Immediate performance of self-etching versus system adhesives with multiple light-activated restoratives

Objectives: The purpose of this study was to evaluate the performance of both single and double applications of (Adper Prompt L-Pop) self-etching dental adhesive, when used with three classes of light-activated restorative materials, in comparison to the performance of each restorative system adhesive. Evaluation parameters to be considered for the adhesive systems were (a) immediate marginal adaptation (or gap formation) in tooth cavities, (b) free setting shrinkage-strain determined by the immediate marginal gap-width in a non-bonding Teflon cavity, and (c) their immediate shear bond-strengths to enamel and to dentin. Methods: The maximum marginal gap-width and the opposing-width (if any) in the tooth cavities and in the Teflon cavities were measured immediately (3 min) after light-activation. The shear bond-strengths to enamel and to dentin were also measured at 3 min. Results: For light-activated restorative materials during early setting (&#60;3 min), application of Adper Prompt L-Pop exhibited generally superior marginal adaptation to most system adhesives. But there was no additional benefit from double application. The marginal-gaps in tooth cavities and the marginal-gaps in Teflon cavities were highly correlated (r=0.86–0.89, p&#60;0.02–0.01). For enamel and dentin shear bond-strengths, there were no significant differences between single and double applications, for all materials tested except Toughwell and Z 250 with enamel. Significance: Single application of a self-etch adhesive was a feasible and beneficial alternative to system adhesives for several classes of restorative. Marginal gap-widths in tooth cavities correlated more strongly with free shrinkage-strain magnitudes than with bond-strengths to tooth structure.</p

Investigation of fuel injection strategies for partially premixed charge combustion in two stroke marine diesel engines

92 σ.Στην παρούσα Διπλωματική Εργασία μελετάται η επίτευξη καύσης μερικώς ομογενοποιημένου μίγματος σε μεγάλο δίχρονο ναυτικό κινητήρα Diesel με χρήση εναλλακτικών στρατηγικών έγχυσης, με κύριο στόχο τη μείωση των εκπομπών οξειδίων του αζώτου (NOx). Κύριο μέσο για την επίτευξη εναλλακτικών στρατηγικών έγχυσης είναι το εισαχθέν και στη ναυτική βιομηχανία σύστημα έγχυσης καυσίμου κοινού συλλέκτη (Common Rail System-CRS). Η χρήση προέγχυσης είναι απαραίτητη, ώστε να δημιουργηθεί μερικώς ομογενοποιημένο μίγμα. Εδώ, γίνεται χρήση προέγχυσης με βασική κατεύθυνση "προς το έμβολο", πριν το ΆΝω Νεκρό Σημείο (ΑΝΣ). Η παρούσα μελέτη είναι υπολογιστική, με κύριο εργαλείο τον κώδικα υπολογιστικής ρευστομηχανικής KIVA-3. Η μελέτη γίνεται για την περιοχή του πλήρους φορτίου σε δύο στάδια. Στο πρώτο στάδιο, μεταβάλλεται παραμετρικά η κατεύθυνση της προέγχυσης από τις οπές των εγχυτήρων και εξετάζεται η επίδραση στις εκπομπές NOx και την ειδική κατανάλωσηκαυσίμου. Από την παραμετρική ανάλυση προκύπτουν ενδεικνύμενες τιμές των γωνιών έγχυσης που καθορίζουν ην κατεύθυνση της έγχυσης καυσίμου κατά την προέγχυση. Οι τιμές αυτές χρησιμοποιούνται στο πλαίσιο του δευτέρου σταδίου, στο οποίο γίνεται βελτιστοποίηση του προφίλ έγχυσης με παρουσία προέγχυσης. Για το σκοπό αυτό, γίνεται σύζευξη του κώδικα KIVA-3 με το λογισμικό βελτιστοποίησης EASY, που είναι βασισμένο σε εξελικτικούς αλγορίθμους. Οι βέλτιστες λύσεις προσδιορίζονται με χρήση της έννοιας του μετώπου Pareto.Εμμανουήλ Ι. Πανανάκη

An Efficient Nonlocal Hot Electron Model Accounting for Electron\u2013Electron Scattering

This paper presents a nonlocal model for channel hot electron injection in MOSFETs and nonvolatile memories, which includes a full-band description of optical phonon scattering rates and carrier group velocity. By virtue of its efficient formalism, this model can also include carrier\u2013carrier scattering, which has a marked impact on gate current at low gate voltages. The model is compared against full-band Monte Carlo simulations of typical NOR flash devices in terms of distribution functions, bulk current, gate current, and gate current density along the channel. A very good agreement is obtained for various drain and gate voltages and channel lengths

An Efficient Nonlocal Hot Electron Model Accounting for Electron\u2013Electron Scattering

This paper presents a nonlocal model for channel hot electron injection in MOSFETs and nonvolatile memories, which includes a full-band description of optical phonon scattering rates and carrier group velocity. By virtue of its efficient formalism, this model can also include carrier\u2013carrier scattering, which has a marked impact on gate current at low gate voltages. The model is compared against full-band Monte Carlo simulations of typical NOR flash devices in terms of distribution functions, bulk current, gate current, and gate current density along the channel. A very good agreement is obtained for various drain and gate voltages and channel lengths