Özel bir düzenleme olan entegre devre topografyalarının korunması Hakkında Kanunun Degerlendirmesi

112 pagesÖzel Bir Düzenleme Olan Entegre Devre TopografyalarınınKorunması Hakkında Kanunun DegerlendirmesiEntegre devre topografyasının temeli bilgisayar teknolojisine dayanmaktadır veelektiriksel fonksiyonların küçük parçalarda yer alaması ile olusan minyatür bir yapıdır.Entegre devre bu elektiriksel yapının asıl adıdır. Entegre devre topografyası bu yüzyılın enbelirgin teknolojik buluslarından biridir. Bu konu özellikle son 20 yıldır gelismis ve hukukianlamda degerlendirilmeye baslanmıstır. Özellikle fikri mülkiyet alanında yeni gelisen vebugün birçok ülkede yasal düzenlemelere konu olan entegre devre topografyası TürkHukukuna da Entegre Devre Topografyalarının Korunması Hakkında Kanunla konu olmustur.Entegre devre topografyasının ilk olarak hukuki anlamda degerlendirilmeye baslandıgıve yasal düzenlemenin yapıldıgı yer Amerika’dır. Amerika’daki düzenlemede entegre devretopografyasının fikri mülkiyet hukukunun diger bilinen tüm alanlarından farklı oldugusonucuna varılarak özel olarak düzenleme yoluna gidilmistir. Çünkü enter devre topografyasıbilinen, geleneksel fikri mülkiyet hukukunun hiçbir alanına tam olarak uymamaktadir.Amerikadaki bu düzenleme bugün ulusal ve uluslararası anlamda bir çok düzenlemeyeetkilemistir. Bunun sonucunda bir çok ülke kendi hukukuklarında bu yönde özel düzenlemeyapma yolunu tercih etmislerdir. Ayrıca entegre devre topografyası uluslararası anlasmalara,Avrupa Birligi yönergelerine de konu olmustur. Kısa süre içerisinde bir çok hukuk düzenindetartısılan bu konu Türk Hukukuda da yakın zamanda tartısılmaya baslanmıstır.Tezimizde asil üzerinde durdugumuz noktada bu konunun hukuki olarak korunmasıiçin izlenecek yolun degerlendirilmesidir. Ayrıca Türk Hukukunda yeni tartısılmaya baslananbu konu hakkında bilgilerin bir araya getirilmesi amaçlanmaktadır. Bunun için entegredevreler topograyası ile ilgili olarak yapılan özel düzenlemeden yolla çıkarak degerlendirmeyapılmaktadır. Bu nedenle yasal durumu da belirlemek açısından yol gösterici bir kaynakolacagını düsünmekteyiz.Evaluatıon Of Act On The Protectıon Of Topographıes OfMıcroelectronıc Semıconductor Products ( SemıconductorProtectıon Act) Whıch Is A Specıal RegulatıonTopography of semiconductor products is based on computer technology andstructurally it is a miniature structure composed by electrical functions in small pieces.Semiconductor products is the real name of this electrical structure. Topography ofsemiconductor products is one of the most prominent inventions of the present century. Thisarea has developed especially in the last two decades and started to be legally assessed.Topography of semiconductor products which has especially emerged in intellectual propertyarea and been subject to legal regulations in several countries, has also been a subject ofTurkish Law within the law of protection of topographies of semiconductor products.It was the USA where topography of semiconductor products first started to be legallyassessed and the first legal regulations were carried out. In the USA it was concluded thattopography of semiconductor products is different from all other known areas of intellectualproperty law and they carried out a special arrangement because topography of semiconductorproducts does not actually fit into any areas of known traditional intellectual property law.This arrangement in the USA has effected several national and internationalarrangements. Consequently, a number of countries preferred to make special arrangements intheir laws in accordance therewith. Moreover, topography of semiconductor products has alsobeen subject to international agreements as well as EU directives. This issue that has beendiscussed in several law orders has started to be discussed in Turkish law.The main point of our thesis is to assess the way that should be followed to legallyprotect this issue. Moreover, it is aimed to gather information about this issue that has juststarted to be discussed in Turkish law. Therefore, an arrangement is being made by setting outthe special arrangement that has especially been done in relation with the topography ofsemiconductor products. For this reason we are of the opinion that this will be a guidingresource in determining the legal situation.FİKRİ MÜLKYET HAKLARIA. Fikri Mülkiyet Alanındaki Düzenlemeler…………..………………………………111. Eser Sahipligi ve buna baglı haklar……………………… ………………….…112. Markalar…………………………………………………………...……………...143. Patentler ………………………………………………………………………......184. Cografi isaretler…………………………………………………………………..195. Endüstriyel tasarım……………………………………………………………….216. Ticari sırlar ve gizli bilgiler………………………………………………………247. Entegre devre topografyası.…………………………………………...………..25ENTEGRE DEVRE TOPOGRAFYASIA.Entegre Devre Topografyaları1. Tanımı………………………………………………………………..………...….26a) Genel…………………………………………………………………….....26b) Topluluk ve Türk hukukunda…………………………………………...292. Korumanın Önemi ve islevi( gerekçe)………..………………………………….30B. Tarihi Gelisimi1. Dünyadaki…………………………………………………………………………322. Uluslararası Anlasmalarda ……….……………………………………………..393. Avrupa Birligindeki gelisimi……………..……………………………...……….454. Türkiye’de Gelisimi…………..…………………………………………....……..48C. Diger Fikri Mülkiyet Alanları ile karsılastırması………………………………....50ENTEGRE DEVRE TOPOGRAFYALARININ KORUNMASI HAKKINDAKANUN DERGERLENDRLMES(Kanun sistematigi ve madde silsilesine uygun olarak)BRNC BÖLÜMA. Amaç. Kapsam ve Tanımlar……………………………………………………………58B. Korumadan yararlanacak kisiler, Korumanın Konusu, Sartları ve Süresi1. Korumadan Yararlanacak Kisiler…………………………………….……..….622. Korumanın konusu………………………………………………………….……643. Korumanın baslangıcı ve süresi………………………………………...….…….69C. Hak Sahipligi, Hak Sahibini Yetkileri ve Koruma Hakkının Sınırlandırılması1. Hak Sahipligi……………………………...………………………………………722. Hak sahibinin yetkileri……………………………………………………..……..733. Koruma hakkının sınırlandırılması……….……………………………………..76D. Basvuru Sartları ve Tescil1. Basvuru Sartları…………………………………………………………………842. Tescil ve yayımlama……………………………...…………….…………………88KNC BÖLÜMA. Devir, ntikal, Rehin, Haciz ve Lisans1. Devir, ntikal, Rehin ve Haciz……………………………………….……..…….89a) Devir……………………………………………………………….………89b) Rehin………………………………………………………………………90c) ntikal……………………………………………………………...………90d) Adres, Unvan Degisiklikleri, Nev’i Degistirme, Birlesme……………...902. Lisans……………………………………………………………………..………..90a) nhisarı Lisans…………………………………………….………………92b) nhisarı olmayan lisan………………………………………………...….92ÜÇÜNCÜ BÖLÜMA. Hükümsüzlük Halleri, Hakkın Sona Ermesi ve slem Yapma Yetkisi Olanlar1. Hükümsüzlük talebi ve hükümsüzlük halleri………………...…………………932. Hakkın sona erme sebepleri……………………..……………………………….953. Enstitü nezdinde islem yapmaya yetkisi olan kisiler……………..……………..96B. Tecavüz Sayılan Filler, Davalar, Mahkemeler, htiyati Tedbir ve Zamanasımı1. Hakka tecavüz sayılan fiiller………………..………………………………..…..962. Davalar……………..………………………………………………….…………..98I. Hakka tecavüz sayılan fiillerden dolayı açılan davalar…………………98II. Devir talebinde bulunmak için açılan davalar…………………………...99III. Enstitü karalarına karsı itiraz ve açılan davalar………………………...99IV. Tecavüzün yoklugunun tespiti davası…………………………….………993. Mahkemeler…………...……………………………………………………….1004. htiyati tedbir………………..…………………………………………………1015. Zamanasımı …………..………………………………………………………..102DÖRDÜNCÜ BÖLÜMA. Zorunlu Lisansın Genel Sartları ve Sona Ermesi1.Zorunlu lisansın verilme sartı…………..…………………………………………1032.Zorunlu lisansın sona ermesi……………..………………………………..………104BESNC BÖLÜMA. Cezalar ve Sikayet Hakkı1. Hakka tecavüz halinde uygulanacak filler……..………………………………1052. Sikayet hakkına sahip olanlar………….……………………………...………..106SONUÇ…………………………………………………………………………………...…10

Özgün Pinler kullanılarak tasarlanan mükemmel manyetik iletken tabanlı mahfazalar ile elektromanyetik girişimin azaltılması

06.03.2018 tarihli ve 30352 sayılı Resmi Gazetede yayımlanan “Yükseköğretim Kanunu İle Bazı Kanun Ve Kanun Hükmünde Kararnamelerde Değişiklik Yapılması Hakkında Kanun” ile 18.06.2018 tarihli “Lisansüstü Tezlerin Elektronik Ortamda Toplanması, Düzenlenmesi ve Erişime Açılmasına İlişkin Yönerge” gereğince tam metin erişime açılmıştır.Elektromanyetik girişim (EMI) bir cihazın, iletim kanalının, elektronik devrelerin veya herhangi bir sistemin performansını etkileyen elektromanyetik bozulmalardır. Cihazların birbirinden ve çevresel koşullardan veya bir devre elemanının devredeki diğer elemanlardan etkilenmesini engellemek amacıyla uygun muhafaza yöntemi kullanılarak dış ortamdan ve etkilerden yalıtımı sağlanmalıdır. Bu çalışmada mikrodalga modüllerde elektromanyetik girişimin azaltılması konusundaki çalışmalar ve geliştirilen yöntemler incelenmiştir. Farklı pin geometrilerine sahip pinli kapaklar içeren mükemmel manyetik iletken (PMC) tabanlı mahfaza modelleri tasarlanarak pin geometrilerinin elektriksel performans üzerindeki etkileri araştırılmıştır. Fiziksel parametreleri teorik temellere göre hesaplanan kare kesitli pin geometrisinin kullanıldığı model referans olarak seçilmiştir. 10 GHz - 20 GHz frekans bandı düşünülerek tasarlanan referans modelin tüm parametreleri sabitken sadece pin geometrileri değiştirilerek farklı PMC mahfazalar tasarlanmış ve elektromanyetik analizleri yapılmıştır. Düz teller, farklı sayıda helisler ve piramit biçimli yapılarla oluşturulan farklı pin geometrilerinin X, Ku, ve K bantlarındaki frekansa bağlı iletim karakteristikleri karşılaştırılarak frekans bandı ve elektromanyetik izolasyon üzerindeki etkileri incelenmiştir. PMC mahfazayı minyatürleştiren, daha hafif, daha az malzeme gerektiren ve üretimi kolay özgün pin geometrileri önerilmiştir. Önerilen modellerden biri için prototip üretimi ve elektriksel testler yapılarak simülasyon sonuçları doğrulanmıştır.Electromagnetic interference (EMI) is the electromagnetic disturbance that affects the performance of a device, transmission channel, electronic circuits or any system. The devices must be insulated from the external environment and effects by using appropriate packaging method, in order to prevent the devices from being affected by each other and environmental conditions or a circuit element from other elements in the circuit. In this study, the studies and the methods developed about the reduction of electromagnetic interference in microwave modules are examined. The effects of the pin geometries on electrical performance are investigated designing perfect magnetic conductor (PMC) based enclosure models consist of pinned covers with different pin geometries. The model has the square cross-sectioned pin geometry and whose physical parameters are calculated according to the theoretical foundations is selected as reference. While all the parameters of the reference model, which is designed for 10 GHz - 20 GHz frequency band are fixed, different PMC enclosures are designed by changing only the pin geometries and electromagnetic analyzes are done. The effects of different pin geometries formed by straight wires, different number of helices and pyramid shaped structures on frequency band and electromagnetic isolation are investigated by comparing the frequency dependent transmission characteristics in X, Ku, and K bands. Novel pin geometries that miniaturize the PMC enclosures, lighter, require less material and easy to manufacture are proposed. Prototype production and electrical tests were performed for one of the proposed models and the simulation results are verified

DIFFERENCES, ADVANTAGES, AND DISADVANTAGES OF THE METHODS USED IN SMART HOME SYSTEMS

The “Smart Home” concept has appeared in the beginning of 1980s. Today, a smart home is a home that incorporates advanced automation systems to provide the inhabitants with sophisticated monitoring and control over the building’s functions [1]. In these systems, a smart home can control lighting, temperature, multi-media, security, window and door operations as well as providing many other functions. These services, offered by the smart home systems, can be monitored and controlled from the user’s mobile device or over the web [2]. Current study will analyze the advantages and disadvantages of PLC which is used in indoor lightning control, and make a comparison between smart homes that are built with wireless network technology and smart homes that are built with PLC. This comparison assumes that Z-Wave protocol is used for smart homes that are built with wireless network technology

Doğu Asya ülkelerinin ekonomik büyüme dinamiklerinin Türkiye ekonomisi ile karşılaştırmalı analizi

06.03.2018 tarihli ve 30352 sayılı Resmi Gazetede yayımlanan “Yükseköğretim Kanunu İle Bazı Kanun Ve Kanun Hükmünde Kararnamelerde Değişiklik Yapılması Hakkında Kanun” ile 18.06.2018 tarihli “Lisansüstü Tezlerin Elektronik Ortamda Toplanması, Düzenlenmesi ve Erişime Açılmasına İlişkin Yönerge” gereğince tam metin erişime açılmıştır.Bu çalışmada, Doğu Asya ülkeleri olan Tayvan, Singapur ve Güney Kore'nin ekonomik büyüme dinamikleri ile Türkiye ekonomisinin büyüme dinamikleri incelenmiştir. Çalışmanın amacı; Türkiye ekonomisi için alternatif politikalar üretmek, teknoloji ve ihracat odaklı büyüme modelini başarı ile gerçekleştirmiş ülke örneklerini aynı dönemler içerisinde karşılaştırmalı olarak açıklayarak benzerlikleri ortaya koymaktır. Genel olarak bakıldığında dört ülkenin de benzer dönemlerde savaşlar yaşadığı, ekonomik kriz dönemleri yaşadığı görülmektedir. Bu açıdan ülkelerin tarihsel ve ekonomik gelişim açısından benzerlikler taşıması araştırmanın çıkış noktasıdır. Türkiye ile bu ülkelerin temel ayrılık noktası ise; söz konusu Asya ülkelerinin kalkınma süreçlerinde teknolojik gelişmeye ve ihracat odaklı büyümeye verdikleri önemdir. 1960'lardan sonra bu ülkelerde başlayan teknolojiye dayalı ihracat odaklı büyüme stratejisi büyük bir başarı ile gerçekleştirilmiş ve bugün bu ülkeler küresel pazarda, özellikle elektronik alanında söz sahibi olmuşlardır. Çalışmada, seçilmiş Doğu Asya ülkelerinin (Tayvan, Singapur, Güney Kore) ekonomik büyüme süreçleri tarihsel perspektifli olarak sunulmuş ve her ülkenin kendine has kırılma veya yükselme dönemleri baz alınmıştır. İkinci olarak, panel veri analizi ile bu ülkelerin ekonomik büyümelerinde etkili olan değişkenler incelenmiştir. Daha sonrasında, her ülkenin tek tek ekonomik büyümesinde etkili olan değişkenlerin etki yönünü belirlemek amacıyla Granger Nedensellik Testi yapılmıştır. 1996 – 2014 dönemi için Tayvan, Singapur, Güney Kore ve Türkiye'nin; GSYH (bağımlı değişken), Ar-Ge harcamaları, Marka başvuruları, Tasarruf, İthalat ve İhracat serileri (bağımsız değişkenler) ile yapılan panel veri analizi sonucunda bağımlı değişken olan GSYH'yı, modele bağımsız değişkenler olarak dahil edilen, Ar-Ge harcamaları, Marka başvuruları, Tasarruf ve İhracat değişkenlerinin %70 oranında açıkladığı sonucuna varılmıştır.In this study, Economic development dynamics of Some East Asian Countries namely Taiwan, Singapore, and North Korea and Turkey are investigated. The aim of this study is generating alternative politics for Turkish economy and demonstrating similarities while comparing Turkey with the chosen countries which are succeed in technology and export oriented development. In general, these four countries had experienced war and economic crises at the same period of time. From this angle, historical and economical similarities of countries are the beginning point of this research. Differentiation point of Turkey and these countries is that mentioned Asian countries gave importance to technological development and export in their development process. After 1960ies the strategy of export oriented and technology based trade carried out with a huge success and today these countries have an important place in global market especially in electronics. In this study, the process of economic development for selected East Asian Countries (Taiwan, Singapore, South Korea) are presented in historical perspective and based on their specific broken point and expanding. Secondly, with using panel data analysis, variables which are influential on the development of these countries are investigated. Following that, in order to specify the direction of influence of these variables on each country Granger Causality Test is conducted. For 1996 – 2014-time period GSYH (predicted variable), Ar-Ge expendutires, brand appliances, savings, import and export series (predicting variable) of Taiwan, Singapore, the South Korea and Turkey are used in panel analysis. The results showed that the predicted variables), Ar-Ge expenses, trademark applications, savings, Import and Export Series explain 70% variance on predicted variable which is GSYH

N-Cds:(Sn)/P-Cdte:(Cu,N) Heteroeklem Güneş Gözesinin Ultrasonik Spray Pyrolysis Tekniği Ile Üretilmesi Ve Karakterizasyonu

Bu çalışmada, güneş hücreleri yapımının oldukça yaygın üyeleri olan CdS ve CdTe yarıiletken filmleri, ekonomik ve basit kullanımıyla diğer üretim sitemlerinden ayrılan Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği (UKPT) ile 225±5 °C (CdTe) ve 350±5 °C (CdS) sıcaklıklarda ITO tabanlar üzerine üretilmiştir. Üretilen bu filmler farklı katkı atomları ile katkılanarak bazı fiziksel özelliklerindeki değişimlerin gözlenmesi için hazır hale getirilmiştir. Geçirgenlik, soğurma ve yansıma spektrumları alınmış, bu spektrumlardan yararlanarak optik özellikleri belirlenmiştir. Dört uç tekniği kullanılarak filmlerin elektriksel özellikleri incelenmiş ve elektriksel iletkenlikleri hesaplanmıştır. CdTe ince filmlerinin x-ışını kırınım (XRD) desenlerinden faydalanılarak filmlerini polikristal yapıda oldukları belirlenmiştir. İnce filmlerin tercihli yönelimleri hesaplanmıştır. SEM ve AFM analizleri sonucunda CdTe ve CdS ince filmleri için yüzeysel özellikler de belirlenmiştir.In this study, CdS and CdTe semiconductor films which is the most important members of solar cells production were prepared on ITO substrates by Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP) which is simple and low cost technique at substrate temperature of 225±5 °C (CdTe) ve 350±5 °C (CdS). After undoped thin films deposition process, the deposited CdS and CdTe thin films have been doped with different atoms and observed some physical properties. Transmittance, absorption and reflection spectra were taken and these spectrums use to determine optical properties. The electrical properties of the films were measured by four-point probe and determined their electrical resistivities. It has been determined from x-ray diffraction (XRD) patterns that CdTe films have polycrystalline structure. The surface properties of the films were determined by SEM and AFM analysis

MCS-51 TİP MİKROKONTROLLERİN ÇEVRE BİRİMLERİ iLE ALAKALANDIRILMASI VE NUMUNE BİLGİSAYAR KARTININ YAPILMASI

Bu çalışmanın özünü çok amaçlı bir mikrobilgisayar kartının tasarım ve gerçekleştirilmesi oluşturmaktadır. Sanayii otomasyonunda yoğun bir şekilde kullanılan PC veya  mikroişlemci kartları yerine mikrokontroller tabanlı mikrobilgisayar kullanılmasının daha ucuz, daha küçük boyutlu ve daha kullanışlı olacağı fikri bu projeye yön vermiştir. Tasarlanan mikrobilgisayar kartı, piyasada mevcut olan her türlü sensör ile bağlantılı olarak kullanılabilmekte ve bu yolla elde edilen ölçümlerin değerlendirilmesi ve  kontrol objelerinin amaca uygun olarak  yönlendirilebilmesi  mümkün olmaktadır. Bu proje’de gerçekleştirilen mikrobilgisayarda, bir adet 8031 mikrokontroller, bir adet LCD gösterge, 24 tuşlu özel klavye,  PC ile bağlantı kurabilmek için bir adet seri port ve diğer çevre birimleri ile irtibatlandırabilmek için de iki adet 8255 PIA kullanılmıştır. Geliştirilen mikrobilgisayarın kullanımı sayesinde bir PC’ye kıyasla  yaklaşık %65 oranında maliyetin azaltılması, kontrol biriminin küçülmesinden dolayı da daha az yer işgali  ve dolayısıyla kullanımının yaygınlaştırılması hedeflenmiş ve yönde %75 başarı sağlanmıştır

Manyetik rezonans görüntüleme (Mrg) sistemiyle uyumlu, programlanabilir akım kaynağı geliştirilmesi

TÜBİTAK EEEAG Proje01.08.201

EFFECTS OF TRANSITION TO OSCILATORY THERMOCAPILLARY CONVECTION UNDER VARIOUS COLD WALL TEMPERATURES

Bu çalışmada, dikdörtgen kap konfigürasyonu içerisindeki akışkanın farklı soğuk duvar sıcaklıkları altında kararlı yüzey gerilim konveksiyondan osilasyonlu yüzey gerilim konveksiyona geçişi deneysel olarak araştırılmıştır. Deney akışkanı olarak kinematik viskozitesi 5 cSt olan silikon yağı kullanılmış ve bu akışkanın farklı şartlar altında kararlı akış ve sıcaklık osilasyonları incelenmiştir. Farklı şartlar için kritik sıcaklık farkı ölçülmüş ve akış şekilleri mikroskop sistemi sayesinde gözlenmiştir. Akışkanın serbest yüzeyinden ortama olan ısı kaybının osilasyona başlama noktasına olan etkisi araştırılmıştır. In this study, the transition from the steady to oscillatory thermocapillary convection flow of a rectangular container configuration under various cold wall temperatures effects have been investigated experimentally. Steady flow and temperature oscillations were observed under various conditions using 5 cSt silicone oil as a test fluid. The critical temperature differences were measured for various conditions and flow patterns were observed by a microscope system. The effect of heat transfer from the liquid free surface to surrounding air on the onset of the oscillations was investigate