MODELING AND CONTROL OF THE MICROALGAE BIOMASS PRODUCTION PROCESS IN RACEWAY REACTORS.

Tesis doctoral en período de exposición públicaDoctorado en Informática (RD99/11) (8908

VACÍOS URBANOS: Dimensión física o existencial

El desarrollo actual de las ciudades de nuestro país, sin planificación orgánica y con un alto grado de espontaneísmo, configura escenarios que semeja un inmenso cuerpo sin órganos, una morfología urbana y espacial y nuevas formas de ocupación del territorio, fragmentado y discontinuo, con llenos y vacíos que le otorgan una naturaleza particular, en especial en la periferia. Tomando como referencia el caso de Piura y Castilla, nuestro objetivo central fue desarrollar una perspectiva dialéctica de la manera cómo ha evolucionado el pensamiento teórico en el tratamiento de los vacíos urbanos, particularmente en la literatura urbanística, pero sin dejar de lado los aspectos relacionados con la planificación, la gestión y la naturaleza socio-espacial de estos espacios. Metodológicamente, desplegamos todo el esfuerzo para ofrecer un pormenorizado recuento del pensamiento urbanístico sobre la materia, en la perspectiva de un estado del arte que ayude a entender su dinámica. Los resultados confirman dos principales formas de abordaje del tema; la primera, enfoca el fenómeno de los vacíos urbanos, como el resultado de un modelo de ciudad contemporánea, que genera fragmentos y discontinuidad urbana; y, la segunda, como el resultado de una ciudad pos moderna, de una sociedad consumista e indiferente y desde la percepción del vacío como lugar o espacio existencial. Concluimos en el hecho de que ambas orientaciones tienen un valor agregado específico, particularmente la primera, si tomamos en cuenta las características de las ciudades en América Latina y el Perú y porque pueden ser oportunidades valiosas para transformar su actual condición

Determination of Allura Red and Tartrazine in Food Samples by Sequential Injection Analysis Combined with Voltammetric Detection at Antimony Film Electrode

An antimony film electrode prepared on-line and installed as part of a sequential injection system, was used as an electrochemical detector to determine azo dyes in food samples.The influence of several flow varia-bles were evaluated using a centra lcomposite design.In optimal conditions, the linear range of the calibration curve varied from 1–5 mM, with a limit of detection limit of 0.3 mM. The relative standard deviation of analytical repeatability was < 5.0 %.The method was validated by comparing the results obtained with those provided by HPLC; no significant difference were seen.Junta de Castilla y León Proyecto VA171U1

Switching Voltage and Time Statistics of Filamentary Conductive Paths in HfO2-Based ReRAM Devices

Switching voltage and time statistics of HfO2-based one transistor-one resistor structures are investigated with the aim of clarifying the underlying physical mechanism that governs the formation and rupture of filamentary paths in the insulating layer. From the oxide reliability viewpoint, constant and ramped voltage stress experiments provide strong support to the so-called E-model, which is shown to be in line with current theories relating the reversibility of the conduction states in resistive random access memory devices to ionic drift and ultimately to Kramers' escape rate theory. It is shown how the switching statistics can be used to estimate the width and formation energy of the insulating gap along the filament as well as its temperature

Soft breakdown fluctuation events in ultrathin SiO2 layers

When an ultrathin (<5 nm) oxide is subjected to electrical stress, several soft-breakdown events can occur prior to the final dielectric breakdown. After the occurrence of such failure events, the current-voltage (I-V)characteristic corresponds to the superposition of highly conductive spots and background conduction through the undegraded capacitor area. In this conduction regime, the application of a low constant voltage gives rise to large leakage current fluctuations in the form of random telegraph signal. Some of these fluctuations have been identified with ON/OFF switching events of one or more local conduction spots, and not with a modulation of their conductance. The experimental soft-breakdown I-Vcharacteristics are shown to be better understood if the spot conduction is considered to be locally limited by the siliconelectrodes and not by the oxide

A new method for estimating the conductive filament temperature in OxRAM devices based on escape rate theory

Because of the atomic nature of the system under study, an estimation of the temperature of the conductive filament (CF) in OxRAM devices as a function of the applied bias can only be obtained by means of indirect methods, usually electrothermal simulations. In this paper, a heuristic approach that combines time-dependent dielectric breakdown (TDDB) statistics for the electroformed device with field and temperature-assisted ionic transport within the framework of escape rate theory is presented. Extended expressions for the time-to-failure acceleration law (E-model) and for the Kramers' rate compatible both with the standard models at moderate/high biases and with the principle of detailed balance at equilibrium are proposed. An approximate expression for the CF temperature is reported. For the investigated stress voltage range (0.30 V-0.65 V), the estimated CF temperature at the SET condition is found to be in the range 350 K-600 K

Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects

Resistive switching is investigated in TiN/Ti/HfO (10 nm)/TiN devices in series with a NMOS transistor as selector in a 1T1R configuration. A complete electrical characterization of the devices is carried out using DC voltage loops, constant-voltage stressed and pulses with varying voltage amplitude and time width. Good control of the ON resistance is achieved by applying different transistor gate voltages and multiple OFF states are controllably reached by varying the maximum reset voltage. The on/off resistance ratio is successfully controlled by changing the pulse amplitude and time duration. However, significant memory effects are reported, showing that the switching of a device depends on its switching history. Exploring the on/off ratio for different set and reset voltage amplitudes in otherwise identical set/reset pulse experiments is shown to depend on the order of application of the different stress conditions so that the on/off resistance map in the V /V space is not unique. We interpret these results as an evidence of second-order memristive effects

Incorporación de tecnología en educación media y su incidencia en el proceso de aprendizaje en los estudiantes de las instituciones de la Región Oriental : Incorporación de cámaras (fotográficas y de vídeo) y su incidencia en el proceso de aprendizaje en los estudiantes de educación media en el departamento de Morazán

Los avances científicos de la actualidad expresados a través del acelerado desarrollo de la tecnología constituyen un fenómeno que cada día cobra mayor importancia en todas dimensiones del ser humano. El ámbito educativo no es la excepción, hoy día muchas tecnologías sirven de instrumento básico para emprender procesos educativos eficaces con el auxilio de algunos recursos tecnológicos. En nuestro país se ha tornado necesaria la incorporación de tecnología moderna en los distintos niveles educativos; es así como el MINED desde hace algunos años ha impulsado y promovido el proyecto CRA (Centro de Recursos para el Aprendizaje) que consiste principalmente en dotación de tecnología en los niveles básicos y medio. De acuerdo a la importancia y novedad que genera el proyecto antes descrito, surgen inquietudes y cuestionantes relacionadas con el impacto que dicha tecnología ha logrado en el aprendizaje de los estudiantes del nivel medio en el departamento de Morazán. En este sentido la presente investigación enfatiza especialmente en la utilización de cámaras de vídeo y fotográficas con el objeto de conocer todos aquellas fortalezas y debilidades en su uso, tanto técnico como didáctic