Essential Oil Constituents of Tanacetum cilicicum: Antimicrobial and Phytotoxic Activities

Aerial parts of Tanacetum cilicicum were hydrodistillated for 3 h using Clevenger. Essential oil (EO) yield was 0.4% (v/w). According to the GC/MS analyses, EO of T. cilicicum consisted of monoterpenes [ -pinene (2.95 ± 0.19%), sabinene (2.32 ± 0.11%), and limonene (3.17 ± 0.25)], oxygenated monoterpenes [eucalyptol (5.08 ± 0.32%), camphor (3.53 ± 0.27%), linalool (7.01 ± 0.32%), -terpineol (3.13 ± 0.23%), and borneol (4.21 ± 0.17%)], and sesquiterpenes [sesquisabinene hydrate (6.88 ± 0.41%), nerolidol (4.90 ± 0.33%), -muurolol (4.57% ± 0.35), spathulanol (2.98 ± 0.12%), juniper camphor (2.68 ± 0.19%), (-)-caryophyllene oxide (2.64 ± 0.19%), 8-hydroxylinalool (2.62 ± 0.15%), and Δ-cadinene (2.48 ± 0.16%)]. In the antimicrobial assay, MIC/MBC values of the EO were the most significant on B. subtilis (0.39/0.78 L/mL) and B. cereus (0.78/1.56 L/mL). The most prominent phytotoxic activities of the EO were observed on L. sativa, L. sativum, and P. oleracea. The results of the present study indicated that EO of T. cilicicum includes various medicinally and industrially crucial phytoconstituents that could be in use for industrial applications. The finding of this study is the first report on this species from the East Mediterranean region

Internet addiction, fatigue, and sleep problems among adolescent students: a large-scale study

Aim: The aim of the present study was to examine the association between Internet Addiction (IA), fatigue, and sleep problems among university students. Methods: A total of 3,000 Turkish students aged 18 to 25 years were approached and 2,350 students (78.3%) participated in this cross-sectional study from April 2017 to September 2017 in public and private universities in Istanbul. Data were collected via a structured questionnaire including socio-demographic details, lifestyle and dietary habits, Internet Addiction Test (IAT), Fatigue Scale, and Epworth Sleepiness Scale [ESS]. Descriptive statistics, multivariate and factorial analyses were performed. Results: The overall prevalence of IA among the studied population was 17.7%. There were significant differences between gender, family income, father’s occupation, school performance, frequency and duration of watching television, physical activity, internet use duration, and sleep duration (all p<0.001). Significant differences were also found between participants with IA and those without IA in having headaches, blurred vision, double vision, hurting eyes, hearing problems, and eating fast food frequently (all p<0.001). Using multivariate regression analysis, the duration of internet use, physical and mental symptoms, headache, hurting eyes, tired eyes, hearing problems and ESS scores were significantly associated with (and primary predictors of) IA. Conclusion: The present study demonstrated that IA was associated with poor dietary habits, sleep problems, and fatigue symptoms

Magnetization of silicene via coverage with gadolinium: Effects of thickness, symmetry, strain, and coverage

Bir bal peteği örgüsünde Si atomlarının serbest duran tek tabakalı yapısı silisen, Gadolinyum (Gd) atomları ile kaplandığında oda sıcaklığının üzerinde kararlı kalmakta ve üç-boyutlu GdSi2 kristalinin antiferromanyetik taban durumunun aksine iki-boyutlu bir ferromanyetik yarı iletken olmaktadır. GdSi2 yapısının çoklu tabakalarında, manyetik momentler aynı Gd atom düzlemlerinde paralel sıralansa bile, en yakın Gd düzlemleri arasında antiparaleldirler; dolayısıyla ferrimanyetik bir davranış sergilerler. Buna karşılık, silisenin her iki tarafından Gd atomları tarafından kaplanmasıyla oluşturulan serbest duran bir Gd2Si2 tek tabakası, ayna simetrisi nedeniyle kararlı bir antiferromanyetik metaldir. Her iki taraftan Gd ile kaplanan tek sayıda Gd düzlemine sahip çoklu tabakaları, ferrimanyetik benzeri bir taban durumuna sahipken, çift sayılı olanlar antiferromanyetik taban durumuna sahiptir, ancak bunların hiçbiri ferromanyetik değildir. Si(111) yüzeyinde yapılan son deneylerle uyumlu bu ilginç manyetik düzenlerden, Gd düzlemleri arasına giren silikon atomları sorumludur. Ek olarak, bu 2D gadolinyum disilisür tek tabakasının manyetik durumları, uygulanan çekme zorlanması ve Gd'nin kaplaması/dekorasyonu ile izlenebilir. Monte Carlo simülasyonları ile birleştirilmiş ilk-ilke, spin-polarize, yoğunluk fonksiyonel teori hesaplamaları kullanılarak elde edilen bu tahminler, C, B, Si, Ge, Sn ve bunların nadir toprak atomları tarafından işlevselleştirilmiş bileşiklerinin 2D spintronikte yeni nanoyapılara yol açabileceğini haber vermektedir.When covered by gadolinium (Gd) atoms, silicene, a free-standing monolayer of Si atoms in a honeycomb network, remains stable above the room temperature and becomes 2D ferromagnetic semiconductor, despite the antiferromagnetic ground state of 3D bulk GdSi2 crystal. In thin GdSi2 multilayers, even if magnetic moments are ordered parallel in the same Gd atomic planes, they are antiparallel between nearest Gd planes; hence they exhibit a ferrimagnetic behavior. In contrast, a free-standing Gd2Si2 monolayer constructed by covering silicene from both sides by Gd atoms is a stable antiferromagnetic metal due to the mirror symmetry. While multilayers covered by Gd from both sides having an odd-number of Gd planes have a ferrimagnetic like ground state, even-numbered ones have antiferromagnetic ground state, but none of them is ferromagnetic. Silicon atoms intervening between Gd planes are responsible from these intriguing magnetic orders conforming with the recent experiments performed on Si(111) surface. Additionally, the magnetic states of these 2D gadolinium disilicide monolayer can be monitored by applied tensile strain and by the coverage/decoration of Gd. These predictions obtained by using first-principle, spin-polarized, density functional theory calculations combined with Monte Carlo simulations herald that C, B, Si, Ge, Sn and their compounds functionalized by rare-earth atoms can lead to novel nanostructures in 2D spintronics

Strain engineering of electronic and optical properties of monolayer diboron dinitride

Mekanik zorlanma ile ortorombik dibor dinitrürün (o-B2N2), elektronik, yapısal, mekanik ve optik özellikleri üzerindeki etkisi ilk ilke hesaplamaları kullanılarak incelenmiştir. Zorlanma olmadığı durumda o-B2N2'de gözlenen 1.7 eV direkt bant aralığı, x ve y yönlerinde sırasıyla %12 çekme zorlanması uygulanarak 3 eV'ye kadar yükselterek ve 1 eV'ye kadar düşürerek ayarlanabilir. o-B2N2'nin nihai zorlanma değerlerinin grafeninkiyle karşılaştırılabilir olduğu bulundu. Hesaplamalarımız, zorlanmamış denge durumundaki o-B2N2'nin, suyun redoks potansiyelleri ile bant kenarlarının kısmi hizalanmasının, x ve xy eksenli çekme zorlanmaları altında tam bir hizaya ayarlanabileceğini ortaya koydu. o-B2N2'de bulunan anizotropik yük taşıyıcı hareketliliği, yüzeyinde fotoindüklü katalitik reaksiyonlar için uygun bir koşul yaratarak, taşıyıcı sürüklenmesinin ortalama ömrünü uzatır. Son olarak, aşırı zorlama rejimlerinde bile, o-B2N2'nin yüksek oranda anizotropik optik absorpsiyonunun ve görünür aralıkta güçlü absorpsiyonun korunduğunu bulduk. Güçlü görünür ışık absorpsiyonuna ve uzun süreli taşıyıcı geçiş süresine sahip olması yanında, zorlanma uygulamasının, bant aralığı enerjisini ve o-B2N2 bant hizalamasını ayarlamak ve bu iki boyutlu malzemeyi su ayrıştırması yönteminden verimli hidrojen üretimi için umut verici bir fotokatalizöre dönüştürmek için etkili bir yol olduğunu öneriyoruz.We studied the effect of strain engineering on the electronic, structural, mechanical, and optical properties of orthorhombic diboron dinitride (o-B2N2) through first-principles calculations. The 1.7-eV direct band gap observed in the unstrained o-B2N2 can be tuned up to 3 eV or down to 1 eV by applying 12% tensile strain in armchair and zigzag directions, respectively. Ultimate strain values of o-B2N2 were found to be comparable with that of graphene. Our calculations revealed that the partial alignment of the band edges with the redox potentials of water in pristine o-B2N2 can be tuned into a full alignment under the armchair and biaxial tensile strains. The anisotropic charge carrier mobility found in o-B2N2 prolongs the average lifetime of the carrier drift, creating a suitable condition for photoinduced catalytic reactions on its surface. Finally, we found that even in extreme straining regimes, the highly anisotropic optical absorption of o-B2N2 with strong absorption in the visible range is preserved. Having strong visible light absorption and prolonged carrier migration time, we propose that strain engineering is an effective route to tune the band gap energy and band alignment of o-B2N2 and turn this two-dimensional material into a promising photocatalyst for efficient hydrogen production from water splitting

Metalik nano yapılar civarında tek elektronlu iyonlardan oluşan gaz hedeflerden üretilen yüksek mertebeli harmonik spektrumda çift mertebeli harmoniklerin bastırılması

ÖZETMETALİK NANO YAPILAR CİVARINDA TEK ELEKTRONLU İYONLARDAN OLUŞAN GAZ HEDEFLERDEN ÜRETİLEN YÜKSEK MERTEBELİ HARMONİK SPEKTRUMDA ÇİFT MERTEBELİ HARMONİKLERİN BASTIRILMASIYüksek Mertebeli Harmonik Üretim (HHG) süreci belirli bir frekansa sahip ve yeteri derecede şiddetli lazer alanının parçacıkları atom veya molekül olan gaz hedeflerle etkileşmesi sonucu oluşan bir süreçtir. Lazer alanın şiddet arttıkça etkileştiği atom veya molekülde indirgediği kutuplanma alan genliğinin artan oranda kuvvetlerine bağlı hale gelerek HHG sürecini lineer olmayan bir sürece dönüştürür. HHG, literatürde “three step model” olarak bilinen yarı-klasik model çerçevesinde açıklanabilir. Bu model özü itibariyle üç basamaktan oluşmaktadır. Sürecin ilk basamağı iyonlaşma süreci olarak bilinir. İyonlaşma basamağı lazer alanın etkisiyle hedef atomdaki bir elektronun iyonlaşması şeklinde anlaşılmalıdır. Sürecin ikinci basamağında serbest kalan elektron lazer alanının çevrim periyodunun ilk yarısında bir yöne, ikinci yarısında ise bunun tersi yönde hızlandırılarak hareket ettirilir. Elektronun lazer alanındaki ivmeli sürüklenme hareket yönü iyonlaştığı atomik sisteme doğru olursa elektron bu sistemle yeniden birleşebilir veya bu sistemden saçılarak ortamdan uzaklaşabilir. Elektronun iyonlaştığı atomik sistemle yeniden birleşmesi üç adım modelinin son basamağını oluşturur. Bu son basamakta elektronun lazer alanını ile etkileşmesi sonucu kazandığı enerjinin çevreye frekansı lazer alan frekansının tek tam sayı katlarına eşit frekansta fotonların yayılmasını sağlar. HHG süreci ile üretilen harmonik frekanslar optik bölgeden aşırı ultraviyole frekans bölgesine kadar uzanan geniş bir aralıkta olmaktadır.HHG yöntemiyle ottosaniyeli (1 ottosaniye = 10-18 saniye) atmaların üretilebilmesi mümkündür. Bu tür atmaların zaman aralıkları atomik boyutlarda gözlenen pek çok sürecin doğal zaman ölçeği ile örtüşmektedir. Bu durum atom, molekül ve katılarda gözlenen dinamik süreçlerin zaman çözünürlü araştırılmasının kapısını açmıştır.HHG spektrumundaki kesme frekansını büyüterek daha kısa dalga boylu atma üretimi son zamanlarda önemli bir araştırma konusu olarak ortaya çıkmıştır. Harici lazer alan etkisiyle metal nano yapıların yüzeylerinde oluşturulan yüzey plazmon rezonans etkisiyle, bu yapılar civarına konumlandırılmış gazlardan üretilebilen HHG spektrumlarına ait kesme frekanslarını daha büyük değerlere taşımak mümkündür. Biz bu tezimizde papyon (bow-tie) şeklinde hazırlanmış metalik nano yapılar arasına yerleştirilmiş farklı türden tek elektronlu atom ve iyonların şiddetli lazer alanıyla etkileştirilmeleri sonucu üretilen harmonik spektrumu inceledik. Bu çalışmanın temel amacı lazer alanının etkisiyle metalik nano parçacıkların yüzeylerinde oluşan plazmonların harmonik spektruma etkisini ortaya koymaktır. Lazer alanıyla plazmonlar arasındaki etkileşme gaz parçacıklarının bulunduğu ortamda uzay değişimi düzgün olmayan şiddeti hayli artmış ortak bir alanın oluşmasına neden olur. Zamana bağlı Schrödinger dalga denklemi bu ortak alanda çözülerek atomu ve ve iyonları için harmonik spektrum elde edilmiştir. Plazmonik etkinin, harmonik spektruma ait kesilme eşiğini ciddi anlamda beklentilere uygun şekilde kaydırdığı gözlemlenmiştir.ABSTRACTSUPRESSION OF EVEN-HARMONICS OF HIGH HARMONIC GENERATION BY GAS TARGETS WHICH FORMED SINGLE ELECTRONS IN THE METALLIC NANOSTRUCTURESWhen a sufficiently intense laser field with a definite frequency interacts with atoms or molecules in gas phase, they emit energetic photons. This process is called High Order Harmonic Generation (HHG). When an intense laser field interacts with the atoms or molecules, it induces dipole moments. As the intensity of the laser filed increases, the dependence of these dipole moments on the electric field component of the laser field becomes nonlinear, thus renders the HHG process nonlinear. HHG processes can be explained by a semi-classical model so called as “three step model” in litterateur. This model essentially consists of three steps. The first step of this model is known as the ionization processes. The ionization process in here should be understood as the ionization of the electron due to the interaction of the laser field with the target atom or the molecule. In the second step of this model, the freed electron at the end of the first step is accelerated outwards by the electric field component of the laser field in the first half cycle of the period of the laser field. In the second half cycle of the period of the laser field, the electron is accelerated in the opposite direction. If the accelerated drift of the electron in the laser field is towards the parent atom or the molecule, the electron can either recombine or scatter off the system. The recombination of the electron with the parent atom or the molecule comprises the third step of this model. At the end of the second the step, the electron becomes very energetic due to the interaction with the laser field. When the electron recombines with the parent atom or the molecule, it releases its excess energy by emitting photons with frequencies of odd integer multiples of the frequency of the laser field. The wide range of the frequencies of the photons emitted by the electron in the recombination processes of HHG varies from optical region to extreme ultraviolet region.HHG process enables the generation of laser pulses at the order of attoseconds (1 attosecond = ) . This time scale of the laser pulses generated by the HHG process overlaps with the natural time scale of many atomic processes. This enables the high resolution time scale research of many observed dynamical processes of atoms, molecules, and solids. The short wavelength laser pulse generation by extending the cutoff frequency of HHG spectrum has become an important subject of research. It is possible to extend the cutoff frequency of HHG by coupling the laser field with the resonant plasmonic field generated by the interaction of the laser field with the metallic nanostructures located at the vicinity of the target atoms or molecules. In this work, we investigated the high harmonic generation from single electron ions located at the vicinity of metallic nanostructures in the shape of bow-tie (as a result of the interaction with the intense laser field). The main purpose of this work is to investigate the effect of resonant plasmonic, field due to the interaction of the laser field with the metallic nanostructures, on the high harmonic generation process. The coupling of the laser field with the resonant plasmonic field generates a spatially inhomogeneous common field. The time dependent Schrodinger equation is solved numerically in the common field and high harmonic spectra for H, and is obtained. It is observed that the plasmonic effect significantly enhances the high harmonic generation and extends the cutoff frequency, as expected

Structural and electronic properties of monolayer group III monochalcogenides (conferenceObject)

National Meeting of the American-Chemical-Society (ACS) -- MAR 31-APR 04, 2019 -- Orlando, FLWOS: 000478860504862…Amer Chem So

Temperature, strain and charge mediated multiple and dynamical phase changes of selenium and tellurium

Demirci, Salih/0000-0002-1272-9603; Jahangirov, Seymur/0000-0002-0548-4820WOS: 000516533300035PubMed: 31970352Semiconducting selenium and tellurium in their 3D bulk trigonal structures consist of parallel and weakly interacting helical chains of atoms and display a number of peculiarities. We predict that thermal excitations, 2D compressive strain and excess charge of positive and negative polarity mediate metal-insulator transitions by transforming these semiconductors into different metallic crystal structures. When heated to high temperature, or compressed, or charged positively, they change into a simple cubic structure with metallic bands, which is very rare among elemental crystals. When charged negatively, they transform first into body-centered tetragonal and subsequently into the body-centered orthorhombic structures with increasing negative charging. These two new structures stabilized by excess electrons also have overlapping metallic bands and quasi 2D and 1D substructures of lower dimensionality. Since the external charging of crystals can be achieved through their surfaces, the effects of charging on 2D structures of selenium and tellurium are also investigated. Similar structural transformations have been mediated also in 2D nanosheets and free-standing monolayers of these elements. These phase changes assisted by phonons are dynamical, reversible and tunable; the resulting metal-insulator transitions can occur within very short time intervals and may offer important device applications.Scientific and Technological Research Council of Turkey (TuBTAK)Turkiye Bilimsel ve Teknolojik Arastirma Kurumu (TUBITAK) [118F097]; National Center for High Performance Computing of Turkey (UHeM)Istanbul Technical University [5004132016]; TuBA, Turkish Academy of Sciences The Academy of Science of Turkey; The Academy of Science of Turkey - Outstanding Young Scientists Award Program (TuBA-GEBIP)This work was supported by the Scientific and Technological Research Council of Turkey (TuBTAK) under Project No 118F097. The computational resources are provided by TuBITAK ULAKBM, High Performance and Grid Computing Center (TR-Grid e-Infrastructure) and the National Center for High Performance Computing of Turkey (UHeM) under Grant No. 5004132016. S. D. thanks UNAM, National Nanotechnology Center at Bilkent University for the hospitality. S. C. thanks TuBA, Turkish Academy of Sciences The Academy of Science of Turkey for the financial Support. S. J. acknowledges support from The Academy of Science of Turkey - Outstanding Young Scientists Award Program (TuBA-GEBIP)

Monolayer diboron dinitride: Direct band-gap semiconductor with high absorption in the visible range

Ershad Rad, Soheil/0000-0001-8947-9625WOS: 000518534400009We predict a two-dimensional monolayer polymorph of boron nitride in an orthorhombic structure (o-B2N2) using first-principles calculations. Structural optimization, phonon dispersion, and molecular dynamics calculations show that o-B2N2 is thermally and dynamically stable. o-B2N2 is a semiconductor with a direct band gap of 1.70 eV according to calculations based on hybrid functionals. The structure has high optical absorption in the visible range in the armchair direction while low absorption in the zigzag direction. This anisotropy is also present in electronic and mechanical properties. The in-plane stiffness of o-B2N2 is very close to that of hexagonal boron nitride. The diatomic building blocks of this structure hint at its possible synthesis from precursors having B-B and N-N bonds.Scientific and Technological Research Council of Turkey (TUBITAK)Turkiye Bilimsel ve Teknolojik Arastirma Kurumu (TUBITAK) [118F097]; Turkish Academy of Sciences-Outstanding Young Scientists Award Program (TUBA-GEBIP)Turkish Academy of Sciences; National Center for High Performance Computing of Turkey (UHeM)Istanbul Technical University [5003622015]This work was supported by the Scientific and Technological Research Council of Turkey (TUBITAK) under Project No. 118F097. S.J. acknowledges support from the Turkish Academy of Sciences-Outstanding Young Scientists Award Program (TUBA-GEBIP). Part of the computational resources is provided by the National Center for High Performance Computing of Turkey (UHeM) under Grant No. 5003622015. S.D. thanks UNAM, National Nanotechnology Research Center at Bilkent University for the hospitality

Genetik Analizde t4;22 (q21;p13) Resiprokal Translokasyon Saptanan Azospermi Olgusu

Azospermi santrifüje edilen semen örneğinde hiç spermatozoa saptanmaması olarak tanımlanır. Azospermi tüm erkeklerin yaklaşık % 1’inde bulunurken infertil erkeklerin ise yaklaşık %15’inde saptanmaktadır. Azospermili erkeklerin değerlendirilmesinde altta yatan etyolojinin belirlenmesi tedavi planı açısından önemlidir. Etyoloji nonobstrüktif ve obstrüktif azospermi olarak gruplanabilir. Nonobstrüktif azospermi hipotalamik-hipofizer-gonadal aksta sorun nedeniyle oluşurken, obstrüktif azospermide rete testis ile ejakulator kanal arasındaki herhangi bir seviyede obstrüksiyona bağlı sprem transportunda bozulma vardır. Testis kaynaklı azospermi genellikle düzeltilemez. Primer testiküler yetmezlik nedeniyle oluşan azospermide muhtemel kromozomal anomali açısından genetik testler yapılmalıdır. Genetik analiz sonucu t4;22 (q21;p13) resiprokal translokasyon saplanan bir azospermi olgusu sunulmuştur