МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕЖИМОВ РАБОТЫ СУДОВЫХ ПОТРЕБИТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИАГРАММ СОСТОЯНИЙ

The simulation of operational modes of autonomous power system electrical loads for composition of loads and generators patterns, which can be used for load forecast algorithms verification and energy efficiency of the system estimation, is discussed. The probabilistic automata using for simulation of technological processes in the system and of loads commutations processes was revealed to be able to represent correlation between the loads. The model of the power system, consisting of the interdependent parallel automata network, the signal conditioning block and the generators management block and having the communication links with the database for simulation results processing, is proposed. References 8, figures 4.Рассмотрено имитационное моделирование работы потребителей электроэнергии в автономных электроэнергетических установках с целью получения суточных графиков нагрузки установки и режимов работы генераторных агрегатов, которые могут быть использованы для верификации алгоритмов прогнозирования нагрузки и расчета показателей энергоэффективности установки. Предложено использование вероятностных автоматов для моделирования процессов, обуславливающих характеристики режимов работы потребителей электроэнергии, и процессов коммутации потребителей, что позволит учесть корреляционные связи между режимами их работы. Приведено модель электроэнергетической установки, состоящей из сети параллельных взаимозависимых автоматов, блоков нормализации сигналов и управления режимами работы генераторных агрегатов и имеющей возможность коммуникации с системой управления базами данных для хранения полученных в результате моделирования данных. Библ. 8, рис. 4.Розглянуто імітаційне моделювання роботи споживачів електроенергії в автономних електроенергетичних установках з метою отримання добових графіків навантаження установки та режимів роботи генеруючих агрегатів, які можуть бути використані для веріфікації алгоритмів прогнозування навантаження та розрахунку покажчиків енергоефективності установки. Запропоновано використання ймовірнісних автоматів для моделювання процесів, що обумовлюють характеристики режимів роботи споживачів, та процесів комутації споживачів, що дозволить врахувати кореляційні зв’язки між режимами їх роботи. Наведено модель електроенергетичної установки, яка складається з мережи паралельних взаємопов’язаних автоматів, блоків нормалізації сигналів та керування режимами роботи генеруючих агрегатів та яка має засоби комунікації з системою керування базами даних для збереження отриманих в результаті моделювання даних. Бібл. 8, рис. 4

Aharonov-Bohm interference in quantum ring exciton: effects of built-in electric fields

We report a comprehensive discussion of quantum interference effects due to the finite structure of excitons in quantum rings and their first experimental corroboration observed in the optical recombinations. Anomalous features that appear in the experiments are analyzed according to theoretical models that describe the modulation of the interference pattern by temperature and built-in electric fields.Comment: 6 pages, 7 figure

InAs/GaAs quantum-dot superluminescent light-emitting diode monolithically grown on a Si substrate

Building optoelectronic devices on a Si platform has been the engine behind the development of Si photonics. In particular, the integration of optical interconnects onto Si substrates allows the fabrication of complex optoelectronic circuits, potentially enabling chip-to-chip and system-to-system optical communications at greatly reduced cost and size relative to hybrid solutions. Although significant effort has been devoted to Si light generation and modulation technologies, efficient and electrically pumped Si light emitters have yet to be demonstrated. In contrast, III–V semiconductor devices offer high efficiency as optical sources. Monolithic integration of III–V on the Si platform would thus be an effective approach for realizing Si-based light sources. Here, we describe the first superluminescent light-emitting diode (SLD) monolithically grown on Si substrates. The fabricated two-section InAs/GaAs quantum-dot (QD) SLD produces a close-to-Gaussian emission spectrum of 114 nm centered at 1255 nm wavelength, with a maximum output power of 2.6 mW at room temperature. This work complements our previous demonstration of an InAs/GaAs QD laser directly grown on a Si platform and paves the way for future monolithic integration of III–V light sources required for Si photonics

Voltage recovery in charged InAs/GaAs quantum dot solar cells

The realization of high efficiency quantum dot intermediate band solar cells is challenging due to the thermally activated charge escaping at high temperatures. The enhancement in short circuit current of quantum dot solar cells is largely undermined by the voltage loss. In this paper, InAs/GaAs quantum dot solar cells with direct Si doping in the quantum dots are studied. The open circuit voltage is improved with increasing doping concentration in the quantum dots. The recovery of open circuit voltage as large as 105 mV is measured. This voltage recovery is attributed to suppressed charge thermal escaping from quantum dots. The suppressed thermal coupling is supported by the external quantum efficiency and photoluminescence measurements

Raman scattering reveals strong LO-phonon-hole-plasmon coupling in nominally undoped GaAsBi: optical determination of carrier concentration

We report room-temperature Raman scattering studies of nominally undoped (100) GaAs1−xBix epitaxial layers exhibiting Biinduced (p-type) longitudinal-optical-plasmon coupled (LOPC) modes for 0.018≤x≤0.048. Redshifts in the GaAs-like optical modes due to alloying are evaluated and are paralleled by strong damping of the LOPC. The relative integrated Raman intensities of LO(Γ) and LOPC ALO/ALOPC are characteristic of heavily doped p-GaAs, with a remarkable near total screening of the LO(Γ) phonon (ALO/ALOPC →0) for larger Bi concentrations. A method of spectral analysis is set out which yields estimates of hole concentrations in excess of 5 × 1017 cm−3 and correlates with the Bi molar fraction. These findings are in general agreement with recent electrical transport measurements performed on the alloy, and while the absolute size of the hole concentrations differ, likely origins for the discrepancy are discussed. We conclude that the damped LO-phonon-hole-plasmon coupling phenomena plays a dominant role in Raman scattering from unpassivated nominally undoped GaAsBi

Mechanism of periodic height variations along self-aligned VLS-grown planar nanostructures

In this study we report in-plane nanotracks produced by molecular-beam-epitaxy (MBE) exhibiting lateral self-assembly and unusual periodic and out-of-phase height variations across their growth axes. The nanotracks are synthesized using bismuth segregation on the GaAsBi epitaxial surface, which results in metallic liquid droplets capable of catalyzing GaAsBi nanotrack growth via the vapor–liquid–solid (VLS) mechanism. A detailed examination of the nanotrack morphologies is carried out employing a combination of scanning electron and atomic force microscopy and, based on the findings, a geometric model of nanotrack growth during MBE is developed. Our results indicate diffusion and shadowing effects play significant roles in defining the interesting nanotrack shape. The unique periodicity of our lateral nanotracks originates from a rotating nucleation “hot spot” at the edge of the liquid–solid interface, a feature caused by the relative periodic circling of the non-normal ion beam flux incident on the sample surface, inside the MBE chamber. We point out that such a concept is divergent from current models of crawling mode growth kinetics and conclude that these effects may be utilized in the design and assembly of planar nanostructures with controlled non-monotonous structure

THE APPLICATION OF A METHOD OF THE BOUNDARY INTEGRATED EQUATIONS FOR MODELING OF AERODYNAMIC STABILITY OF BRIDGE CONSTRUCTION

The work is devoted the modeling of oscillations of bridge construction taking into ac- count the forces of damping and rigidity. The boundary integral equation (BIE) in velocities of a multizonal body (gas + construction) is supplemented BIE oscillations of an elastic body (construction) that allows to find the increase of amplitude of their oscillation

THE APPLICATION OF A METHOD OF BOUNDARY INTEGRAL EQUATIONS OF A THEORY OF ELASTICITY FOR MODELING OF AEROELASTICITY OF BRIDGE STRUCTURES

This work describes modeling of winding of bridge structures by the wind flow for non- bound systems with an application of a method of the boundary integral equations and is de- voted to aerodynamical analysis of bound systems of interaction of solid bodies and gas, i.e. to aeroelasticity of span structures and pylons. The solutions of the 'wind flow - bridge struc- tures' interaction problems in the form of multi zonal and variation approaches are shown in the theoretical part

Модель организации жизненного цикла медицинского здания

Введение. Представлен подход к разработке организационно-технологической модели жизненного цикла здания медицинского учреждения. Проектирование, строительство и эксплуатация зданий медицинских организаций имеют ряд особенностей. К зданиям ядерной медицины предъявляются особенно высокие требования радиационной и пожарной безопасности. Материалы и методы. Для организации проектирования, строительства и эксплуатации зданий медицинских организаций целесообразно создание и развитие организационно-технологической модели жизненного цикла здания медицинского учреждения. Такая модель создана автором в виде последовательности бизнес-процессов. Подтверждение эффективности модели проведено с помощью многокритериальной экспертной оценки. Результаты. Для решения указанной проблемы автор предложил ряд изменений в порядок выполнения инвестиционного проекта. Новым элементом является Предварительное обоснование требований к объекту здравоохранения. Оно должно стать обязательным документом при получении градостроительного плана земельного участка, являющегося де-факто разрешением на проектирование. Предложено также составлять технические требования трех уровней. Требования первого уровня используются для процедур предпроектной стадии. Требования второго уровня входят в медико-техническое задание на проектирование. Требования третьего уровня предъявляются к рабочей документации, а также к строительству и эксплуатации объекта. Требования включаются в систему и проверяются на ключевых этапах реализации проекта. На предпроектной стадии целесообразно составлять также технико-экономический расчет с обоснованием основных технических решений и технико-экономических показателей. В этом документе должен также присутствовать план управления проектом. Новые элементы включаются в организационно-технологические модели различных этапов жизненного цикла объекта. Выводы. На основании разработанной модели предложено внести коррективы в нормативно-технические документы, используемые при организации строительства. Например, необходимо сделать обязательным составление документов предпроектной стадии. Эти работы должны быть оплачены за счет инвестора, поэтому норматив стоимости проектных работ потребуется увеличить