O caso Vilcabamba e el buen vivir na constituição do equador de 2008: pluralismo jurídico e um novo paradigma ecocêntrico

A visão antropocêntrica ainda conduz os debates a respeito do meio ambiente, prevalecendo os valores eurocêntricos sobre todas as outras cosmovisões. Entretanto, a utopia do desenvolvimento exclusivamente econômico está em crise. Nesse contexto, um novo paradigma ecocêntrico emerge como uma alternativa ao antropocentrismo, a partir das práticas e do conhecimento dos povos indígenas dos Andes e da ética do buen vivir. Neste ensaio será estudada essa nova compreensão da relação entre seres humanos e natureza, enfatizando-se a cosmovisão de caráter fisiocêntrico materializada no reconhecimento dos direitos da natureza (Pacha Mama ou Pachamama) na Constituição do Equador de 2008

A divulgação científica como elo entre universidade e sociedade: experiências em Uberaba/MG

A divulgação científica tem como finalidade expandir o conhecimento científico e tecnológico direcionando-o, em especial, à comunidade de não cientistas. Assim, são necessárias ferramentas que auxiliem nos diálogos entre ciência e sociedade, dando sentido à divulgação científica. A experiência aqui relatada integra o desenvolvimento de projetos centrados na Divulgação Científica. O objetivo foi promover a realização de mostras e ações de divulgação científica, fixas e itinerantes, em Uberaba/MG. Esta comunicação se refere às ações educacionais extensionistas desenvolvidas em 2017, contemplando, dentre outras ações: (i) Memórias do passado: geologia e paleontologia e sua relação com a sociedade; (ii) O Clube de Astronomia como promotor de popularização da ciência e tecnologia; (iii) Feiras e mostras científicas: superando os limites disciplinares e (iv) A Astrofísica por meio de exposições itinerantes. No âmbito da primeira ação foram realizadas quatro exposições e oficinas de Paleontologia em diferentes locais da cidade, como shopping, escolas e universidade. Na segunda ação foram realizadas 25 palestras com diversos temas voltados à Astronomia e Astrofísica, com um público em torno de 217 participantes. A terceira ação foi desenvolvida em duas escolas de Uberaba/MG havendo a participação de 62 professores de Ensino Médio em uma formação voltada à realização de Mostras de Saberes. A culminância da ação ocorreu durante a Semana Nacional de C&T, com a apresentação de mais de 100 projetos desenvolvidos por estudantes de Ensino Médio de ambas as instituições, orientados pelos professores que participaram das formações, alcançando por volta de 1000 alunos. A quarta ação ocorreu em seis diferentes espaços da cidade ao longo de 2017, com público aproximado de 2000 pessoas, em exposições monitoradas de 40 pôsteres. Entendemos que estas ações contribuíram com a ampliação das propostas educacionais extensionistas da UFTM, efetivando a divulgação da ciência e da tecnologia na sociedade local. Palavras-Chave: Divulgação Científica, Exposições; Mostras de Saberes; Paleontologia; Astronomia

Desenvolvimento de programa de extensão em Astronomia por meio das redes sociais e videoconferência

The report presents adaptations of an extension program of Astronomy in times of humanitarian calamity due to the COVID-19 pandemic. The central objective is to show the difficulties encountered and overcoming, as well as their overcomes, for carrying out scientific dissemination on social networks, and how to promote greater contact with high school students during social isolation. The methodologies used in these social networks were mainly infographic and video, produced by the project members and posted on their social networks, using the brand Divulgastro. Regarding the minicourse is concerned, interactions occurred via Google Meet and Classroom platform for 7 weeks, with two weekly meetings lasting 90 minutes. The results were satisfactory in both modalities, reaching, in almost a year of activities, on the platforms mentioned here, 140.146 people, with 12.849 engagement, and in relation to the minicourse, we serve 22 students, from São Paulo, Minas Gerais and other states. Finally, we conclude that digital media has great potential to disseminate science, but the format of dissemination for each type of social network as well as the age of the predominant public in each network must be considered. Online minicourses help students interact amid the difficulties produced by social isolation.O relato apresenta adaptações de um programa de extensão de Astronomia nos tempos de calamidade humanitária devido à pandemia do COVID-19. O objetivo central consiste em expor e descrever as dificuldades encontradas para realização da divulgação científica nas redes sociais, bem como as superações dessas dificuldades e a exposição de métodos para promover maior contato com os alunos do ensino médio durante o isolamento social. As metodologias utilizadas nessas redes sociais foram baseadas no uso de infográficos e vídeos, produzidos pelos integrantes do projeto e postados em suas próprias páginas, utilizando a marca Divulgastro. No que se refere ao minicurso ministrado, ocorreram interações através da plataforma do Google Meet e Classroom durante sete semanas, em uma frequência de dois encontros semanais com duração de 90 minutos. Os resultados foram satisfatórios em ambas as modalidades, de modo que foi possível alcançar, ao longo de um ano de atividades nas plataformas mencionadas, um total de 140.146 pessoas, com 12.849 de engajamento. Em relação ao minicurso, foi atendido um total de 22 alunos de regiões como São Paulo, Minas Gerais e outros estados. Por fim, foi possível concluir que as mídias digitais possuem grande potencial para divulgar a ciência, devendo-se levar em conta o formato da divulgação para cada tipo de rede social, bem como a idade do público preponderante em cada rede. Os minicursos on-line ajudam os alunos a interagirem em meio às dificuldades produzidas pelo isolamento

Self Interstice in SiGe Alloys

Recent progress in nanotechnology applied to the development of new (nano)devices is mainly attributed to the research works in a large number of semiconducting materiais. Within this class of semiconducting materiais, the SixGe\_x alloy has attracted special attention due to the possibility of tunning its electronic and structural properties by controlling the alloy concentration. During the growth process of SixGe 1_x, it has been verified the diffusion of impurities as well as the formation of defects as, vacancies, self- interstitials, and stacking faults. For instance, the formation of Si or Ge self-interstitials has been verified during the ion-implantation process in these materiais. In this work, we performed first-principles calculations of the formation energies, electronic and structural properties of self-interstitials in Si, Ge, and SixGei_x alloys as a function of the alloy concentration. The calculations were performed in the framework of the density function theory, within the local density approximation, and the electron-ion interaction was treated by using norm-conserving pseudopotentials. The SixGe\-x alloys were described by using the Special Quasirandom Structures (SQS). Initially we calculated the formation energies of self-interstitials in pure Si and Ge, considering the following atomic configurations: Split[110], Hexagonal, Displaced-Hexago- nal, and Tetrahedral. In Si, we find that the Split[110] configuration is the energetically most stable, followed by the Displaced-Hexagonal (0.3 Â along the [111] direction) with a total energy difference of 0.02 eV compared with the Split[110]. On the other hand, the Displaced-Hexagonal configuration is not energetically stable in Ge, being the Split[l 10] configuration the energetically most stable one, followed by the Tetrahedral configuration by a total energy difference of 0.28 eV. Very recently, a new and energetically more stable than the previous self-interstitial structural models has been investigated, called four-fold coordinated defect (FFCD).'The energetic stability of the FFCD defect can be attributed to the four-fold coordination of the interstitial atom. Our calculations support the formation of FFCD in Si and Ge. In Si the FFCD exhibits a formation energy of 0.76 eV lower compared with the Split[110], and in Ge the FFCD is 0.78 eV lower in energy also compared with the Split[110]. In addition, we determined the ionization leveis of the Split[110] self-interstitial in Ge, where we find that the (+/0) levei is 0.08 eV below the valence band maximum (VBM), i.e. resonant within the valence band, and the (0/—) levei lies at 0.37 eV above the VBM. These results are in contrast with the recent experimental investigation. We next have investigated the formation of self-interstitials in the SixGe\-x alloys, for alloy (Si) concentrations of 0.50 and 0.85. We have studied self-interstitials of Si and Ge for different atomic arrangements in the nearest neighbor (NN) sites. We have considered three different concentrations of Si/Ge at the NN sites: Si-rich, Ge-rich and Sío.bGcq,5. For both alloy concentration, x — 0.50 and 0.85, we verify that the Split[l 10] of Ge, with Sia.^Geo.s at the NN sites, exhibits the lowest formation energy, followed by the Displaced-Hexagonal of Si with the NN sites rich of Si. We do not find the FFCD in those SixGei_x alloys.Dissertação (Mestrado)Os recentes progressos na nanotecnologia aplicada ao desenvolvimento de nanodis- positivos são frutos do extenso trabalho em diversos materiais semicondutores. Dentro dessa classe de materiais semicondutores, as ligas SixGex^x têm sido alvo de intensas investigações, devido à possibilidade de controle das suas propriedades através da variação da concentração dos elementos constituintes. Durante o processo de crescimento da liga SixGei„x, verifica-se a difusão de impurezas e a formação de defeitos como: vacâncias, interstícios e falhas de empilhamento. Por exemplo os auto-interstícios de Si ou Ge ocorrem durante processos de implantação iônica de dopantes. Neste trabalho nós realizamos um estudo teórico, baseado em técnicas de primeiros princípios, da energia de formação (Ef), das propriedades estruturais e eletrônicas dos auto-interstícios nos materiais puros (Si e Ge) e na liga SixGei-x em função da sua concentração. Utilizamos a Teoria do Funcional da Densidade, dentro da Aproximação da Densidade Local e a interação elétron-ion foi tratada utilizando-se pseudo-potenciais de norma conservada. As ligas de SiGe foram descritas usando as Estruturas Especiais Quase-randômicas (SQS). Calculamos a Ef dos auto-interstícios de Si e de Ge nos materiais puros, examinando as seguintes configurações para os auto-interstícios: SplitfllO], Hexagonal, Hexagonal- Deslocado e Tetragonal. Para o Si puro a configuração Split[110] é a mais estável seguida do Hexagonal-Deslocado (0,3 Â na direção [111]) por uma diferença de energia somente de 0,02 eV. Para o Ge não verificamos a presença de um mínimo local na posição do Hexagonal-Deslocado, o átomo desta configuração migrou para a posição Tetragonal, sendo o SplitfllO] mais estável seguido do Tetragonal com uma diferença de 0,28 eV. Recentemente um novo arranjo estrutural foi estudado, energeticamente mais estável que os demais já citados por manter o número de ligações originais da estrutura cristalina para todos os átomos da super-célula, o Four-Fold Coordinated Defect (FFCD). Nossos cálculos confirmam estes resultados, tanto para Si como para Ge. O FFCD em Si tem uma Ef de 0,76 eV mais baixa que o Split[110] e no Ge 0,78 eV também comparado com SplitfllO]. Ainda para Ge puro fizemos os cálculos de energia de ionização para o SplitfllO], os resultados indicam que o nível (+/0) é 0,08 eV ressonante na banda de valência, enquanto que o nível (0/-) está 0,37 eV acima da banda de valência. Estes resultados estão dissonantes com que foi encontrado em um recente experimento. Em seguida, investigamos a formação de auto-interstícios nas liga com concentrações de 50% e 85% de Si. Consideramos auto-interstícios de Si e de Ge para as diferentes concentrações nas primeiras vizinhanças. Analisamos os defeitos para primeira vizinhança formada somente por átomos de Si, depois somente átomos de Ge e posteriormente uma vizinhança mista (50% de Si e 50% de Ge). Nas duas concentrações da liga estudadas constatamos que o SplitfllO] de Ge em primeira vizinhança mista tem a configuração mais estável, seguida do Hexagonal-Deslocado de Si em primeira vizinhança de Si. Não verificamos a formação do FFCD em liga

Cálculos de primeiros princípios em nanofios semicondutores

In this work we study the electronic and structural properties of semiconductor nanowires InP and InAs and heterostructured nanowires InP/InAs. We also investigate the oxydation of the InP nanowires surface by means of hidroxyl radicals. All wires studied here were simulated in both experimentally found structures (Zinc-Blend and Wurtzite). We used first principles calculations based on the density functional theory. The GGA exchange-correlation potential was used. Electron-ions interactions are described by Troullier-Martins norm-conserving pseudopotentials. Total energies are obtained by self-consistently solving the Kohn-Sham (KS) equations and the KS orbitals are expanded using linear combinations of pseudo-atomic orbitals. To understand how the nanowires properties change with diameter, we studied five different diameters. In the structural analysis of these wires we estimate that there is a 7 Å wide region near the surface where relaxations are significant. We also propose analytical expressions to fit the variation of the wires gap with diameter relative to the bulk obtained in our work and also experimentally. For very small diameters some wires present indirect gaps. In the study of the oxydation of InP wires, we show that when all dangling-bonds are saturated by OH radicals the energy gaps diminish by means of the introduction of localized states near the top of the valence band and the bottom of the conduction band. We show that the energetically favorable saturation by OH radicals consist of bonding all surface P atoms with H atoms and all surface In atoms with OH radicals. In this case, the energy gap is larger and cleaner (with respect to localized states) than the fully OH radical saturated one. For the longitudinal heterostructures, we show that the interfaces formation energies for the InP/InAs case increase for increasing wire diameters. The swap between a P atom and a As atom in the interface is energetically favorable for the ZB wire indicating a alloyed interface. On the other hand, the same swap for the WZ structure is not energetically favorable indicating an abrupt interface. Interestingly, the introduction of a stacking fault defect in the WZ interface is energetically favorable. As far as the electronic properties are concerned, we show that in the boundaries of the bands several atomic orbitals mix, thus the energy gaps of the heterostructures depend on the number of layers of InP and InAs.Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientifico e TecnológicoNeste trabalho, estudamos as propriedades estruturais e eletrônicas de nanofios semicondutores de InP e InAs, e de nanofios heteroestruturados InP=InAs. Também fizemos uma análise da oxidação da superfície de nanofios de InP com radicais hidroxilas. Todos os fios estudados foram simulados tanto na estrutura Zinc-Blend, como na estrutura Wurtzita, que são possíveis formas estruturais encontradas experimentalmente. Utilizamos cálculos computacionais de primeiros princípios. O cálculo de energia total foi realizado utilizando a metodologia da Teoria do Funcional da Densidade (DFT), o potencial de troca e correlação utilizado foi o GGA. As interações elétrons íons são descritas por pseudopotenciais de norma conservada de Troullier Martins. A energia total é obtida por cálculos auto consistentes resolvendo a equação de Kohn Sham. Os orbitais de KS são expandidos usando combinação linear de pseudo orbitais atômicos. No sentido de entender como as propriedades estruturais e eletrônicas dos nanofios variam com o aumento do diâmetro, estudamos 5 diâmetros diferentes. Na análise estrutural deste nanofios estimamos que a superfície produz uma relaxação estrutural que afeta cerca de 7 Å de espessura no nanofio com estrutura ZB. Indicamos expressões analíticas que conseguem fitar adequadamente resultados teóricos e resultados experimentais da variação do gap do nanofio em relação ao gap do material bulk. Mostramos que para pequenos diâmetros estas estruturas possuem gap indireto. No estudo da saturação de nanofios InP utilizando radicais hidroxila mostramos que a saturação de todas as ligações pendentes da superfície do fio com radicias OH produz uma diminuição significativa do gap, introduzindo diversos estados localizados próximos ao topo da banda de valência e ao fundo da banda de condução. Propomos uma saturação ligando os radicias OH aos átomos de In superficiais, enquanto os átomos de P superficiais são saturados com átomos de H. Este tipo de saturação tem energia de formação menor que a saturação completa com radicais OH ou com átomos de H, com a vantagem adicional de ter um gap muito mais largo, próximo ao fio com saturação com átomos de H. As estruturas WZ mostraram ser mais sensíveis à oxidação com a variação do diâmetro. Nas heteroestruturas longitudinais, mostramos que com a junção dos materiais InP e InAs as energias de formação das interfaces aumentam com o diâmetro da heteroestrutura. A troca de um átomo de P por um átomo de As na interface mostra-se energeticamente favorável para a estrutura ZB, indicando a formação de uma interface mista com a junção deste materiais; enquanto que para a estrutura WZ esta troca de átomos não é energeticamente favorável, logo tendo uma interface abrupta com maior possibilidade de formação. Nas estruturas WZ um defeito tipo "stacking fault" na interface InP=InAs diminui a energia total do sistema. As camadas próximas a interface sofrem relaxações, sendo que a distância planar da camada de InAs próxima a interface é esticada em relaçao ao valor do "bulk" InAs, enquanto a camada de InP e comprimida em relação ao "bulk" InP. Na análise das propriedades eletrônicas, mostramos que nos limites das bandas há uma mistura das contribuições dos orbitais de todos os tipos atômicos, por isso os gaps das heteroestruturas dependem das quantidades de camadas empilhadas de InP e InAs

O caso Vilcabamba e el buen vivir na constituição do equador de 2008: pluralismo jurídico e um novo paradigma ecocêntrico

The anthropocentric view leads the debates about the environment and the eurocentric values still prevailing over all other worldviews. However, the utopia of exclusive economic development is in crisis. In this context, a new ecocentric paradigm emerges as an alternative to the anthropocentrism, from the practices and the knowledge of indigenous peoples of the Andes and the ethics of buen vivir. This essay will examine the new physiocentric approach of the relationship between humans and nature, embodied by Constitution of Ecuador of 2008, which recognized the rights of nature (Pacha Mama or Pachamama).A visão antropocêntrica ainda conduz os debates a respeito do meio ambiente, prevalecendo os valores eurocêntricos sobre todas as outras cosmovisões. Entretanto, a utopia do desenvolvimento exclusivamente econômico está em crise. Nesse contexto, um novo paradigma ecocêntrico emerge como uma alternativa ao antropocentrismo, a partir das práticas e do conhecimento dos povos indígenas dos Andes e da ética do buen vivir. Neste ensaio será estudada essa nova compreensão da relação entre seres humanos e natureza, enfatizando-se a cosmovisão de caráter fisiocêntrico materializada no reconhecimento dos direitos da natureza (Pacha Mama ou Pachamama) na Constituição do Equador de 2008

Prácticas innovadoras en la enseñanza de física moderna en una escuela pública brasileña

Las innovaciones curriculares en la enseñanza de Física se han vuelto cada vez más necesarias para que los alumnos pasen a ver esta ciencia como parte de su cotidiano, así como el lenguaje que traduce fenómenos naturales. A partir de este presupuesto, la intervención que origino la presente investigación busco promover una innovación en la enseñanza de Física en una escuela pública brasileña. A partir de un enfoque contextualizado e interdisciplinario, mediado por Secuencias de Enseñanza y Aprendizaje (SEA), el trabajo tuvo como objetivo trabajar contenidos de la Física Solar. La investigación contemplo dos vertientes interconectadas: (i) elaboración conjunta universidad-escuela y validación de una SEA como herramienta didáctica e (ii) investigación de aspectos que influencian la práctica docente frente a las dimensiones epistémicas (procesos que apuntan a la enseñanza-aprendizaje) y pedagógicas (relaciones profesor-alumno, alumno-alumno y alumno-conocimiento). La metodología adoptada fue cualitativa, justificada por la realización de entrevistas semiestructuradas con el profesor y acompañamiento de las clases, además de continuas discusiones sobre las SEA, siendo los análisis desarrollados a partir de presupuestos del rombo didáctico. Entre los resultados encontrados, se destacan: la asociación entre profesor e investigador; la viabilidad de innovación curricular y metodológica en la Educación Secundaria enfocada en la Física Solar y las SEA como herramienta didáctica que le permitió al profesor trabajar de manera innovadora con clases interdisciplinarias, no compartimentadas.PALABRAS-CLAVE. Innovación curricular; Enseñanza de Física; Física Solar; Rombo didáctico.Doi: 10.21703/rexe.20191836ribeiro