La religiosidad en el Trabajo Social: el abordaje desde la FTS, UNLP

En el siguiente trabajo intentaremos dar cuenta de cuestionamientos que fuimos construyendo durante este espacio en el que transitamos y a lo largo de la carrera: teniendo en cuenta que las creencias religiosas ocupan un lugar central en la vida cotidiana de buena parte los sectores sociales con los que los y las Trabajadores Sociales intervienen ¿es necesario el abordaje académico del fenómeno de la religiosidad? ¿Qué herramientas se aportan desde la formación para comprenderlo? ¿Cómo se podría incluir el análisis de la religiosidad al plan de estudio? Y ¿de qué manera podemos evitar caer en las lógicas silenciadoras de aquellos sujetos que practican una creencia?. Para desarrollar estas preguntas el trabajo estará dividido en dos ejes centrales: el primero será un acercamiento a la religiosidad en nuestro país, desarrollando el porcentaje que representa las creencias de las personas, en qué creen, por qué se considera importante la religiosidad, qué relación existe entre la misma y la cotidianeidad de las personas, y qué relación existe con el Trabajo Social. El segundo eje dará cuenta de cómo este fenómeno se presenta en el plan de estudios de la Licenciatura en Trabajo Social en Facultad de Trabajo Social, UNLP, específicamente, en las materias troncales de la carrera (comprendiendo que éstas son transversales a las demás asignaturas de la formación). Para complementar este análisis, además de investigar en los programas de estudio también tomaremos como recurso la palabra de los/las Profesores/as Titulares de dichas cátedras. Para ello previamente hemos armado una serie de preguntas para que los/las entrevistados/as puedan explayarse y contarnos cómo la religiosidad se presenta realmente en las horas de clases y en el campo de intervención. Y finalmente para concluir daremos cuenta de por qué consideramos como futuras trabajadoras sociales considerar de manera importante el análisis de la religiosidad desde nuestra formación de grado.Eje temático 2: Territorialidad, sujetos colectivos, procesos de resistencia y organización.Grupo de trabajo 16: Más allá de la racionalidad académica: lo sagrado y lo secular en el pensamiento, la acción y la intervención social.Facultad de Trabajo Socia

Feminización de los cuidados, enfermería y pandemia : ¿Quién cuida a quienes nos cuidan?

El objetivo de esta ponencia radica en reflexionar acerca de los riesgos psicosociales de la enfermería a raíz del contexto de pandemia que actualmente estamos atravesando a nivel mundial, haciendo especial énfasis en cómo esto se recrudece teniendo en cuenta que se trata de una profesión feminizada y que dicha feminización de las tareas de cuidado y de reproducción social se traslada al ámbito de lo doméstico, cristalizandose en una doble -o incluso triple- jornada laboral para las mujeres (que además las tareas domésticas no son remuneradas ni reconocidas en tanto trabajo).Mesa de trabajo 11: Salud Eje temático 5: Salud colectivaFacultad de Trabajo Socia

Vertical-Tunnel-Junction (VTJ) Solar Cell for Ultra-High Light Concentrations (>2000 Suns)

A novel architecture of cell structure tailored to ultra-high (>2000 suns) concentration ratios is proposed. The basic solar cell consists of two p-n junctions connected in series by a highly doped tunnel diode with the metallic contacts located laterally. The tunneling connection allows using direct band-gap semiconductor compounds aiming to optimize the absorption of the spectrum. The performance of the novel architecture is investigated up to ultra-high concentration using TCAD software. Simulations show its viability for developing a new generation of solar cells to increase the potential in terms of efficiency and cost reduction of ultra-high concentrator systems. The solar cell does not show any degradation with concentration and efficiency as high as 28.4% at 15000 suns has been obtained for a preliminary designThe work of E. F. Fernández and F. Almonacid was supported by the Spanish Economy Ministry and FEDER funds under Project ENE2016-78251-R. The work of N. Seoane and A. J. García-Loureiro was supported in part by the Spanish Ministry of Economy and Competitiveness and FEDER funds under Grants TEC2014-59402-JIN and TIN2016-76373-P and in part by the Xunta de Galicia and FEDER funds under Grant GRC 2014/008S

A comprehensive Pelgrom-based on-current variability model for FinFET, NWFET and NSFET

We present a novel Pelgrom-based predictive (PBP) model to estimate the impact of variability on the on-current of different state-of-the-art semiconductor devices. In this work, we focus on two of the most problematic sources of variability, the metal grain granularity (MGG) and the line edge roughness (LER). This model allows us to make an accurate prediction of the on-current standard deviation , being the relative error of the predicted data lower than 8% in 92% of the studied cases. The PBP model entails an immense reduction in the computational cost since once it is calibrated for an architecture, the prediction of the impact of a variability on devices with any given dimension can be made without any further simulations. This model could be useful for predicting the effect of variability on future technology nodesThis work was supported by the Spanish MICINN, Xunta de Galicia, and FEDER Funds under Grant RYC-2017-23312, Grant PID2019-104834GB-I00, Grant ED431F 2020/008, and Grant ED431C 2022/16S

The normative framework of biomedical research in persons with dementia

[Resumen]: La demencia es una de las mayores causas de discapacidad y dependencia a nivel mundial, con consecuencias perjudiciales de carácter físico, psicológico, social, económico. Esta circunstancia ha impulsado la investigación biomédica en personas con demencia y ha atraído el interés de otras áreas, entre ellas el derecho. Se trata de una actividad relevante y, a la vez, controvertida, cuyos dos principales problemas normativos son la posibilidad y conveniencia de la participación de las personas con demencia en la investigación biomédica y la definición de los criterios y procedimientos para la toma de decisiones. Estos interrogantes han recibido en los últimos años distintas respuestas desde el ámbito ético, del Soft Law y jurídico, formando un panorama normativo desigual, contradictorio y confuso. El objetivo de este artículo es analizar críticamente esta regulación y presentar una propuesta de ordenación e interpretación que favorezca la inclusión de las personas con demencia en la investigación, diseñe un proceso de toma de decisiones que mejore la evaluación de su capacidad, aumente su participación, oriente la actuación de los investigadores y garantice los derechos de las personas con demencia y de las restantes personas implicadas en la investigación.[Abstract]: Dementia is one of the major causes of disability and dependency worldwide, with a negative physical, psychological, social, and economic impact. This circumstance has boosted biomedical research in persons with dementia and drawn the interest of other areas, like Law. This significant and controversial activity poses two main problems: the chance and appropriateness of the participation of persons with dementia in biomedical research, and the determination of the criteria and procedures for a sound process of decision-making. These problems have received several answers from the ethical, Soft Law and legal field throughout last years, bringing about an uneven and somehow confusing normative picture. The aim of this paper is to assess this regulation and present an interpretative proposal that supports the inclusion of persons with dementia in biomedical research, describes a decision-making process that improves the competence evaluation assessment, increases their participation, guides research activity, and guarantees the rights of persons with dementia and any other people involved.Esta publicación es uno de los resultados del proyecto de investigación Enhancing the informed consent process: Supported decision-making and capacity assessment in clinical dementia research (ENSURE). ERA-NET 2015 NEURON Call on European Research Projects on Ethical, Legal and Social Aspects (ELSA) of Neuroscience (ELSA1-831- 024), 1.6.2016-30.9.2019. Acciones Complementarias de Programación Conjunta Internacional. Instituto de Salud Carlos III (AC2015/0075), 1.1.2016-31.12.2018

An accurate machine learning model to study the impact of realistic metal grain granularity on Nanosheet FETs

In this work, we present a machine learning neural network model to predict the impact of realistic metal grain granularity (MGG) variability on the threshold voltage V Th and on the ID -VG characteristics of a silicon-based 12 nm gate length nanosheet FET. This model is based on the multi-layer perceptron (MLP) machine learning architecture. As realistic MGG maps consist of the distribution of grains on the gate with different work-function values, it is relevant to apply algorithms such as the principal component analysis to reduce these features to the most representative ones. Once the realistic MGG features are correctly reduced without losing information, we train two different neural networks with the neurons in the output layer as the only difference, to predict the VTh and the ID - VG characteristics, respectively. The comparison between TCAD results and the model, shows excellent agreement for the mean and standard deviation of VTh distributions for different average grain sizes values (from 3 nm to 10 nm) demonstrating the accuracy of the machine learning model. Also, we study the amount of data needed to accurately train the MLPs, leading to results that allow us to drastically reduce the computational time required to perform variability studies for state-of-art nano FET devicesS

Spatial Sensitivity of Silicon GAA Nanowire FETs under Line Edge Roughness Variations

Standard analysis of variability sources in nanodevices lacks information about the spatial influence of the variability. However this spatial information is paramount for the industry and academia to improve the design of variability-resistant architectures. A recently developed technique, the Fluctuation Sensitivity Map (FSM) is used to analyse the spatial effect of the Line Edge Roughness (LER) variability in key figures-of-merit (FoM) in silicon Gate-All-Around (GAA) nanowire (NW) FETs. This technique gives insight about the local sensitivity identifying the regions inducing the strongest variability into the FoM. We analyse both 22 nm and 10 nm gate length GAA NW FETs affected by the LER with different amplitudes (0.6, 0.7, 0.85 nm) and correlation lengths (10, 20 nm) using in-house 3D quantum-corrected drift-diffusion simulation tool calibrated against experimental or Monte Carlo data. The FSM finds that the gate is the most sensitive region to LER deformations. We demonstrate that the specific location of the deformation inside the gate plays an important role in the performance and that the effect of the location is also dependent on the FoM analysed. Moreover, there is a negligible impact on the device performance if the LER deformation occurs in the source or drain region

FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability

Performance, scalability and resilience to variability of Si SOI FinFETs and gate-all-around (GAA) nanowires (NWs) are studied using in-house-built 3D simulation tools. Two experimentally based devices, a 25 nm gate length FinFET and a 22 nm GAA NW are modelled and then scaled down to 10.7 and 10 nm gate lengths, respectively. A TiN metal gate work-function granularity (MGG) and line edge roughness (LER) induced variability affecting OFF and ON characteristics are investigated and compared. In the OFF-region, the FinFETs have over an order of magnitude larger OFF-current that those of the equivalent GAA NWs. In the ON-region, the 25/10.7 nm gate length FinFETs deliver 20/58% larger ON-current than the 22/10 nm gate length GAA NWs. The FinFETs are more resilient to the MGG and LER variability in the sub-threshold compared to the GAA NWs. However, the MGG ON-current variability is larger for the 10.7 nm FinFET than that for the 10 nm GAA NW. The LER ON-current variability depends largely on the RMS height; whereas a 0.6 nm RMS height yields a similar variability for both FinFETs and GAA NWs. Finally, the industry preferred 110 channel orientation is more resilient to the MGG and LER variability in both architectures