Gene switching rate determines response to extrinsic perturbations in the self-activation transcriptional network motif

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Sistema de alineación de patrones en un sustrato mediante litografía por esténcil

[EN] The invention relates to a system for aligning two or more patterns on a substrate using vacuum stencil lithography , such as to obtain optimum alignment precision. More specifically, the invention relates to a patternalignment system in wich a mass sensor, wich can detect material emitted, is placed in a known position of the stencil can be ascertained as a function of the signal emitted by the sensor.[ES] El objeto principal de la presente invención es un sistema para alinear dos o más patrones en un sustrato utilizando litografía por esténcil en vacío, de modo que se consigue una precisión de alineación óptima. Más particularmente, se trata de un sistema de alineación de patrones basado en disponer un sensor de masa capaz de detectar el material emitido en una posición conocida detrás del esténcil, de modo que se conoce la posición de este último en función de la señal emitida por el sensor.Peer reviewedConsejo Superior de Investigaciones Científicas (España), Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)A1 Solicitud de patentes con informe sobre el estado de la técnic