4 research outputs found
A 128-bit Chip Identification Generating Scheme Exploiting Load Transistors' Variation in SRAM Bitcells
textabstractObjective: Women with a history of bipolar disorder or postpartum psychosis are at extremely high risk of relapse postpartum. Although lithium prophylaxis has demonstrated efficacy in reducing postpartum relapse, the timing of prophylaxis remains controversial given the balance of risks and benefits for the mother and fetus. The authors compared lithium use during pregnancy to its initiation postpartum in women at high risk for postpartum psychosis. Method: Between 2003 and 2010, 70 pregnant women at high risk for postpartum psychosis were referred to the authors' psychiatric outpatient clinic. Women who were initially medication free were advised to start lithium prophylaxis immediately postpartum. Women already taking maintenance lithium during pregnancy were advised to continue treatment. Results: All women with a history of psychosis limited to the postpartum perio
Contributions on using embedded memory circuits as physically unclonable functions considering reliability issues
[eng] Moving towards Internet-of-Things (IoT) era, hardware security becomes a crucial
research topic, because of the growing demand of electronic products that are remotely
connected through networks. Novel hardware security primitives based on
manufacturing process variability are proposed to enhance the security of the IoT
systems. As a trusted root that provides physical randomness, a physically unclonable
function is an essential base for hardware security.
SRAM devices are becoming one of the most promising alternatives for the
implementation of embedded physical unclonable functions as the start-up value of
each bit-cell depends largely on the variability related with the manufacturing process.
Not all bit-cells experience the same degree of variability, so it is possible that some cells
randomly modify their logical starting value, while others will start-up always at the
same value. However, physically unclonable function applications, such as identification
and key generation, require more constant logical starting value to assure high reliability
in PUF response. For this reason, some kind of post-processing is needed to correct the
errors in the PUF response.
Unfortunately, those cells that have more constant logic output are difficult to be
detected in advance. This work characterizes by simulation the start-up value
reproducibility proposing several metrics suitable for reliability estimation during design
phases. The aim is to be able to predict by simulation the percentage of cells that will be
suitable to be used as PUF generators. We evaluate the metrics results and analyze the
start-up values reproducibility considering different external perturbation sources like several power supply ramp up times, previous internal values in the bit-cell, and
different temperature scenarios. The characterization metrics can be exploited to
estimate the number of suitable SRAM cells for use in PUF implementations that can be
expected from a specific SRAM design.[cat] En l’era de la Internet de les coses (IoT), garantir la seguretat del hardware ha
esdevingut un tema de recerca crucial, en especial a causa de la creixent demanda de
productes electrònics que es connecten remotament a través de xarxes. Per millorar la
seguretat dels sistemes IoT, s’han proposat noves solucions hardware basades en la
variabilitat dels processos de fabricació. Les funcions fÃsicament inclonables (PUF)
constitueixen una font fiable d’aleatorietat fÃsica i són una base essencial per a la
seguretat hardware.
Les memòries SRAM s’estan convertint en una de les alternatives més prometedores per
a la implementació de funcions fÃsicament inclonables encastades. Això és aixà ja que el
valor d’encesa de cada una de les cel·les que formen els bits de la memòria depèn en
gran mesura de la variabilitat pròpia del procés de fabricació. No tots els bits tenen el
mateix grau de variabilitat, aixà que algunes cel·les canvien el seu estat lògic d’encesa de
forma aleatòria entre enceses, mentre que d’altres sempre assoleixen el mateix valor
en totes les enceses. No obstant això, les funcions fÃsicament inclonables, que s’utilitzen
per generar claus d’identificació, requereixen un valor lògic d’encesa constant per tal
d’assegurar una resposta fiable del PUF. Per aquest motiu, normalment es necessita
algun tipus de postprocessament per corregir els possibles errors presents en la resposta
del PUF. Malauradament, les cel·les que presenten una resposta més constant són
difÃcils de detectar a priori.
Aquest treball caracteritza per simulació la reproductibilitat del valor d’encesa de cel·les
SRAM, i proposa diverses mètriques per estimar la fiabilitat de les cel·les durant les fases de disseny de la memòria. L'objectiu és ser capaç de predir per simulació el percentatge
de cel·les que seran adequades per ser utilitzades com PUF. S’avaluen els resultats de
diverses mètriques i s’analitza la reproductibilitat dels valors d’encesa de les cel·les
considerant diverses fonts de pertorbacions externes, com diferents rampes de tensió
per a l’encesa, els valors interns emmagatzemats prèviament en les cel·les, i diferents
temperatures. Es proposa utilitzar aquestes mètriques per estimar el nombre de cel·les
SRAM adients per ser implementades com a PUF en un disseny d‘SRAM especÃfic.[spa] En la era de la Internet de las cosas (IoT), garantizar la seguridad del hardware se ha
convertido en un tema de investigación crucial, en especial a causa de la creciente
demanda de productos electrónicos que se conectan remotamente a través de redes.
Para mejorar la seguridad de los sistemas IoT, se han propuesto nuevas soluciones
hardware basadas en la variabilidad de los procesos de fabricación. Las funciones
fÃsicamente inclonables (PUF) constituyen una fuente fiable de aleatoriedad fÃsica y son
una base esencial para la seguridad hardware.
Las memorias SRAM se están convirtiendo en una de las alternativas más prometedoras
para la implementación de funciones fÃsicamente inclonables empotradas. Esto es asÃ,
puesto que el valor de encendido de cada una de las celdas que forman los bits de la
memoria depende en gran medida de la variabilidad propia del proceso de fabricación.
No todos los bits tienen el mismo grado de variabilidad. Asà pues, algunas celdas cambian
su estado lógico de encendido de forma aleatoria entre encendidos, mientras que otras
siempre adquieren el mismo valor en todos los encendidos. Sin embargo, las funciones
fÃsicamente inclonables, que se utilizan para generar claves de identificación, requieren
un valor lógico de encendido constante para asegurar una respuesta fiable del PUF. Por
este motivo, normalmente se necesita algún tipo de posprocesado para corregir los
posibles errores presentes en la respuesta del PUF. Desafortunadamente, las celdas que
presentan una respuesta más constante son difÃciles de detectar a priori.
Este trabajo caracteriza por simulación la reproductibilidad del valor de encendido de
celdas SRAM, y propone varias métricas para estimar la fiabilidad de las celdas durante las fases de diseño de la memoria. El objetivo es ser capaz de predecir por simulación el
porcentaje de celdas que serán adecuadas para ser utilizadas como PUF. Se evalúan los
resultados de varias métricas y se analiza la reproductibilidad de los valores de
encendido de las celdas considerando varias fuentes de perturbaciones externas, como
diferentes rampas de tensión para el encendido, los valores internos almacenados
previamente en las celdas, y diferentes temperaturas. Se propone utilizar estas métricas
para estimar el número de celdas SRAM adecuadas para ser implementadas como PUF
en un diseño de SRAM especÃfico