Interaction between the components in Tm-Cr-Ge system at 1070 K

The phase equilibrium diagram of the Tm-Cr-Ge ternary system was constructed at a temperature 1070 K based on the results of X-ray phase, microstructural analyzes and energy-dispersive X-ray spectroscopy in the whole concentration range. At the temperature of investigation, two new ternary compounds are realized in the system: TmCr6Ge6 (SmMn6Sn6 structure type, space group P6/mmm, a=0.51506(1), c=0.82645(2) nm) and Tm4Cr4Ge7 (Zr4Co4Ge7 structure type, space group I4/mmm, а=1.39005(9), с=0.54441(1) nm). Inclusion of Cr atoms in the structure of the binary germanide TmGe2 (structure type ZrSi2) up to 10 at. % Cr leads to the formation of a solid solution TmCrxGe2 (x = 0-0.33)

Mixed-valence state in Yb2CuGe6

We present here temperature dependent X-ray photoemission measurements on polycrystalline Yb2CuGe6. The analysis of these data shows the change in the effective valence, determined directly from the 4f intensity ratio, as a function of temperature

Потрійні системи Lu-V-{Ge, Sn}

The isothermal sections of the phase diagrams of the Lu–V–Ge and Lu-V-Sn ternary systems were constructed at 870 K over the whole concentration range using X-ray diffraction and EPM analyses. In the Lu-V-Ge system a formation of the substitutional solid solution Lu5Ge3-xVx based on the Lu5Ge3binary compound (Mn5Si3 structure type) was found up to 6 at. % V. Insertion of the V atoms in the structure of the LuGe2 binary germanide (ZrSi2structure type, up to 5 aт. % V) results in the formation of the LuV0,15Ge2 ternary phase (CeNiSi2 structure type, space group Cmcm, a=0.40210(4),b=1.5661(1), c=0.38876(3) nm), which corresponds to the limit composition of the interstitial solid solution LuVxGe2. The interaction between the elements in the Lu-V-Sn system results in the formation of one ternary compound LuV6Sn6 (SmMn6Sn6-type, space group P6/mmm, a=0.5503(2), c=0.9171(4) nm) at investigated temperature.Ізотермічні перерізи діаграм стану потрійних систем Lu–V–Ge і Lu-V-Sn побудовані за температури 870 K в повному концентраційному інтервалі методами рентгенофазового, рентгеноструктурного і мікроструктурного аналізів. В системі Lu-V-Ge на основі бінарної сполуки Lu5Ge3(структурний тип Mn5Si3) встановлено утворення твердого розчину заміщення Lu5Ge3-xVx до вмісту 6 aт. % V. Включення атомів V в структуру бінарного германіду LuGe2 (структурний тип ZrSi2, до вмісту 5 aт. % V) приводить до утворення тернарної фази LuV0,15Ge2 (структурний тип CeNiSi2, просторова група Cmcm, a=0,40210(4), b=1,5661(1), c=0,38876(3) нм), яка відповідає граничному складу твердого розчину включення LuVxGe2. Взаємодія компонентів у системі Lu-V-Sn за температури дослідження характеризується утворенням тернарної сполуки LuV6Sn6(структурний тип SmMn6Sn6, просторова група P6/mmm, a=0,5503(2), c=0,9171(4) нм)

Потрійна система Er-Cr-Ge

The isothermal section of the phase diagram of the Er–Cr–Ge ternary system was constructed at 1070 K over the whole concentration range using X-ray diffractometry, metallography and electron microprobe (EPM) analysis. The interaction between the elements in the Er−Cr−Ge system results in the formation of two ternary compounds: ErCr6Ge6 (MgFe6Ge6-type, space group P6/mmm, Pearson symbol hP13; a = 5.15149(3), c = 8.26250(7) Ǻ; RBragg = 0.0493, RF = 0.0574) and ErCr1-хGe2 (CeNiSi2-type, space group Cmcm, Pearson symbol oS16, a = 4.10271(5), b = 15.66525(17), c = 3.99017(4) Ǻ; RBragg = 0.0473, RF = 0.0433) at investigated temperature. For the ErCr1-xGe2 compound, the homogeneity region was determined (ErCr0.28-0.38Ge2; a = 4.10271(5)-4.1418(9), b = 15.6652(1)-15.7581(4), c = 3.99017(4)-3.9291(1) Ǻ).Ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Er–Cr–Ge побудований за температури 1070 K в повному концентраційному інтервалі методами рентгенофазового, рентгеноструктурного і мікроструктурного аналізів. Взаємодія компонентів у системі Er–Cr–Ge за температури дослідження характеризується утворенням двох тернарних сполук ErCr6Ge6 (структурний тип MgFe6Ge6, просторова група P6/mmm, символ Пірсона hP13; a = 5,15149(3), c = 8,26250(7) Ǻ; RBragg = 0,0493, RF = 0,0574) іErCr1-хGe2 (структурний тип CeNiSi2, просторова група Cmcm, символ Пірсона oS16, a = 4,10271(5), b = 15,6652(1), c = 3,99017(4) Ǻ; RBragg = 0,0473, RF = 0,0433). Для сполуки ErCr1-хGe2 визначена область гомогенності (ErСr0,28-0,38Ge2; a = 4,10271(5)-4,1418(9), b = 15,6652(1)-15,7581(4), c = 3,99017(4)-3,9291(1) Ǻ)

Ізотермічний переріз потрійної системи Ho–Cu–Sn при 670 K

The interaction of the components in the Ho-Cu-Sn ternary system was investigated at 670 K over the whole concentration range using X-ray diffraction and EPM analyses. Four ternary compounds were formed in the Ho–Cu–Sn system at 670 K: HoCuSn (LiGaGe type, space group P63mc), Ho3Cu4Sn4 (Gd3Cu4Ge4-type, space group Immm), HoCu5Sn (CeCu5Au-type, space group Pnma), and Ho1.9Cu9.2Sn2.8 (Dy1.9Cu9.2Sn2.8-type, space group P63/mmc). The formation of the interstitial solid solution based on HoSn2 (ZrSi2-type) binary compound up to 5 at. % Cu was found.Взаємодія компонентів у потрійній системі Ho-Cu-Sn досліджена за температури 670 K в повномуконцентраційному інтервалі методами рентгенівської дифракції і рентгеноспектрального аналізу. При 670K в системі утворюються чотири тернарні сполуки: HoCuSn (структурний тип LiGaGe, просторова групаP63mc), Ho3Cu4Sn4 (структурний тип Gd3Cu4Ge4, просторова група Immm), HoCu5Sn (структурний типCeCu5Au, просторова група Pnma) і Ho1.9Cu9.2Sn2.8 (структурний тип Dy1.9Cu9.2Sn2.8, просторова групаP63/mmc). Встановлено утворення твердого розчину включення на основі бінарної сполуки HoSn2(структурний тип ZrSi2) до вмісту 5 aт. % Cu

Взаємодія компонентів у потрійній системі Gd-Mn-Sn при 873 і 673 K

The interaction of the components in the Gd-Mn-Sn ternary system was studied using the methods of X-ray and microstructure analyses, in the whole concentration range. The phase diagrams of the Gd-Mn-Sn system were constructed at 873 and 673 K. At both temperature of investigation the Gd-Mn-Sn system is characterized by existence of two ternary compounds: GdMn6Sn6 (MgFe6Ge6 structure type, space group P6/mmm) and Gd4Mn4Sn7 (Zr4Co4Ge7 structure type, space group I4/mmm). The formation of the interstitial solid solution GdMnхSn2 based on GdSn2 (ZrSi2-type) binary compound was found up to 10 at. % Mn at 873 K and 673 K. The existence of the substitutional solid solution based on GdMn2 (MgCu2-type) was observed up to 5 at.% Sn and 3 at. % Sn at 873 K and 673 K, respectively.Методами рентгенофазового і мікроструктурного аналізів досліджено взаємодію компонентів у потрійній системі Gd-Mn-Sn у повному концентраційному інтервалі та побудовані діаграми фазових рівноваг за температур 873 K і 673 K. За обох температур дослідження в системi утворюються дві тернарні сполуки GdMn6Sn6(структурний тип MgFe6Ge6, просторова група P6/mmm) і Gd4Mn4Sn7 (структурний тип Zr4Co4Ge7, просторова група I4/mmm). На основi бiнарного станiду GdSn2зі структурою типу ZrSi2 встановлено існування твердого розчину включення GdMnхSn2 до вмісту 10 ат. % Mn за температур 873 K і 673 K. На основі бінарної сполуки GdMn2 (структурний тип MgCu2) утворюється твердий розчин заміщення до вмісту 5 ат. % Sn при 873 K і до вмісту 3 ат. % Sn при 673 K

Resource description framework technologies in chemistry

ISSN:1758-294