Investigation of the Sm2S3−Cu2S−SiS2 and Er2S3−Cu2S−GeS2 Systems at870 K

Рентгенівським методом порошку досліджено системи Sm2S3−Cu2S−SiS2, Er2S3−Cu2S−GeS2 та побудовано їх ізотермічні перерізи при 870 K. Підтверджено існування тернарних сполук на обмежуючих сторонах при 870 K. У системі Sm2S3−SiS2 встановлено існування нової сполуки Sm3Si1,25S7 (структурний тип Dy3Ge1,25S7, просторова група P63, a = 0,99558(4) нм, c = 0,57069(4) нм). Підтверджено існування тетрарних сполук Sm3CuSiS7 та Er3CuGeS7 у досліджених системах. The Sm2S3−Cu2S−SiS2 and Er2S3−Cu2S−GeS2 systems at 870 K were investigated using X-ray powder diffraction. Isothermal sections of these systems at 870 K were constructed. The existence of ternary compounds on the bound sides was confirmed. The formation of new Sm3Si1,25S7 compound (Dy3Ge1,25S7 structure type, space group P63, a = 0,99558(4) nm, c = 0,57069(4) nm) was established in the Sm2S3−SiS2 system. The existence of quaternary Sm3CuSiS7 and Er3CuGeS7 compounds was confirmed

Investigation of the Sm2S3−Cu2S−SiS2 and Er2S3−Cu2S−GeS2 Systems at870 K

Рентгенівським методом порошку досліджено системи Sm2S3−Cu2S−SiS2, Er2S3−Cu2S−GeS2 та побудовано їх ізотермічні перерізи при 870 K. Підтверджено існування тернарних сполук на обмежуючих сторонах при 870 K. У системі Sm2S3−SiS2 встановлено існування нової сполуки Sm3Si1,25S7 (структурний тип Dy3Ge1,25S7, просторова група P63, a = 0,99558(4) нм, c = 0,57069(4) нм). Підтверджено існування тетрарних сполук Sm3CuSiS7 та Er3CuGeS7 у досліджених системах. The Sm2S3−Cu2S−SiS2 and Er2S3−Cu2S−GeS2 systems at 870 K were investigated using X-ray powder diffraction. Isothermal sections of these systems at 870 K were constructed. The existence of ternary compounds on the bound sides was confirmed. The formation of new Sm3Si1,25S7 compound (Dy3Ge1,25S7 structure type, space group P63, a = 0,99558(4) nm, c = 0,57069(4) nm) was established in the Sm2S3−SiS2 system. The existence of quaternary Sm3CuSiS7 and Er3CuGeS7 compounds was confirmed

Investigation of the Pr2X3–Cu2X–ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) Systems at 870 K.

Ізотермічні перетини систем Pr2X3–Cu2X–ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) при 870 K побудовано за результатами рентгенофазового аналізу. Підтверджено існування тернарних сполук на обмежуючих сторонах та тетрарних сполук R3CuZX7. The isothermal sections of the Pr2X3–Cu2X–ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) systems at 870 K were investigated using X-ray powder diffraction. The existence of ternary compounds on the bound sides was confirmed. The existence of quaternary R3CuZX7 compounds was confirmed in the investigated systems