Fast synchronization 3R burst-mode receivers for passive optical networks

This paper gives a tutorial overview on high speed burst-mode receiver (BM-RX) requirements, specific for time division multiplexing passive optical networks, and design issues of such BM-RXs as well as their advanced design techniques. It focuses on how to design BM-RXs with short burst overhead for fast synchronization. We present design principles and circuit architectures of various types of burst-mode transimpedance amplifiers, burst-mode limiting amplifiers and burst-mode clock and data recovery circuits. The recent development of 10 Gb/s BM-RXs is highlighted also including dual-rate operation for coexistence with deployed PONs and on-chip auto reset generation to eliminate external timing-critical control signals provided by a PON medium access control. Finally sub-system integration and state-of-the-art system performance for 10 Gb/s PONs are reviewed

Diseño de front-end de receptor óptimo de alta ganancia y eficiencia de potencia en 0.13 μm de tecnología CMOS de RF para aplicaciones de 10GBPS

Este artículo presenta dos versiones de una RF frontend completa para un receptor óptico de 10Gbps. El RF frontend consiste de un amplificador de transimpedancia y amplificador limitador. Se proponen dos versiones de amplificadores TIA. La primera topología tiene una ganancia de transimpedancia de 54 dB, ancho de banda de 11.5 GHz y una salida de densidad de ruido de corriente de solamente 6.8 pA/√ Hz. La segunda topología esta compuesta de una cascada de dos invertores. Esta topología tiene una ganancia de 48 dB de transimpedancia. El amplificador limitador para ambos receptores ópticos es un amplificador de cinco etapas cherry-hooper con inductores activos optimizados para potencia baja. El amplificador principal tiene 38 dB de ganancia, 9.8 GHz de ancho de banda, 69 mW de consumo de potencia y solamente 0.171 mm2 de área muerta. Esta completa fachada de RF está integrada y tiene 10GHz de ancho de banda. Los circuitos fueron diseñados en 0.13 μm de tecnología CMOS de RF

Broadband Receiver Electronic Circuits for Fiber-Optical Communication Systems

The exponential growth of internet traffic drives datacenters to constantly improve their capacity. As the copper based network infrastructure is being replaced by fiber-optical interconnects, new industrial standards for higher datarates are required. Several research and industrial organizations are aiming towards 400 Gb Ethernet and beyond, which brings new challenges to the field of high-speed broadband electronic circuit design. Replacing OOK with higher M-ary modulation formats and using higher datarates increases network capacity but at the cost of power. With datacenters rapidly becoming significant energy consumers on the global scale, the energy efficiency of the optical interconnect transceivers takes a primary role in the development of novel systems. There are several additional challenges unique in the design of a broadband shortreach fiber-optical receiver system. The sensitivity of the receiver depends on the noise performance of the PD and the electronics. The overall system noise must be optimized for the specific application, modulation scheme, PD and VCSEL characteristics. The topology of the transimpedance amplifier affects the noise and frequency response of the PD, so the system must be optimized as a whole. Most state-of-the-art receivers are built on high-end semiconductor SiGe and InP technologies. However, there are still several design decisions to be made in order to get low noise, high energy efficiency and adequate bandwidth. In order to overcome the frequency limitations of the optoelectronic components, bandwidth enhancement and channel equalization techniques are used. In this work several different blocks of a receiver system are designed and characterized. A broadband, 50 GHz bandwidth CB-based TIA and a tunable gain equalizer are designed in a 130 nm SiGe BiCMOS process. An ultra-broadband traveling wave amplifier is presented, based on a 250 nm InP DHBT technology demonstrating a 207 GHz bandwidth. Two TIA front-end topologies with 133 GHz bandwidth, a CB and a CE with shunt-shunt feedback, based on a 130 nm InP DHBT technology are designed and compared

Design of CMOS transimpedance amplifiers for remote antenna units in fiber-wireless systems.

La memoria de la tesis doctoral: Diseño de Amplificadores de Transimpedancia para Unidades de Antena Remota en Sistemas Fibra-Inalámbrico, se presenta en la modalidad de compendio de Publicaciones. A continuación, se expone un resumen del contexto, motivation y objetivos de la tesis.A lo largo de las últimas décadas, los avances tecnológicos y el esfuerzo por desarrollar nuevos sistemas de comunicaciones han crecido al ritmo que la demanda de información aumentaba a nivel mundial. Desde la aparición de Internet, el tráfico global de datos ha incrementado de forma exponencial y se han creado infinidad de aplicaciones y contenidos desde entonces.Con la llegada de la fibra óptica se produjo un avance muy significativo en el campo de las comunicaciones, ya que la fibra de vidrio y sus características fueron la clave para crear redes de largo alcance y alta velocidad. Por otro lado, los avances en las tecnologías de fabricación de circuitos integrados y de dispositivos fotónicos de alta velocidad han encabezado el desarrollo de los sistemas de comunicaciones ópticos, logrando incrementar la tasa de transmisión de datos hasta prácticamente alcanzar el ancho de banda de la fibra óptica.Para conseguir una mayor eficiencia en las comunicaciones y aumentar la tasa de transferencia, se necesitan métodos de modulación complejos que aprovechen mejor el ancho de banda disponible. No obstante, esta mayor complejidad de la modulación de los datos requiere sistemas con mejores prestaciones en cuanto a rango dinámico y linealidad. Estos esquemas de modulación se emplean desde hace tiempo en los sistemas de comunicaciones inalámbricos, donde el ancho de banda del canal, el aire, es extremadamente limitado y codiciado.Actualmente, los sistemas inalámbricos se enfrentan a una saturación del espectro que supone un límite a la tasa de transmisión de datos. Pese a los esfuerzos por extender el rango frecuencial a bandas superiores para aumentar el ancho de banda disponible, se espera un enorme aumento tanto en el número de dispositivos, como en la cantidad de datos demandados por usuario.Ante esta situación se han planteado distintas soluciones para superar estas limitaciones y mejorar las prestaciones de los sistemas actuales. Entre estas alternativas están los sistemas mixtos fibra-inalámbrico utilizando sistemas de antenas distribuidas (DAS). Estos sistemas prometen ser una solución económica y muy efectiva para mejorar la accesibilidad de los dispositivos inalámbricos, aumentando la cobertura y la tasa de transferencia de las redes a la vez que disminuyen las interferencias. El despliegue de los DAS tendrá un gran efecto en escenarios tales como edificios densamente poblados, hospitales, aeropuertos o edificios de oficinas, así como en áreas residenciales, donde un gran número de dispositivos requieren una cada vez mayor interconectividad.Dependiendo del modo de transmisión de los datos a través de la fibra, los sistemas mixtos fibra-inalámbrico se pueden categorizar de tres formas distintas: Banda base sobre fibra (BBoF), radiofrecuencia sobre fibra (RFoF) y frecuencia intermedia sobre fibra (IFoF). Actualmente, el esquema BBoF es el más utilizado para transmisiones de larga y media distancia. No obstante, utilizar este esquema en un DAS requiere unidades de antena remota (RAU) complejas y costosas, por lo que no está claro que esta configuración pueda ser viable en aplicaciones de bajo coste que requieran de un gran número de RAUs. Los sistemas RFoF e IFoF presentan esquemas más simples, sin necesidad de integrar un modulador/demodulador, puesto que la señal se procesa en una estación base y no en las propias RAUs.El desarrollo de esta tesis se enmarca en el estudio de los distintos esquemas de DAS. A lo largo de esta tesis se presentan varias propuestas de amplificadores de transimpedancia (TIA) adecuadas para su implementación en cada uno de los tres tipos de RAU existentes. La versatilidad y el amplio campo de aplicación de este circuito integrado, tanto en comunicaciones como en otros ámbitos, han motivado el estudio de la implementación de este bloque específico en las diferentes arquitecturas de RAU y en otros sistemas, tales como un receptor de televisión por cable (CATV) o una interfaz de un microsensor inercial capacitivo.La memoria de tesis se ha dividido en tres capítulos. El Capítulo 1 se ha empleado para introducir el concepto de los DAS, proporcionando el contexto y la motivación del diseño de las RAU, partiendo desde los principios básicos de operación de los dispositivos fotónicos y electrónicos y presentando las distintas arquitecturas de RAU. El Capítulo 2 supone el núcleo principal de la tesis. En este capítulo se presenta el estudio y diseño de los diferentes TIAs, que han sido optimizados respectivamente para cada una de las configuraciones de RAU, así como para otras aplicaciones. En un tercer capítulo se recogen los resultados más relevantes y se exponen las conclusiones de este trabajo.Tras llevar a cabo la descripción y comparación de las topologías existentes de TIA, se ha llegado a las siguientes conclusiones, las cuales nos llevan a elegir la topología shunt-feedback como la más adecuada para el diseño: - El compromiso entre ancho de banda, transimpedancia, consumo de potencia y ruido es menos restrictivo en los TIAs de lazo cerrado. - Los TIAs de lazo cerrado tienen un mayor número de grados de libertad para acometer su diseño. - Esta topología presenta una mejor linealidad gracias al lazo de realimentación. Si la respuesta frecuencial del núcleo del amplificador se ajusta de manera adecuada, el TIA shunt-feedback puede presentar una respuesta frecuencial plana y estable.En esta tesis, se ha propuesto una nueva técnica de reducción de ruido, aplicable en receptores ópticos con fotodiodos con un área activa grande (~1mm2). Esta estrategia, que se ha llamado la técnica del fotodiodo troceado, consiste en la fabricación del fotodiodo, no como una estructura única, sino como un array de N sub-fotodiodos, que ocuparían la misma área activa que el original. Las principales conclusiones tras hacer un estudio teórico y realizar un estudio de su aplicación en una de las topologías de TIA propuestas son: - El ruido equivalente a la entrada es menor cuanto mayor es el número de sub-fotodiodos, dado que la contribución al ruido que depende con el cuadrado de la frecuencia (f^2) decrece con una dependencia proporcional a N. - Con una aplicación simple de la técnica, replicando el amplificador de tensión del TIA N veces y utilizando N resistencias de realimentación, cada una con un valor N veces el original, la sensibilidad del receptor aumenta aproximadamente en un factor √N y la estabilidad del sistema no se ve afectada. - Al dividir el fotodiodo en N sub-fotodiodos, la capacidad parásita de cada uno de ellos es N veces menor a la original. Con esta nueva capacidad parásita, el diseño del TIA se puede optimizar, consiguiendo una sensibilidad mucho mejor que con un único fotodiodo para el mismo valor de consumo de potencia.Las principales conclusiones respecto a los diseños de los distintos TIAs para comunicaciones son las siguientes: TIA para BBoF: - El TIA propuesto, alcanza, con un consumo de tan solo 2.9 mW, un ancho de banda de 1 GHz y una sensibilidad de -11 dBm, superando las características de trabajos anteriores en condiciones similares (capacidad del fotodiodo, tecnología y tasa de transmisión). - La técnica del fotodiodo troceado se ha aplicado a este circuito, consiguiendo una mejora de hasta 7.9 dBm en la sensibilidad para un diseño optimizado de 16 sub-fotodiodos, demostrando, en una simulación a nivel de transistor, que la técnica propuesta funciona correctamente. TIA para RFoF: - El diseño propuesto logra una figura de mérito superior a la de trabajos previos, gracias a la combinación de su bajo consumo de potencia y su mayor transimpedancia. - Además, mientras que en la mayoría de trabajos previos no se integra un control de ganancia en el TIA, esta propuesta presenta una transimpedancia controlable desde 45 hasta 65 dBΩ. A través de un sistema de control simultáneo de la transimpedancia y de la ganancia en lazo abierto del amplificador de voltaje, se consigue garantizar una respuesta frecuencial plana y estable en todos los estados de transimpedancia, que le otorga al diseño una superior versatilidad y flexibilidad. TIA para CATV: - Se ha adaptado una versión del TIA para RFoF para demostrar la capacidad de adaptación de esta estructura en una implementación en un receptor CATV con un rango de control de transimpedancia de 18 dB. - Con la implementación del control de ganancia en el TIA, no es necesario el uso de un atenuador variable en el receptor, simplificando así el número de etapas del mismo. - Gracias al control de transimpedancia, el TIA logra rangos de entrada similares a los publicados en trabajos anteriores basados en una tecnología mucho menos accesible como GaAs PHEMT. TIA para IFoF Se ha fabricado un chip en una tecnología CMOS de 65 nm que opera a 1.2 V de tensión de alimentación y se ha realizado su caracterización eléctrica y óptica. - El TIA presenta una programabilidad de su transimpedancia con un control lineal en dB entre 60 y 76 dBΩ mediante un código termómetro de 4 bits. - El ancho de banda se mantiene casi constante en todo el rango de transimpedancia, entre 500 y 600 MHz.Como conclusión general tras comparar el funcionamiento de los TIAs para las distintas configuraciones de RAU, vale la pena mencionar que el TIA para IFoF consigue una figura de mérito muy superior a la de otros trabajos previos diseñados para RFoF. Esto se debe principalmente a la mayor transimpedancia y al muy bajo consumo de potencia del TIA para IFoF propuesto. Además, se consigue una mejor linealidad, ya que, para una transmisión de 54 Mb/s con el estándar 802.11a, se consigue un EVM menor de 2 % en un rango de entrada de 10 dB, comparado con los entre 3 y 5 dB reportados en trabajos previos. El esquema IFoF presenta un gran potencial y ventajas frente al RFoF, lo que lo coloca como una buena alternativa para disminuir los costes y mejorar el rendimiento de los sistemas de antenas distribuidas.Por último, cabe destacar que el diseño de TIA propuesto y fabricado para IFoF contribuye en gran medida al desarrollo y validación de una RAU completa. Se ha demostrado la capacidad de la estructura propuesta para alcanzar un bajo ruido, alta linealidad, simplicidad en la programabilidad de la transimpedancia y adaptabilidad de la topología para diferentes requisitos, lo cual es de un gran interés en el diseño de receptores ópticos.Por otra parte, una versión del TIA para su uso en una interfaz de sensores MEMS capacitivos se ha propuesto y estudiado. Consiste en un convertidor capacidad-voltaje basado en una versión del TIA para RFoF, con el objetivo de conseguir un menor ruido y proveer de una adaptabilidad para diferentes sensores capacitivos. Los resultados más significativos y las conclusiones de este diseño se resumen a continuación: - El TIA presenta un control de transimpedancia con un rango de 34 dB manteniendo el ancho de banda constante en 1.2 MHz. También presenta un control independiente del ancho de banda, desde 75 kHz hasta 1.2 MHz, manteniendo la transimpedancia fija en un valor máximo. - Con un consumo de potencia de tan solo 54 μW, el TIA alcanza una sensibilidad máxima de 1 mV/fF, que corresponde a una sensibilidad de 4.2 mV/g y presenta un ruido de entrada de tan solo 100 µg/√("Hz" ) a 50 kHz en la configuración de máxima transimpedancia.La principal conclusión que destaca de este diseño es su versatilidad y flexibilidad. El diseño propuesto permite adaptar fácilmente la respuesta de la interfaz a una amplia gama de dispositivos sensores, ya que se puede ajustar el ancho de banda para ajustarse a distintas frecuencias de operación, así como la transimpedancia puede ser modificada para conseguir distintas sensibilidades. Este doble control independiente de ancho de banda y transimpedancia le proporcionan una adaptabilidad completa al TIA.<br /

Wideband integrated circuits for optical communication systems

The exponential growth of internet traffic drives datacenters to constantly improvetheir capacity. Several research and industrial organizations are aiming towardsTbps Ethernet and beyond, which brings new challenges to the field of high-speedbroadband electronic circuit design. With datacenters rapidly becoming significantenergy consumers on the global scale, the energy efficiency of the optical interconnecttransceivers takes a primary role in the development of novel systems. Furthermore,wideband optical links are finding application inside very high throughput satellite(V/HTS) payloads used in the ever-expanding cloud of telecommunication satellites,enabled by the maturity of the existing fiber based optical links and the hightechnology readiness level of radiation hardened integrated circuit processes. Thereare several additional challenges unique in the design of a wideband optical system.The overall system noise must be optimized for the specific application, modulationscheme, PD and laser characteristics. Most state-of-the-art wideband circuits are builton high-end semiconductor SiGe and InP technologies. However, each technologydemands specific design decisions to be made in order to get low noise, high energyefficiency and adequate bandwidth. In order to overcome the frequency limitationsof the optoelectronic components, bandwidth enhancement and channel equalizationtechniques are used. In this work various blocks of optical communication systems aredesigned attempting to tackle some of the aforementioned challenges. Two TIA front-end topologies with 133 GHz bandwidth, a CB and a CE with shunt-shunt feedback,are designed and measured, utilizing a state-of-the-art 130 nm InP DHBT technology.A modular equalizer block built in 130 nm SiGe HBT technology is presented. Threeultra-wideband traveling wave amplifiers, a 4-cell, a single cell and a matrix single-stage, are designed in a 250 nm InP DHBT process to test the limits of distributedamplification. A differential VCSEL driver circuit is designed and integrated in a4x 28 Gbps transceiver system for intra-satellite optical communications based in arad-hard 130nm SiGe process

Inductorless CMOS Receiver Front-End Circuits for 10-Gb/s Optical Communications

[[abstract]]In this paper, a 10-Gb/s inductorless CMOS receiver front end is presented, including a transimpedance amplifier and a limiting amplifier. The transimpedance amplifier incorporates Regulated Cascode (RGC), active-inductor peaking, and intersecting active feedback circuits to achieve a transimpedance gain of 56 dB and a bandwidth of 8.27 GHz with a power dissipation of 35 mW. The limiting amplifier employs interleaving active feedback to achieve a differential voltage gain of 44.5 dB and a bandwidth of 10.3 GHz while consuming 226 mW. Both circuits are realized in 0.18- m CMOS technology with a 1.8-V supply.[[notice]]補正完畢[[incitationindex]]EI[[booktype]]紙

Um amplificador de transimpedância de ganho variável para aplicação em osciladores baseados em MEMS

Orientador: José Alexandre DinizDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoResumo: Um amplificador de transimpedância (TIA) de ganho variável é apresentado. Implementado em tecnologia 0,18 'mi'm, o projeto relatado possui a finalidade de prover um amplificador de sustentação para osciladores baseados em ressonadores do tipo MEMS (Micro-Electro-Mechanical System). Entre outros, as peculiaridades de projeto envolvem um desafiante compromisso entre Ganho, Largura de Banda, Ruído e Consumo de potência. Sendo assim, o amplificador foi implementado através do cascateamento de quatro estágios de ganho similares, lançando-se mão de realimentação do tipo shunt-shunt para diminuir as impedâncias de entrada e saída. Através do emprego de um estágio de ganho variável, uma alta faixa dinâmica de ganho é alcançada (53 dB), com um ganho máximo de transimpedância de 118 dB'ômega'...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digitalAbstract: A variable gain Transimpedance Amplifier (TIA) is presented. Realized in 0.18 'mi'm technology, this amplifier was conceived with the purpose of providing oscillation sustaining for Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) based oscillators. Facing a quite challenging trade-off between Gain, Bandwidth, Noise and Power consumption, the TIA was implemented through the cascade of four similar gain stages, with the application of shunt-shunt feedback to lower both input and output resistances. With the employment of a variable-gain stage, this TIA presents a large gain tunability of 53 dB, with a also large maximum transimpedance gain of 118 dB'omega'...Note: The complete abstract is available with the full electronic documentMestradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaMestre em Engenharia Elétric

Design of a low-noise optoelectronic amplifier channel for a laser radar

Abstract. The goal of this Master’s thesis is to find and develop the best topologies and circuit structures for a low-noise amplifier channel for a laser radar application. In this work different topologies, their strengths, weaknesses and challenges are studied. Low-noise optoelectronic amplifier channels have been used extensively in a variety of applications such as wireless communication, optical receivers and laser radar. The common constraint for all the mentioned applications is the noise. The optical input signal for optoelectronic receivers can be very weak. In order to detect the signal reliably and accurately, the receiver must not add significant noise to the input signal. Therefore, this thesis concentrates on improving the signal to noise ratio (SNR) by minimizing the noise sources, filtering the high frequency noise and amplifying the signal. In addition, the delay of the whole channel should be constant with respect to signal strength, supply voltage etc. variations. This low-noise optoelectronic amplifier channel can be employed in a laser radar to detect the distance of several kilometers.Pienikohinaisen optoelektronisen vahvistinkanavan suunnittelu lasertutkasovellukseen. Tiivistelmä. Tämän diplomityön tavoitteena on etsiä ja kehittää sopivia piiriratkaisuja ja -rakenteita lasertutkan pienikohinaiseen vahvistinkanavaan. Työssä tutkittiin eri rakenteita, niiden vahvuuksia, heikkouksia ja haasteita. Pienikohinaisia optoelektronisia vahvistinkanavia on käytetty paljon useissa sovelluksissa kuten langattomassa viestinnässä, optisissa vastaanottimissa ja lasertutkissa. Näissä sovelluksissa yhteisenä haasteena on kohina. Optoelektronisen vastaanottimen tulosignaali voi olla hyvin heikko, joten tarkan ja luotettavan vastaanoton varmistamiseksi vastaanottimen itsessään tulee olla hyvin pienikohinainen. Tässä työssä keskityttiinkin signaalikohinasuhteen (SNR) optimointiin minimoimalla itse kohinalähteet, suodattamalla korkeataajuista kohinaa ja vahvistamalla signaalia. Lisäksi koko kanavan viive oli pidettävä mahdollisimman vakiona eri signaalitasoilla, eri lämpötiloissa, eri käyttöjännitteillä jne. Työssä kehitettyä optoelektronista vahvistinkanavaa voidaan käyttää lasertutkissa mittaamaan etäisyyksiä kilometrien päässä oleviin kohteisiin