Using of Enriched Air Blast While Operation of Shaft Furnaces at LLC “Mednogorsk Copper-Sulfur Plant”

In this article we consider the practices of blast smelting of copper-bearing charge with oxygen enriched air blast at Mednogorsk Copper-Sulfur Plant. The degree of air blast enrichment with oxygen has been increased from 30% to 36%, and productivity has raised by 20.1%. The copper content in matte has made up 33.0-35.3%, in dump slag – to 0.5% Cu. We have provided the mass and heat balances of the smelting. We have demonstrated the influence of air blast oxygen enrichment degree on productivity of blast smelting, solid fuel consumption, contents and quantity of smelting products. Keywords: blast smelting, air blast, oxygen enriched, enrichment degree, furnace capacity, specific smelting rate, matte, anthracit

Influence of Shear Deformation on Carbon Onions Stability under High Pressure

The influence of shear deformation on carbon onions stability under high pressure up to 45 GPa was investigated in a Shear Diamond Anvil Cell (SDAC) by the Raman spectroscopy and the Transmission Electron Microscopy (TEM). At shear less then 40 degrees the carbon onions are stable up to 30 GPa. Biger shear deformation leads to increasing of size and destruction of the onions and to formation of sp3 C-C bonds. At pressure exceeded 45 GPa shear deformation leads to diamond-like carbon (DLC) formation. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3501

Structure of TiAlN Reactive Sputtered Coatings

The Raman spectra, X-ray diffraction and hardness of the TiAlN films co-deposited on the steel substrates by reactive sputtering from Ti and Al targets in a mixture of N2 + Ar gas with two magnetrons at room temperature have been studied. From Raman spectra it is found that the position of high-frequency bands in vibrational spectra was located at 700-730 cm 1 or in the region of 830 850 cm 1 depending on the deposition parameters whereas it is not exceed 630 cm 1 from TiAlN of NaCl structure. It is found the two-phase structure of coatings: a small quantity of NaCl-type structure of TiAlN (TiN) and the disordered structure of the chains of polyhedra [TiNx] with x = 5 and x = 4. The chains of polyhedra [TiNx] with x = 4 are mainly formed at large discharge power of Al(Ti) target or at small content of N2 gas. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2492

Main results on nuclear physics obtained at IHEPNF NSC KIPT during the last decade

The main experimental results on nuclear physics obtained at INEPT KIPT during the last decade have been observed

Дослідження процесів швидкого перемикання в структурах на основі телуриду кадмію

Однією з головних вимог до сучасного радіоелектронного обладнання є питання електромагнітної стійкості, що означає здатність підтримувати робочі параметри під час і після дії імпульсного електромагнітного випромінювання різного походження. Проблема забезпечення електромагнітної стійкості пов'язана з тим, що під впливом ЕМ-імпульсів у ланцюгах виникають імпульси перенапруги, що призводять до руйнування напівпровідникових приладів внаслідок як властивостей p-n переходу, так і питомої теплопровідності напівпровідникових матеріалів. У той же час ефекти резистивного перемикання активно використовуються в сучасній електроніці, зокрема, робота мемристорів заснована на резистивному перемиканні в оксидах перехідних металів. Цей ефект резистивного перемикання вже давно спостерігається в CdTe, як на товстих (понад 100 мкм) монокристалічних шарах, так і в тонких полікристалічних плівках. Новизна запропонованої роботи полягає в тому, що процеси перемикання між станами з низькою і високою провідністю в плівках CdTe залежать від різних факторів, таких як товщина плівки, її початкова структура, потужність імпульсу перемикання, властивості контакту. Тонкоплівкові структури на основі CdTe були виготовлені методами вакуумного осадження. Вивчення процесів швидкого перемикання в виготовлених структурах Mo – телурид кадмію – Mo проводилося шляхом вимірювання та подальшої аналітичної обробки їх амплітудно-часових характеристик під дією електромагнітних імпульсів наносекундної тривалості. Встановлено, що прототипи з діаметром металізації 0,5 мм і 6 мм, виготовлені за планарною технологією, мають подібні параметри: час перемикання на рівні 1-2 нс, близькі значення напруги відсікання та хід її залежності від амплітуди імпульсу. Геометрія контактної металізації не впливає на параметри перемикання конструкцій, а при виготовленні елементів захисту від електромагнітних імпульсів на їх основі можна використовувати промислову технологію формування металізації без необхідності її надмірної мініатюризації.One of the main requirements for modern radio electronic equipment is the issue of electromagnetic (EM) stability, which means the ability to maintain operating parameters during and after the action of pulsed EM radiation of various origins. The problem of ensuring EM stability is due to the fact that under the influence of EM pulses, overvoltage pulses appeared in the circuits, which is particularly prone to the destruction of semiconductor devices due to both the properties of the p-n junction and the specific thermal conductivity of semiconductor materials. At the same time, the effects of resistive switching are actively used in modern electronics, in particular, the work of memristors is based on resistive switching in oxides of transition metals. This effect of resistive switching has long been observed in CdTe, both on thick (more than 100 μm) single-crystal layers and in thin polycrystalline films. The novelty of the proposed work consists in the fact that switching processes between low and high conductivity states in CdTe films depend on various factors, such as the film thickness, its initial structure, the power of the switching pulse, and the contact properties. Thin film CdTe based structures were prepared by using vacuum deposition methods. The study of fast switching processes in manufactured Mo – cadmium telluride – Mo structures was carried out by measuring and further analytical processing of their amplitude-time characteristics under the action of EM pulses of nanosecond duration. It was found that the prototypes with a metallization diameter of 0.5 mm and 6 mm, made using the planar technology, have similar parameters: the switching time is at the level of 1-2 ns, similar values of the cutoff voltage and the course of its dependence on the pulse amplitude. The geometry of the contact metallization does not affect the switching parameters of structures, and in the manufacture of protection elements against EM pulses on their basis, an industrial technology for the formation of metallization can be used without the need for its excessive miniaturization

The phase composition, morphology and compressibility of graphene-zirconia composite nanostructured powder

Nanostructured composite particles of nano- and submicron sizes were synthesized by a combination of sol-gel and sonochemical techniques. Their graphene content was 0.8-0.9 wt%. These layered particles consisted of graphene sheets in which zirconia nanocrystals were discretely incorporated. The synthesized powders were characterized using XRD, TEM, HRTEM, diffusion aerosol spectrometry and elemental analysis. A comparison of the compressibility modulus, limit values of linear section deformation and compressibility factor shows that the compressibility of the composite is difficult to achieve compared to that of pure zirconia, apparently, due to the low elasticity of graphene sheets. This journal is © The Royal Society of Chemistry