Pangolins and bats living together in underground burrows in Lopé National Park, Gabon

First paragraph: In light of recent publications (e.g. Lam et al., 2020; Shang et al., 2020) that indicate a link between pangolin and bat coronaviruses related to SARS‐CoV‐2 (severe acute respiratory syndrome coronavirus 2), we believe that recent observations of pangolins and bats sharing burrows in Lopé, Central Gabon, is of general interest. Our observations were made during an ecological and spatial movement study of the giant pangolin, Smutsia gigantea

Nanofabrication with Pulsed Lasers

An overview of pulsed laser-assisted methods for nanofabrication, which are currently developed in our Institute (LP3), is presented. The methods compass a variety of possibilities for material nanostructuring offered by laser–matter interactions and imply either the nanostructuring of the laser-illuminated surface itself, as in cases of direct laser ablation or laser plasma-assisted treatment of semiconductors to form light-absorbing and light-emitting nano-architectures, as well as periodic nanoarrays, or laser-assisted production of nanoclusters and their controlled growth in gaseous or liquid medium to form nanostructured films or colloidal nanoparticles. Nanomaterials synthesized by laser-assisted methods have a variety of unique properties, not reproducible by any other route, and are of importance for photovoltaics, optoelectronics, biological sensing, imaging and therapeutics

Elaboration et caractérisation de couches de germanium épitaxié sur silicium pour la réalisation d'un photodétecteur en guide d'ondes

Optical interconnects is a possible solution to solve the bottleneck of metallic interconnects in microelectronic chips. The aim of this thesis is to realize integrated Ge photodetectors in submicron SOI waveguides and more precisely the determination of an experimental protocol for the selective growth of thin relaxed Ge films on Si (001) by UHV-CVD technique. For optical interconnect applications, the Ge layers must exhibit a good crystalline quality within their whole thickness, an optical absorption coefficient at 1300 nm close to the Ge bulk one, and a weak surface roughness. To fulfill these criteria, the plastic relaxation process must be favored in order to occur within a Ge thickness as low as possible. As shown through the measurement in real time by electron diffraction of the film lattice parameter, this can be achieved at low growth temperature (330°C) after deposition of 16 nm. The low temperature film stabilizes for 30 nm and enables the re-growth of Ge at higher temperature (600°C) without roughening. The increase in growth temperature results in a much higher growth rate, in a drastic improvement in crystalline quality and in a fully relaxed material. The cooling down to room temperature induces a thermal tensile strain. The resulting gap reduction yields to increase the absorption threshold wavelength.The selective growth has also been obtained in SiO2/Si windows and on etched Si lines on SOI substrate using the Ge growth protocol. This thesis work has demonstrated the possibility to use Ge to realize integrated photodetectors on submicron SOI waveguides.Pour pallier la limitation des interconnexions métalliques dans les circuits intégrés CMOS, une des solutions envisagées est d'introduire des interconnexions optiques. L'objet de cette thèse était la réalisation de photodétecteurs Ge intégrés en bout de guides d'onde sur substrats silicium sur isolant (SOI). Le travail a porté principalement sur la mise au point d'un protocole expérimental pour l'épitaxie sélective par UHV-CVD de couches minces de Ge relaxé, présentant un minimum de défauts cristallins sur toute leur épaisseur, une faible rugosité de surface et une absorption optique à 1300 nm proche de celle du Ge massif. Pour satisfaire ces conditions, il est nécessaire de favoriser la relaxation plastique de la couche de Ge sur une très faible épaisseur. A basse température de croissance (330°C), l'observation en temps réél par diffraction électronique montre que la relaxation peut être achevée après dépôt de 16 nm. Cette couche s'avère stable dès environ 30 nm et permet la reprise d'épitaxie de Ge à haute température (600°C). Cette augmentation de température améliore la qualité cristalline, élève la vitesse de croissance et mène à un matériau totalement relaxé. Le retour à température ambiante provoque le développement d'une contrainte en tension. L'abaissement de la bande interdite qui en résulte élève le seuil d'absorption en longueur d'onde. Enfin, ce procédé a été réalisé dans des cuvettes de SiO2/Si et des plots de Si gravés dans du SOI. Une parfaite sélectivité de la croissance est alors obtenue, démontrant ainsi la possibilité d'intégration de photodétecteurs à l'extrémité de microguides d'ondes SOI

Approche holistique dans l’implantation d’un sanctuaire de chimpanzés (Pan troglodytes) au Gabon

Dans le cadre du respect des normes éthiques internationales, le Centre International de Recherches Médicales de Franceville (CIRMF) a décidé il y a plusieurs années d’améliorer les conditions de vie de ses grands singes, gorilles et chimpanzés, en les plaçant dans des sanctuaires au Gabon. Les gorilles ont déjà tous rejoint le Projet Gorille Fernan Vaz (Ogooué Maritime). Les chimpanzés iront dans un sanctuaire dans la région de Gamba (Ogooué Maritime). Une ONG de droit gabonais, indépendante du CIRMF, est en cours de création et les chimpanzés du CIRMF lui seront confiés. Cette ONG se chargera de toute la gestion du projet sur le long terme. L’impact d’un tel projet doit largement dépasser l’objectif de l’amélioration des conditions de vie des chimpanzés. Son développement doit se faire de manière transversale, c’est-à-dire qu’il doit permettre la mise en place d’activités annexes comme le tourisme de vision et l’agriculture dont la production servira à nourrir les chimpanzés, mais également à approvisionner les marchés locaux en fruits et légumes. Les communautés locales sont, en effet, d’autant plus réceptives aux exigences de conservation qu’elles peuvent bénéficier d’une partie des revenus tirés du tourisme et de l’agriculture et c’est donc ce modèle de gestion intégrée où la communauté prend part au projet qui nous donne un gage de succès et de pérennité. Le tourisme de vision s’intègre parfaitement dans cette région du Gabon connue sous le nom de Complexe d’Aires Protégées de Gamba (CAPG) puisqu’elle se situe entre deux parcs nationaux : le parc national de Loango, le joyau des parcs nationaux du Gabon et celui de Moukalaba Doudou, dont la richesse écosystémique présente également un intérêt touristique évident. Non loin de Gamba se situe également la lagune du Fernan Vaz et c’est cet ensemble qui permet d’inscrire notre futur projet dans un circuit touristique cohérent. L’impact du projet agricole sur l’environnement doit être minime et l’approche classique de l’agriculture locale qui consiste à défricher la forêt et brûler les terres pour cultiver doit être évitée. C’est pourquoi nous planifions de développer, en partenariat avec l’Institut Gabonais d’Appui au Développement (IGAD), un projet d’agroécologie de manière à optimiser et pérenniser l’utilisation des terres exploitées. Les défis à relever pour ce projet d’agroécologie sont doubles. Ils tiennent d’abord au fait que ce projet sera implanté dans une région majoritairement sablonneuse où les sols sont pauvres et où des connaissances spécifiques d’agronomie doivent permettre de limiter l’utilisation d’intrants phytosanitaires. D’autre part, la région de Gamba est fortement pourvue en éléphants. Il s’agira alors d’être capable d’éviter les destructions des plantations par ces pachydermes. Montrer qu’il est possible de gérer le conflit hommes/éléphants par la protection efficace des plantations avec des mesures novatrices et la mutualisation des moyens constituera une solution encourageante pour tous les paysans de la sous-région d’Afrique Centrale et un signal très fort pour le milieu de la conservation. En définitive, la valeur intrinsèque de ce projet réside non seulement dans l’amélioration des conditions de vie des chimpanzés du CIRMF, mais également dans la création d’emplois locaux, dans le renforcement de l’offre touristique, dans l’initiation d’un projet agricole dans une région jusque-là peu tournée vers la culture vivrière, et dans l’apport de solutions novatrices pour l’exploitation des terres et la gestion du conflit hommes/éléphants. Nous espérons que cette approche holistique entrainera une adhésion forte de la population locale dont le libre arbitre permettra certainement d’avoir une visibilité sur le long terme dans la gouvernance de ce projet.Je souhaite remercier l’ensemble des personnes qui ont contribué ou qui participent à ce projet et plus particulièrement Anaïs Herbert, Sébastien Koumba de l’Institut Gabonais d’Appui au Développement (IGAD), Debby Cox de Jane Goodall Institute (JGI), Pierre Brice Maganga de World Wide Fund (WWF), Lee Ann Rottman de Tampa’s Lowry Park Zoo, Angélique Todd et Dr Aurélie Flore Koumba Pambo de l’Agence Nationale des Parcs Nationaux (ANPN) et Laura Darby de Great Apes Survival Partnership (GRASP)

Bonobos Have A More Human-Like Second-To-Fourth Finger Length Ratio (2D:4D) Than Chimpanzees: A Hypothesized Indication Of Lower Prenatal Androgens

The ratio of the second-to-fourth finger lengths (2D:4D) has been proposed as an indicator of prenatal sex differentiation. However, 2D:4D has not been studied in the closest living human relatives, chimpanzees (Pan troglodytes) and bonobos (Pan paniscus). We report the results from 79 chimpanzees and 39 bonobos of both sexes, including infants, juveniles, and adults. We observed the expected sex difference in 2D:4D, and substantially higher, more human-like, 2D:4D in bonobos than chimpanzees. Previous research indicates that sex differences in 2D:4D result from differences in prenatal sex hormone levels. We hypothesize that the species difference in 2D:4D between bonobos and chimpanzees suggests a possible role for early exposure to sex hormones in the development of behavioral differences between the two species. © 2009 Elsevier Ltd. All rights reserved

Déflecteur optique pour la réalisation d'un convertisseur analogique-numérique à grande bande passante Principe de fonctionnement du convertisseur analogique-numérique tout optique

National audienceUn concept original de convertisseur analogique-numérique tout optique à grande bande passante repose sur l’utilisation d’un composant d’optique intégrée spécifique consistant en un déflecteur électro-optique hors-plan 1. Celui-ci convertit l’amplitude d’une tension appliquée à ces bornes en une déflexion proportionnelle du faisceau optique défléchi. La technologie retenue pour la fabrication de ce composant utilise les matériaux polymères. Nous présentons ici la mise en place de cette technologie ainsi que son application à la réalisation du déflecteur. De premiers résultats de propagation optique au sein d’un guide ainsi réalisé sont aussi présentés

Angle-dependent ray tracing simulations of reflections on pyramidal textures for silicon solar cells

International audiencePyramidal textures are commonly used to reduce reflections from silicon solar cells and improve light absorption by light trapping. They are generally modelled or characterized under normal incidence. In this work, a monolayer 3D ray tracing program taking into account the polarisation of light have been developed, validated and used to compute the directional-hemispherical reflectance versus the azimuth and incidence angles for both regular upright pyramids and inverted ones, with (111) facets. Results are given for a wavelength of 0.7 µm. They show that this reflectance is not minimal at normal incidence but for an incidence angle near 20 • and that upright pyramids can have a lower hemispherical reflectance than inverted ones for incidence angles in the middle range. The bihemispherical reflectance is 19.6% for regular upright pyramids and 20.7% for inverted ones. The effect of the pyramids aspect ratio on the hemispherical reflectance at normal incidence is also studied. This reflectance decreases with the aspect ratio of both textures. Above an aspect ratio of 0.51, inverted pyramids have a lower hemispherical reflectance. But their bihemispherical reflectance is lower only for aspect ratios below 0.23

Transition coplanaire-microruban ultra-large bande pour la caractérisation de composants opto-hyperfréquence

GDR Ondes, 17-18 janvier 2013, Grenoble, FranceNous présentons une transition coplanaire-microruban (CPW-MS) réalisée sur un matériau diélectrique de type benzocyclobutène (BCB) en couche mince, couramment utilisé en microélectronique. Cette transition, réalisée sans via ni structuration du plan de masse inférieur, simplifie la fabrication des dispositifs opto-hyperfréquences réalisés à partir de matériaux en couche mince et dont le signal est véhiculé par une ligne microruban. C’est le cas, en particulier, des modulateurs électro-optiques à ondes progressives fabriqués sur matériau polymère. Cette transition présente une bande passante expérimentale supérieure à 75 GHz avec une fréquence de coupure basse de seulement 1 GHz

Etude et réalisation d’une transition GCPW-MS-GCPW avec via-hole sur couche mince en polymère

National audienc