Bu çalışmada, güneş hücreleri yapımının oldukça yaygın üyeleri olan CdS ve CdTe yarıiletken filmleri, ekonomik ve basit kullanımıyla diğer üretim sitemlerinden ayrılan Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği (UKPT) ile 225±5 °C (CdTe) ve 350±5 °C (CdS) sıcaklıklarda ITO tabanlar üzerine üretilmiştir. Üretilen bu filmler farklı katkı atomları ile katkılanarak bazı fiziksel özelliklerindeki değişimlerin gözlenmesi için hazır hale getirilmiştir. Geçirgenlik, soğurma ve yansıma spektrumları alınmış, bu spektrumlardan yararlanarak optik özellikleri belirlenmiştir. Dört uç tekniği kullanılarak filmlerin elektriksel özellikleri incelenmiş ve elektriksel iletkenlikleri hesaplanmıştır. CdTe ince filmlerinin x-ışını kırınım (XRD) desenlerinden faydalanılarak filmlerini polikristal yapıda oldukları belirlenmiştir. İnce filmlerin tercihli yönelimleri hesaplanmıştır. SEM ve AFM analizleri sonucunda CdTe ve CdS ince filmleri için yüzeysel özellikler de belirlenmiştir.In this study, CdS and CdTe semiconductor films which is the most important members of solar cells production were prepared on ITO substrates by Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP) which is simple and low cost technique at substrate temperature of 225±5 °C (CdTe) ve 350±5 °C (CdS). After undoped thin films deposition process, the deposited CdS and CdTe thin films have been doped with different atoms and observed some physical properties. Transmittance, absorption and reflection spectra were taken and these spectrums use to determine optical properties. The electrical properties of the films were measured by four-point probe and determined their electrical resistivities. It has been determined from x-ray diffraction (XRD) patterns that CdTe films have polycrystalline structure. The surface properties of the films were determined by SEM and AFM analysis
