The boson peak and the first sharp diffraction peak in (As2S3)x(GeS2)1–x glasses

The parameters of the boson peak (BP) and the first sharp diffraction peak (FSDP) in (As2S3)x(GeS2)1x glasses measured using high-resolution Raman spectroscopy and high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements are examined as a function of x. It has been found that there is no correlation between the positions of BP and FSDP. The BP position shows a nonlinear composition behavior with a maximum at about x = 0.4, whereas the FSDP position changes virtually linearly with x. The intensities of both BP and FSDP show nonlinear composition dependences with the slope changes at x = 0.4, although there is no direct proportionality. Analysis of the partial structure factors for the glasses with x = 0.2, 0.4 and 0.6 obtained in another study has shown that the cation-cation atomic pairs of Ge–Ge, Ge–As and As–As make the largest contribution to FSDP, where the Ge–Ge and Ge–As pairs are dominant

Efecto de Tres Dosis de N,P Y K En la Produccion de Maracuya Amarillo (Passiflora Edulis Sims F. Flavicarpa Deg).

El objetivo de este trabajo fue evaluar el efecto de tres dosis de nitrógeno, fósforo y potasio durante tres años de producción del maracuyá amarillo. El experimento fue conducido en el municipio de Guaíba, Rio Grande del Sur, Brasil, en un suelo de la unidad de mapeamiento São Jerônimo (Laterítico Bruno Rojizo distrófico). El rendimiento médio anual osciló entre 13,7 y 16,7 t/ha en función de los tratamientos. El análisis estadístico no acusó diferencia entre las producciones de los diferentes tratamientos. Los tenores de macronutrientes en las hojas, mostraron valores considerados normales para el cultivo.Made available in DSpace on 2011-04-09T12:18:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 pab03mar91.pdf: 241422 bytes, checksum: 479b54144c239e206e19c9b9d8a03273 (MD5) Previous issue date: 2001-09-17199

Microstructural study of phase separation in (GeS3)100-xAgx and (GeS2)100-xAgx chalcogenide glasses

Microstructure of (GeS$_3$)$_{100-x}$Agx (x = 0, 5, 10, 15, 20, 25) and (GeS$_2$)$_{100-x}$Agx (x = 0, 5, 10, 15, 20) has been studied by scanning electron microscopy. It is found that the glasses of both systems are phase separated: (GeS$_3$)$_{100-x}$ for 5 ≤ x ≤ 20 at.% and (GeS$_2$)$_{100-x}$Agx for 10 ≤ x ≤ 15 at.%. Morphology of coexisting phases is essentially dependent on the glass composition. The phase-separation is very pronounced in (GeS$_3$)$_{100-x}$Agx glasses and is diminished in (GeS$_2$)$_{100-x}$Agx as indicated by the size and spatial distribution of majority and minority phases

Формирование поверхностных наноструктур на халькогенидной пленке As-S-Ge после облучения электронным пучком

Проблематика. Халькогенідні стекла формують унікальний клас матеріалів та є привабливими з точки зору їх різноманітних застосувань, що обумовлені їхніми непересічними властивостями та можливістю утворювати поверхневий рельєф. Взаємодія цих матеріалів з електронним променем становить інтерес через різноманітність фізичних явищ, спричинених у халькогенідних плівках лазерним опроміненням. Мета дослідження. Дослідження прямого (без селективного травлення) формування поверхневого рельєфу періодичних наноструктур на плівці As3S77Ge20 товщиною ~8,3 мкм, виготовленій вакуумним термічним випаровуванням, із використанням електронно-променевої літографії. Вивчення зміни висоти і форми поверхневих наноструктур залежно від дози опромінення. Методика реалізації. Хімічний склад плівки визначали за допомогою енергетично-дисперсійного аналізу рентгенівських променів. Плівку опромінювали електронним променем за допомогою скануючого електронного мікроскопа. Було досліджено вплив опромінення електронним пучком на аморфну халькогенідну тонку плівку As3S77Ge20. Поверхневий рельєф плівки сканували атомно-силовим мікроскопом. Результати дослідження. Доза експозиції G варіювалась від 12 мКл·см-2 до 12 Кл·см-2. Було виявлено формування конусів із гаусовим профілем на поверхнях плівок після локального опромінення електронами. Встановлено залежність висоти одержаних поверхневих наноструктур від дози експозиції. Видно, що для G 2400 мКл·см-2 вона зменшується. Було знайдено початкову та інверсійну дози формування поверхневого рельєфу. Для матриць із відстанню між точками опромінення d = 6,6 мкм початкова доза становила G0 = 9,60 мКл·см-2, а інверсійна – Gi = 31,18 Кл·см-2. Для d = 10 мкм ці параметри дорівнювали G0 = 6,98 мКл·см-2 і Gi= 36,19 Кл·см-2. Залежності у зростаючому інтервалі дози (від 16 до 1200 мКл·см-2) для d = 6,6 мкм і d = 10 мкм було апроксимовано експоненційними функціями. Висновки. Зміну форми та параметрів отриманого рельєфу поверхні на плівці As3S77Ge20 можна пояснити моделлю акумулювання заряду. Наші дослідження показали, що вивчена композиція As3S77Ge20придатна для запису електронним променем та може бути використана для виготовлення оптичних елементів.Background. Chalcogenide glasses comprise a unique materials platform and are attractive in view of various applications that make use their intriguing characteristic, the ability to form surface-relief patterns. The interaction of these materials with the electron beam is of interest due to diversity of physical phenomena induced in chalcogenide films by laser irradiation. Objective. The purpose of the paper is to study direct (without selective etching) surface relief formation of optical elements periodic nanostructures on thermal vacuum evaporated film As3S77Ge20 of ~8.3 μm thickness using electron beam lithography, as well as investigate the changes in surface nanostructures height and shape depending on exposure. Methods. The chemical composition was determined by energy dispersive analysis of X-rays. The film was irradiated by an electron beam using a scanning electron microscope. The influence of electron beam irradiation on As3S77Ge20 amorphous chalcogenide thin film was investigated. Surface relief of the film was tapped by atomic force microscope. Results. The exposure dose G varied from 12 mC·cm-2 to 12 C·cm-2. The formation of cones with Gaussian profile on the surfaces of the films was detected after local electron irradiation. Exposition dependent evolution of height surface nanostructures has been detected. It can be seen that for G 2400 mC·cm-2, relief height decreases. The initial and inversion doses of relief formation on this film have found. For 6,6 μm pitch is equal to G0 = 9,60 mC·cm-2, and the inversion dose of the surface relief shape G1= 31.18 C·cm-2. At d = 10 μm, these parameters are G0 = 6,98 mC·cm-2 and G1 = 36.19 C·cm-2. The dependences at increasing interval (16 mC·cm-2 – 1200 mC·cm-2) for d = 6.6 μm and d = 10 μm were fitted by exponential function. Conclusions. The changing of shape and parameters of the obtained surface relief on As3S77Ge20 film can be explained by the charge model. Our investigations have demonstrated that studied As3S77Ge20 composition is suitable for e-beam recording. These results show that As3S77Ge20 films can be used for fabrication of the optical elements.Проблематика. Халькогенидные стекла формируют уникальный класс материалов и являются привлекательными с точки зрения их различных применений, обусловленных их незаурядными свойствами и возможностью образовывать поверхностный рельеф. Взаимодействие этих материалов с электронным пучком представляет интерес в связи с разнообразием физических явлений, индуцированных в халькогенидных пленках лазерным облучением. Цель исследования. Изучение прямого (без селективного травления) формирования поверхностных наноструктур на пленке As3S77Ge20 толщиной ~8,3 мкм, изготовленной термическим вакуумным испарением, с использованием электронно-лучевой литографии. Изучение изменения высоты и формы поверхностных наноструктур в зависимости от дозы облучения. Методы реализации. Химический состав пленки определяли с помощью энергодисперсионного анализа рентгеновских лучей. Пленку облучали электронным пучком с использованием сканирующего электронного микроскопа. Было исследовано влияние облучения электронным пучком тонкой аморфной халькогенидной пленки As3S77Ge20. Рельеф поверхности пленки был сканирован с помощью атомно-силового микроскопа. Результаты исследования. Доза облучения G варьировалась от 12 мКл·см-2 до 12 Кл·см-2. Было обнаружено образование конусов с гауссовым профилем на поверхностях пленок после локального электронного облучения. Определена зависимость высоты полученных поверхностных наноструктур от дозы облучения. Видно, что для G 2400 мКл·см-2 она уменьшается. Были найдены начальная и инверсионная дозы формирования поверхностного рельефа. Для матриц с расстоянием между точками облучения d = 6,6 мкм начальная доза составляла G0 = 9,60 мКл·см-2, а инверсионная – Gi = 31,18 Кл·см-2. Для d = 10 мкм эти параметры равнялись G0 = 6,98 мКл·см-2 и Gi = 36,19 Кл·см-2. Зависимости в интервале возрастания дозы (16 мКл·см-2 – 1200 мКл·см-2) для d = 6,6 мкм и d = 10 мкм были аппроксимированы экспоненциальными функциями. Выводы. Изменение формы и параметров полученного поверхностного рельефа пленки As3S77Ge20 можно объяснить моделью аккумуляции заряда. Наши исследования показали, что изученная композиция As3S77Ge20 пригодна для регистрации электронного луча и может быть использована для изготовления оптических элементов

Structural order in (As2_{2}S3_{3})x(GeS2_{2})1−x_{1-x} glasses

Structural order in the chalcogenide glasses of (As$_2$S$_3$)$_x$(GeS$_2$)$_{1−x}$ (x = 0.0, 0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) system is examined in terms of the parameters of local atomic structure as a function of composition x, obtained using high-resolution Raman spectroscopy, high-energy synchrotron X-ray diffraction, extended X-ray absorption fine structure spectroscopy and reverse Monte-Carlo modeling of diffraction data. As a result of the research carried out it is revealed that the structural order of As-rich (x > 0.4) and Ge-rich (x < 0.4) glasses is organized by the main As−S and Ge−S structural motifs based on pyramidal AsS$_3$ and tetrahedral GeS$_4$ units linked by =As−S−As= and triple bondGe−S−Getriple bond structural configurations, respectively; while for the intermediate compound with x = 0.4 the structural network seems to be better homogeneous on the nanoscale due to appearance of triple bondGe−S−As= mixed structural configurations resulting in misbalance between corner-shared and edge-shared tetrahedral units in comparison with their predicted ratio for binary GeS$_2$ glass and the structure of this alloy is similar to the structure of the stoichiometric glass Ge$_{18.2}$As$_{18.2}$S$_{63.6}$ (i.e., x = 0.455) consisting of a coner-shared network of homogeneously mixed GeS$_4$ tetrahedra and AsS$_3$ pyramids. Based on the structural studies, it is also established that the balance between corner-shared and edge-shared GeS$_4$ tetrahedra in the glass backbone of the investigated GeS$_2$-based glasses seems to be responsible for the interconnectivity between two speculative Raman modes at 370 and 430 cm$^{−1}$. Compositional changes in studied glasses result in the evolution of the observed Raman bands. Such dependences of characteristic constituent Raman bands’ intensities showed that (As$_2$S$_3$)$_x$(GeS$_2$)$_{1−x}$ samples contain different nanophases whose concentration is changing along chosen compositional cross-section

Stoichiometric deviations in bond distances in the mixed As2S3−As2Se3As_{2}S_{3}-As_{2}Se_{3} system: Raman spectroscopy and EXAFS studies

Raman spectroscopy and extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) spectroscopy have been applied to find evidence for isostructural substitution of chalcogen atoms in pyramidal structural units of network glasses from stoichiometric/pseudo-binary As2S3-As2Se3 system. The obtained values of the nearest neighbours atomic distance (rAs-Se = 2.37 ± 0.01 Å; rAs-S = 2.33 ± 0.01 Å for As40Se30S30) suggest the existence of mixed AsS2Se and AsSe2S pyramids in which each of As atoms is bonded with S and/or Se atoms in relation to S/Se ratio in composition, while Se atoms are bonded only with As ones with the same bond distance in the form of = As-Se-As = bridges that connect the main pyramidal structural units. No evidence for existence of heteroatomic or heteronuclear SeS bonding is found for the examined glasse

Efecto de Tres Dosis de N,P Y K En la Produccion de Maracuya Amarillo (Passiflora Edulis Sims F. Flavicarpa Deg).

El objetivo de este trabajo fue evaluar el efecto de tres dosis de nitrógeno, fósforo y potasio durante tres años de producción del maracuyá amarillo. El experimento fue conducido en el municipio de Guaíba, Rio Grande del Sur, Brasil, en un suelo de la unidad de mapeamiento São Jerônimo (Laterítico Bruno Rojizo distrófico). El rendimiento médio anual osciló entre 13,7 y 16,7 t/ha en función de los tratamientos. El análisis estadístico no acusó diferencia entre las producciones de los diferentes tratamientos. Los tenores de macronutrientes en las hojas, mostraron valores considerados normales para el cultivo