Machinisme agricole sur le périmètre M'Pourié : diagnostic et propositions

Termes de références de la mission : au cours de la première phase de diagnostic, les auteurs devaient faire l'inventaire du matériel avec ses caractéristiques techniques et son état, calculer les coûts d'exploitation et de maintenance, estimer les performances et l'adéquation du matériel au terrain et à la qualification de la main d'oeuvre, enfin, établir un diagnostic des 2 rizeries en place. Au cours de la deuxième phase, concernant les potentialités et les options, ils devaient définir les besoins réels en machinisme pour le riz, le sorgho, le trèfle et le maraîchage, les performances des matériels, les besoins en main d'oeuvre et déterminer les coûts d'exploitation et de maintenance ainsi que les avantages et les inconvénients des différents systèmes de gestion du matériel dans le contexte physique et humain de M'Pouri

L.P.E. growth rate in Ga-As-Ge and Ga-As-Sn systems

High doping levels in GaAs grown by L.P.E. necessitate large amounts of Ge or Sn in the melt. The influence of these elements on the growth rate of GaAs is studied. The experiments were carried out at 1 073 K over wide ranges : xLGe up to 0.55 and xL Sn up to 0.8. It was shown that the layer thickness is not modified by Ge whereas it is greatly increased by large fractions of Sn. These results are then analysed on the basis of a diffusion limited growth model. The estimated values of As diffusion in Ga-Ge and Ga-Sn melts increase with x Ldopant, but are about the same value as in pure Ga.L'obtention de dopages élevés dans les couches épitaxiales de GaAs réalisées en phase liquide nécessite d'importantes quantités de Ge ou de Sn dans le bain. L'influence de ces éléments sur la cinétique de croissance du solide est déterminée à 1 073 K pour 0 ≤ xLGe ≤ 0,55 et pour 0 ≤ xL Sn ≤ 0,8. On montre que l'épaisseur déposée n'est pas modifiée par la présence de Ge alors qu'elle est fortement augmentée par de grandes concentrations de Sn. L'interprétation de ces résultats par un modèle de croissance limitée par la diffusion conduit à des estimations des coefficients de diffusion du soluté As dans les alliages liquides Ga-Ge et Ga-Sn. Les valeurs trouvées augmentent avec la fraction de dopant mais restent du même ordre de grandeur que celle dans le gallium pur

L.P.E. growth rate in Ga-As-Ge and Ga-As-Sn systems

High doping levels in GaAs grown by L.P.E. necessitate large amounts of Ge or Sn in the melt. The influence of these elements on the growth rate of GaAs is studied. The experiments were carried out at 1 073 K over wide ranges : xLGe up to 0.55 and xL Sn up to 0.8. It was shown that the layer thickness is not modified by Ge whereas it is greatly increased by large fractions of Sn. These results are then analysed on the basis of a diffusion limited growth model. The estimated values of As diffusion in Ga-Ge and Ga-Sn melts increase with x Ldopant, but are about the same value as in pure Ga

Revue sur les techniques de contrôle des plantes aquatiques

The various available aquatic plant control methods, whether mecanical, chemical, biological methods or habitat manipulations are reviewed. Their respective use in France are also described. / Les diverses méthodes de contrôle des plantes aquatiques disponibles, mécaniques, chimiques, biologiques et manipulations des habitats sont passées en revue. Leurs utilisations respectives en France sont également présentées

The role of HIV1 Nef in T-cell activation: Nef impairs induction of Th1 cytokines and interacts with the Src family tyrosine kinase Lck

International audienc

Elaboration par épitaxie en phase liquide isotherme de photopiles solaires performantes à hétérostructure graduelle GaAlAs/GaAs

High efficiency (p) Ga1-xAlxAs:Be-(p) GaAs : Be-(n) GaAs : Si solar cells are made by isothermal growth from a saturated solution. This simple procedure produces in a same time a diffused junction in the n type substrate and a thin (< 800 Å) graded band-gap window Ga1-xAlxAs layer. It is possible in a run to use several substrates.Des cellules solaires performantes à structure (p) Ga1- xAlxAs:Be-(p) GaAs:Be-(n) GaAs:Si sont réalisées par croissance isotherme à partir d'une solution saturée. Cette procédure simple produit à la fois une jonction diffusée dans le substrat de type n et une fenêtre Ga1-xAlxAs mince (< 800 Å) à gradient de bande interdite. Plusieurs structures peuvent être élaborées avec le même bain d'épitaxie