calentamiento que deben ser investigados para perfeccionar la electrónica de potencia en el futuro. Medidas pulsadas y de transitorios de corriente realizadas sobre el SSD han revelado la influencia de trampas volúmicas y superficiales, observándose anomalías en las características DC e impedancia AC. Los efectos superficiales son relevantes en canales estrechos puesto que la relación superficie-volumen del dispositivo aumenta, mientras que en los dispositivos más anchos prevalece la influencia de las trampas de tipo volúmico. Las medidas muestran un incremento anómalo de la detección a bajas temperaturas, mientras que a altas frecuencias el voltaje detectado muestra una caída que atribuimos a la presencia de trampas de tipo superficial y volúmico. Se ha observado una fuerte dispersión a baja frecuencia tanto de la transconductanciacomo de la conductancia de salida en HEMTs de AlGaN/AlN/GaN en el rango de microondas, que atribuimos a la presencia de trampas y defectos tanto en el volumen de canal de GaN como en los contactos de fuente y drenador. Estos efectos han sido modelados mediante un circuito equivalente (SSEC) modificado, obteniéndose un acuerdo excelente con los parámetros S medidos. La geometría del dispositivo afecta a los valores de los elementos del circuito equivalente y con ello a las frecuencias de corte, siendo la longitud de puerta el parámetro más influyente. Para LG = 75 nm, ft y fmax son 72 y 89 GHz, respectivamente, en los HEMTs estudiados. En los SSDs caracterizados, se ha observado una potencia equivalente del ruido (NEP) de 100 - 500 pW/Hz1=2 y una responsividad de decenas de V/W con una fuente de 50 ohmios. Se ha demostrado una frecuencia de corte de unos 200 GHz junto a una respuesta cuadrática hasta 20 dBm de potencia de entrada. A bajas frecuencias, las medidas RF muestran una responsividad que reproduce bien los cálculos realizados mediante un modelo cuasiestático (QS) basado en la pendiente y la curvatura de las curvas corriente-voltaje. Polarizar los dispositivos aumenta el voltaje detectado a costa del consumo de potencia y la aparición de ruido 1/f. El modelo QS predice que la reducción de la anchura del canal mejora la responsividad, hecho que ha sido confirmado experimentalmente. El aumento del número de diodos en paralelo reduce la impedancia; cuando coincide con el triple de la impedancia de la linea de transmisión o la antena, la NEP alcanza su valor mínimo. Los diodos con puerta (G-SSDs) muestran, en espacio libre a 300 GHz, una responsividad en torno a 600 V/W y una NEP en torno a 50 pW/Hz1=2 cerca del voltaje umbral. De nuevo, se obtiene un buen acuerdo entre los resultados del modelo QS, las medidas a 900 MHz y las medidas en espacio libre a 300 GHz, todo ello por encima de la zona subumbral. La NEP mejora al aumentar el número de canales en paralelo. Se han comparado los resultados de la detección inyectando la señal por el drenador (DCS) y la puerta (GCS) de los HEMTs hasta 40 GHz. Para DCS, se han obtenido una responsividad en torno a 400 V/W y una NEP de 30 pW/Hz1/2, en un HEMT con LG = 150 nm a temperatura ambiente bajo condiciones de polarización nula y puerta polarizada cerca del umbral. Por otro lado, la responsividad se incrementa en GCS hasta 1.4 kV/W, con la desventaja de polarizar con una corriente de drenador de ID = 1.2 mA. Ambas configuraciones muestran una frecuencia de corte, con -3 dB de caída, en torno a 40 GHz. Resulta interesante que en GCS y a unafrecuencia suficientemente alta para cortocircuitar la rama puerta-drenador con la de la no linealidad, se consigue detectar una responsividad no nula. El estudio del autocalentamiento se vuelve relevante cuando los dispositivos trabajan en condiciones de alta potencia. Las simulaciones se han realizado con una herramienta Monte Carlo (MC) desarrollada por el grupo y acoplada con dos modelos térmicos: (i) modelo de resistencia térmica (TRM) y (ii) un modelo electrotérmico avanzado y que se basa en la resolución autoconsistente de la ecuación del calor independiente del tiempo. A temperatura ambiente la herramienta MC se calibró comparando con resultados experimentales de TLMs (transfer length measurement ), lográndose reproducir la densidad super cial de portadores y la movilidad. Incluyendo la resistencia de contactos, la barrera Schottky y la barrera térmica, nuestros resultados se han validado con medidas experimentales de un HEMT de dimensiones LDS = 1.5 micras y LG = 150 nm, encontrándose un acuerdo razonable. El TRM da unos resultados similares al ETM con valores de la resistencia térmica (RTH) bien calibradas. La principal ventaja del ETM es la posibilidad de obtener mapas de temperatura dentro del canal e identificar la localización de los puntos calientes. También se discute el impacto de la polarización en el SSEC y las discrepancias entre los modelos ETM y TRM. Se utilizan medidas pulsadas hasta 500 K para estimar la temperatura del canal y el valor de la RTH. Para T 250 K

Metodología de creación de Asesores Expertos mediante lenguaje MQL4

Doble Grado en Ingeniería Informática y Administración de Empresa

StopAtascos.com

Desarrollo de una aplicación web para compartir coche a diario.Grado en Ingeniería Informática de Servicios y Aplicacione

Eficacia instruccional de diversas herramientas de la web 2.0 en la mejora de competencias ocupacionales

Se analiza la eficacia instruccional de diversas herramientas de la web 2.0 en la mejora de competencias ocupacionales. Para ello, se ha diseñado un programa instruccional, Fomento de Competencias Ocupacionales (FOCO), con el que se pretenden alcanzar diversas competencias ocupacionales todo ello a través de la competencia comunicativa escrita y a partir de varias herramientas de la web 2.0 entre las que se encuentran un “Virtual Learning Environment (VLE) ó Learning Management System (LMS) ó Course Management System (CMS), foro y YouTube”. A las que se añaden otras aplicaciones web. Por tanto, con esta investigación se espera que mejore la competencia digital y en comunicación lingüística escrita de los participantes, que se adquieran diversas competencias tanto básicas como específicas y que se analice el valor de la web como herramienta de enseñanza, de aprendizaje y de intercambio social. Durante la realización de este estudio se recibieron ayudas competitivas del proyecto del MICINN (EDU2010-19250) para el trienio 2010-2013; concedido al IP (J.N. García); así como dos Becas FPI del MICINN adscritas a los proyectos (M. L. Álvarez; J. García Martín).We analyze the instructional effectiveness of various Web 2.0 tools to improve occupational skills. For that purpose, we have designed an instructional program, Occupational Skills Development (FOCO). The student of this program will achieve various occupational skills through written communication competence and from several web 2.0 tools among which are a Virtual Learning Environment (VLE) or Learning Management System (LMS) or Course Management System (CMS), forums and YouTube. To which are added other Web applications. Thus, this research is expected to improve digital competence and written competence of participants, acquired various basic and specific skills and to analyze the value of the web as a tool for teaching, learning and sharing social. We received competitive funds from the Ministry of Innovation, Science and Research MICINN project (EDU2010-19250) for the triennium 2010-2013, awarded to IP (J.N. García) and two FPI Grants MICINN attached to projects (ML Álvarez, J. García Martín)

Contraste de dos modalidades instruccionales en competencia comunicativa escrita: producto y proceso

La presente comunicación tiene como finalidad presentar dos modalidades de instrucción en competencia comunicativa escrita, una focalizada en el producto textual y otra en el proceso escritor, dentro de un programa de instrucción de carácter on-line, en curso, el cual centra sus esfuerzos en el desarrollo de las habilidades ocupacionales relacionadas con la búsqueda de empleo, a través de la capacitación en herramientas específicas para tal fin, considerando el desarrollo de ciertas competencias básicas en la sociedad, como la competencia comunicativa escrita. Durante la realización de este estudio se recibieron ayudas competitivas del proyecto del MICINN (EDU2010- 19250) para el trienio 2010-2013; concedido al IP J. N. García; así como dos Becas FPI del MICINN adscritas a proyectos (M. L. Álvarez; J. García Martín).The current paper has as an objective to present two modalities of writing instruction, one that is focused on the textual product while the other focuses on the writing process. These instructional methods are framed within the format of an online program, which specifically centers its efforts on occupational skills related to the job search, by placing under consideration basic social competencies such as written communication. During the course of this study, we received competitive aids from the MICINN project (EDU2010-19250) for the three-year period of 2010-2013; awarded to IP J. N. García along with two scholarship funds FPI from MICINN assigned to projects (M.L. Álvarez; J. García Martín).MICINN (EDU2010- 19250) 2010-2013. Intervencion educativa en los procesos de escritura a traves de la web 2.0, de los padres y, en adultos con dificultades de aprendizaje.peerReviewe

The development of entrepreneurial alertness in undergraduate students

Purpose. The main goal of this work is to argue the theoretical validity of two competitive models that integrate entrepreneurial alertness in the Theory of Planned Behavior (TPB), and also to propose an explanation for the conceptual approach with a higher explicative ability. Design/Methodology/Approach. A total of 281 undergraduate students participated in the survey, and the data were analyzed using structural equation modeling and competitive models. Findings. The research shows it is possible to defend and test two competing TPB models with entrepreneurial alertness (EA), which alerts other field researchers to consider more than one possibility. The model showing the impact EA has on attitude toward the behavior (ATB) and perceived behavioral control (PBC), as well as the model showing the impact of ATB and PBC on EA are both valid. The shared characteristic of the sample may explain a higher predictive power in the first model. Research limitations/implications. Research limitations/implications. The sample was limited to undergraduate students of one university. Practical implications. For educators and policymakers, these results highlight the need to include content related to EA in entrepreneurship education programs since it could trigger the entrepreneurial process. Originality/value. The paper is the first of its kind to demonstrate competing arguments for the role of EA in TPB

The value of intelligent services and intelligent destination: From the perspective of residents

Destinations are considered brands that must be properly managed to increase not only tourist arrivals but also the quality of life of residents. Brand equity plays an important role in achieving such objectives. Simultaneously, the integration of ICT in the territory has led to the concept of “smart destinations”. In this context, the aim of the paper is to develop a value model of smart destinations from the perspective of residents (key actor of destinations as they project their image and influence the tourist experience). Our model includes smart services related to safety, health, heritage, mobility and environment. Our results confirm that smart destination value is formed by recognition, image, perceived quality and loyalty. In addition, safety, environment and mobility services are the main antecedents of smart destination value

The effect of acquisition parameters in brain spect imaging: a SIMIND Montecarlo study

En este trabajo se simularon imágenes SPECT cerebrales utilizando el código SIMIND Montecarlo. El objetivo específico fue la detección de lesiones características de enfermedad de Alzheimer (EA) y Depresión Mayor (DM) en imágenes simuladas de cerebro, modelando la adquisición de datos de una fuente de 99mTc con una cámara gamma Picker Prism 2000XP. Se configuró un fantoma antropomórfico con lesiones cerebrales compatibles con EA y DM. Los escenarios operacionales se configuraron en base a los parámetros recomendados por las sistemáticas así como en condiciones de trabajo frecuentes en los centros de salud locales. Las simulaciones realizadas verificaron que con la cámara gamma configurada las lesiones patognomónicas de la EA y la DM sólo pueden ser visualizadas si se utilizan colimadores LEHR, distancias paciente/ detector de 16 cm y tiempos de espera post- administración de 45 minutos.In this work cerebral SPECT images were simulated using the SIMIND Monte Carlo code. The specific purpose was the detection of characteristic Alzheimer’s disease (EA) and Major Depression (DM) lesions in simulated brain images, modeling the data acquisition from a source of 99mTc with a gamma camera Picker Prism 2000XP. An anthropomorphic phantom with brain lesions compatible with EA and DM were configured. The operational scenarios were configured on the basis of the frequent parameters recommended by the protocols as well as in working conditions in local health centers. The simulations performed verified that with the setup of the camera gamma, the pathognomonic lesions of EA and DM can only be visualized if LEHR collimators, patient/detector distance of 16 cm and post-administration waiting time of 45 minutes are used.Facultad de Ciencias Exacta