Sex- and age-related differences in the management and outcomes of chronic heart failure: an analysis of patients from the ESC HFA EORP Heart Failure Long-Term Registry

Aims: This study aimed to assess age- and sex-related differences in management and 1-year risk for all-cause mortality and hospitalization in chronic heart failure (HF) patients. Methods and results: Of 16 354 patients included in the European Society of Cardiology Heart Failure Long-Term Registry, 9428 chronic HF patients were analysed [median age: 66 years; 28.5% women; mean left ventricular ejection fraction (LVEF) 37%]. Rates of use of guideline-directed medical therapy (GDMT) were high (angiotensin-converting enzyme inhibitors/angiotensin receptor blockers, beta-blockers and mineralocorticoid receptor antagonists: 85.7%, 88.7% and 58.8%, respectively). Crude GDMT utilization rates were lower in women than in men (all differences: P\ua0 64 0.001), and GDMT use became lower with ageing in both sexes, at baseline and at 1-year follow-up. Sex was not an independent predictor of GDMT prescription; however, age >75 years was a significant predictor of GDMT underutilization. Rates of all-cause mortality were lower in women than in men (7.1% vs. 8.7%; P\ua0=\ua00.015), as were rates of all-cause hospitalization (21.9% vs. 27.3%; P\ua075 years. Conclusions: There was a decline in GDMT use with advanced age in both sexes. Sex was not an independent predictor of GDMT or adverse outcomes. However, age >75 years independently predicted lower GDMT use and higher all-cause mortality in patients with LVEF 6445%

Estudio comparativo de la resistencia a la abrasión de alto esfuerzo de recubrimientos utilizados en la reconstrucción de bombas de extracción de crudo

En el presente trabajo de fin de grado se ha realizado un estudio sobre materiales alternativos a los actualmente utilizados en procesos reconstructivos de elementos de máquina sometidos a condiciones abrasivas severas, a saber: (1) recubrimiento de Carburo de Tungsteno-12%Cobalto reforzado con nanotubos de Carbono depositado por HVOF con una película delgada de AlTiN depositada por PVD, y (2) recubrimiento de Carburo de Tungsteno-12%Cobalto reforzado con nanotubos de Carbono depositado por HVOF con una película delgada de DLC depositada por PVD, ambos (1) y (2) depositados sobre un sustrato de acero AISI 1020. Se han caracterizado ambos materiales microestructuralmente mediante microscopía electrónica de barrido (MEB), espectroscopía por dispersión en energías de rayos X (EDS), espectroscopía Raman y difracción de rayos X. Posteriormente se ha realizado un ensayo de durezas para determinar cómo se comporta mecánicamente el recubrimiento de WC-Co, y se ha determinado su dureza absoluta mediante el modelo de Thomas. Finalmente se ha llevado a cabo un estudio comparativo de la resistencia a la abrasión de alto esfuerzo con recubrimientos utilizados en la reconstrucción de bombas de extracción de crudo: (3) Stellite 6 aplicado por MIG, (4) WC Matrix NiCrBSi aplicado por MIG, (5) WC NiCrBSi aplicado por llama subsónica con tratamiento térmico, (6) Alpha Plus + Acero 420, (7) material del rotor de la bomba similar al ASTM A 276, (8) Acero D2. Los materiales de diseño (1) y (2) han mostrado un mejor comportamiento tribológico en comparación al resto. El estudio de dureza y la caracterización microestructural de los recubrimientos de WC-Co de los materiales de diseño (1) y (2) ha revelado que la posterior deposición por PVD de sus respectivas películas delgadas no influye en sus propiedades. La película delgada de AlTiN del material (1) ha presentado una mejor adhesión al WC-Co que la película delgada de DLC del material (2). Palabras Clave: WC-12%Co, CNT´s, desgaste altas cargas

Estudio comparativo de la resistencia a la abrasión de alto esfuerzo de recubrimientos utilizados en la reconstrucción de bombas de extracción de crudo

En el presente trabajo de fin de grado se ha realizado un estudio sobre materiales alternativos a los actualmente utilizados en procesos reconstructivos de elementos de máquina sometidos a condiciones abrasivas severas, a saber: (1) recubrimiento de Carburo de Tungsteno-12%Cobalto reforzado con nanotubos de Carbono depositado por HVOF con una película delgada de AlTiN depositada por PVD, y (2) recubrimiento de Carburo de Tungsteno-12%Cobalto reforzado con nanotubos de Carbono depositado por HVOF con una película delgada de DLC depositada por PVD, ambos (1) y (2) depositados sobre un sustrato de acero AISI 1020. Se han caracterizado ambos materiales microestructuralmente mediante microscopía electrónica de barrido (MEB), espectroscopía por dispersión en energías de rayos X (EDS), espectroscopía Raman y difracción de rayos X. Posteriormente se ha realizado un ensayo de durezas para determinar cómo se comporta mecánicamente el recubrimiento de WC-Co, y se ha determinado su dureza absoluta mediante el modelo de Thomas. Finalmente se ha llevado a cabo un estudio comparativo de la resistencia a la abrasión de alto esfuerzo con recubrimientos utilizados en la reconstrucción de bombas de extracción de crudo: (3) Stellite 6 aplicado por MIG, (4) WC Matrix NiCrBSi aplicado por MIG, (5) WC NiCrBSi aplicado por llama subsónica con tratamiento térmico, (6) Alpha Plus + Acero 420, (7) material del rotor de la bomba similar al ASTM A 276, (8) Acero D2. Los materiales de diseño (1) y (2) han mostrado un mejor comportamiento tribológico en comparación al resto. El estudio de dureza y la caracterización microestructural de los recubrimientos de WC-Co de los materiales de diseño (1) y (2) ha revelado que la posterior deposición por PVD de sus respectivas películas delgadas no influye en sus propiedades. La película delgada de AlTiN del material (1) ha presentado una mejor adhesión al WC-Co que la película delgada de DLC del material (2)

Síntesis y caracterización de nuevos óxidos metálicos para dispositivos Optoelectrónicos

En el presente trabajo de fin de máster se ha realizado un estudio sobre un nuevo óxido metálico transparente semiconductor, el β-Ga2O3, que es susceptible de integración en dispositivos optoelectrónicos para la optimización de sus características. El β-Ga2O3 es un material semiconductor de banda ancha cuyas propiedades, junto con la relativa facilidad de preparación, lo convierten en un punto de reciente atracción para la investigación tanto fundamental como aplicada, así se puede observar en los índices de publicaciones en el área de ingeniería. En el estudio se han depositado capas de óxido de gálio mediante la técnica de deposición física en fase de vapor, esepcíficamente, PLD (deposición por láser pulsado) sobre sustratos de Al-Si-B (comercialmente conocido como Corning) y en presencia de una atmósfera oxidente. Se ha generado una matriz de ocho condiciones de deposición mediante la variación de la presión parcial de oxigeno en la cámara y la temperatura del sustrato, para tratar de encontrar las condiciones óptimas de crecimiento de las capas delgadas y propiedades ópticas y estructurales. Las diferentes condiciones de deposición han sido: (C1) 0,1mbar y 350ºC, (C2) 0,1mbar y 400ºC, (C3) 0,1mbar y 450ºC, (C4) 0,1mbar y 500ºC, (C5) 0,4mbar y 350ºC, (C6) 0,4mbar y 400ºC, (C7) 0,4mbar y 450ºC, (C8) 0,4mbar y 500ºC. Tras la sintetización de las capas delgadas en función de la condición de deposición, se han carectirizado las muestras mediante: difracción por rayos X (XRD), Espectroscopía Raman, Espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS), Microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (FESEM), Microscopía confocal y transmisión de ondas. Finalmente, se ha llevado a cabo un análisis de los resultados obtenidos para determinar la película cuya condición presenta una mayor calidad y transparencia. Los diversos ensayos realizados sobre las muestras han revelado que se ha logrado depositar y sintetizar con éxito el óxido de galio en fase beta en su fase cristalina cúbica y en concreto para la condición C2 la fase cristalina monoclínica. Por otra parte, se ha detectado que existe una relación de correlación fuertemente lineal entre las relaciones estequiométricas de los compuestos y la absorbancia (a mayor proporción de galio mayor absorbancia). Para todos los compuestos sintetizados, se han podido observar valores de absorbancia muy parecidos a los del sustrato sobre el que se ha depositado, lo que implica una muy buena transparencia de las capas. Por último, el tipo de crecimiento de capas hallado ha sido del tipo mixto y las imágenes FESEM de las capas muestras unos espesores compactos, sin defectos ni heterogeneidades, debido a la técnica PLDEn el present treball de fi de màster s'ha realitzat un estudi sobre un nou òxid semiconductor transparent, el β-Ga2O3, que és susceptible d'integració en dispositius optoelectrònics per optimitzar-ne les característiques. El β-Ga2O3 és un material semiconductor de banda ampla, les propietats del qual, juntament amb la relativa facilitat de preparació, el converteixen en un punt de recent atracció per a la recerca, tant fonamental com aplicada, així es ho reflecteixen el índexs de publicacions a l'àrea enginyeria. A l'estudi s'han dipositat capes d'òxid de gal·li mitjançant la tècnica de deposició física en fase de vapor, específicament, PLD (deposició per làser polsat) sobre substrats d'Al-Si-B (comercialment conegut com a Corning) i en presència d'una atmosfera oxidant. S'ha generat una matriu de vuit condicions de deposició mitjançant la variació de la pressió parcial d'oxigen a la cambra i la temperatura del substrat, per intentar trobar les condicions òptimes de creixement de les capes primes, així com de les propietats òptiques i estructurals. Les diferents condicions de deposició han estat: (1) 0,1mbar i 350ºC, (2) 0,1mbar i 400ºC, (3) 0,1mbar i 450ºC, (4) 0,1mbar i 500ºC, (5) 0, 4mbar i 350ºC, (6) 0,4mbar i 400ºC, (7) 0,4mbar i 450ºC, (8) 0,4mbar i 500ºC. Després de la sinterització de les capes primes en funció de la condició de deposició, s'han caracteritzat les mostres mitjançant: difracció per raigs X (XRD), Espectroscòpia Raman, Espectroscòpia de fotoelectrons de raigs X (XPS), Microscòpia electrònica de rastreig d’emissió de camp (FESEM), Microscòpia confocal i transmissió d'ones. Finalment, s'ha realitzat una anàlisi dels resultats obtinguts per determinar la pel·lícula amb aquella condició que presenta una millor qualitat i transparència. Els diversos assaigs realitzats en les mostres han revelat que s'ha aconseguit dipositar i sintetitzar amb èxit l'òxid de gal·li en fase beta a la fase cristal·lina cúbica i en concret per a la condició 2 la fase cristal·lina monoclínica. D'altra banda, s'ha detectat que hi ha una relació de correlació fortament lineal entre les relacions estequiomètriques dels compostos i l'absorbància (a major proporció de gal·li major absorbància). Per a tots els compostos sintetitzats, s'han pogut observar valors d'absorbància molt semblants als del substrat sobre el qual s'ha dipositat, cosa que implica una transparència molt bona de les capes. Finalment, el tipus de creixement de capes trobat ha estat del tipus mixt i les imatges FESEM de les capes mostren uns gruixos compactes, sense defectes ni heterogeneïtats, a causa de la tècnica PLDIn the present master's thesis, a study has been carried out on a new semiconducting transparent metal oxide, β-Ga2O3, which is susceptible to be integrated in a variety of optoelectronic devices for the optimization of its characteristics. The β-Ga2O3 is a wide bandgap semiconductor material whose properties, together with the relative ease of preparation, makes it a point of recent attraction for both fundamental and applied research, as can be seen in the indexes of publications in the engineering area. In the study, gallium oxide layers have been deposited by means of the physical vapor deposition technique, specifically PLD (pulsed laser deposition) on Al-Si-B substrates (commercially known as Corning) and in the presence of an oxidizing atmosphere. A matrix of eight deposition conditions has been generated by varying the oxygen partial pressure in the chamber and the substrate temperature, in order to find out the optimum conditions for thin film growth, optical and structural properties. The following deposition conditions have been used: (1) 0.1mbar and 350ºC, (2) 0.1mbar and 400ºC, (3) 0.1mbar and 450ºC, (4) 0.1mbar and 500ºC, (5) 0.4mbar and 350ºC, (6) 0.4mbar and 400ºC, (7) 0.4mbar and 450ºC, (8) 0.4mbar and 500ºC. After synthesizing the thin films according to the deposition condition, the samples have been characterized by: X-ray diffraction (XRD), Raman Spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM), Confocal and Transmission Wave Microscopy. Finally, an analysis of the results obtained has been carried out to determine the film with the highest quality and transparency. The various tests carried out on the samples, have revealed that the gallium oxide in beta phase has been successfully deposited and synthesized in its cubic crystalline phase and specifically for condition 2 the monoclinic crystalline phase. On the other hand, it has been detected that there is a strongly linear relationship between the stoichiometric ratios of the compounds and the absorbance (the higher the proportion of gallium, the higher the absorbance). For all the compounds synthesized, it has been possible to observe absorbance values very similar to those of the substrate on which they have been deposited, which implies a very good transparency of the layers. Finally, the type of layer growth found has been of the mixed type and the FESEM images of the layers show compact thicknesses, without defects or heterogeneities, due to the PLD techniqu