Mechanism For Lo-phonon Temperature Overshoot In Gaas

Carrier relaxation and LO-phonon dynamics are investigated in GaAs crystals illuminated by picosecond laser pulses. It is evidenced that an overshoot of the LO-phonon quasitemperature above the electron quasitemperature can occur in the absence of intervalley scattering. This effect is ascribed to the screening of the polar optical interaction. © 1994 The American Physical Society.49117257726

Diatomáceas Epifíticas (diatomeae) No Reservatório Urbano Piraquara Ii, Estado Do Paraná

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)We conducted a taxonomical study of epiphytic diatoms on the macrophytes Polygonum hydropiperoides, Ludwigia peruviana and Alternanthera philoxeroides collected in the mesotrophic reservoir Piraquara II flooded in 2009, located in the state of Paraná. A total of 135 infrageneric taxa were identified, among them five at generic level and other five are first records to the state. We provided illustration, valve metrics, meristics limits and taxonomic reference for each taxon. Also, life forms and species frequency are given. The most frequent diatoms totalized 15.3% of total identified taxa and sporadic species represented 54.7%. Achnanthidium minutissimum (Kützing) Czarnecki and Brachysira neoexilis Lange-Bertalot occurred in more than 90% of analyzed samples. Among the very frequent diatoms we found other species included in Achnantidium, Fragilaria and Eunotia. The solitary Discotella stelligera (Cleve & Grunow) Houk & Klee and the short chain Aulacoseira tenella (Nygaard) Simonsen are free living species that entangle among diatoms from the biofilm. © 2016, Universidade Estadual de Campinas UNICAMP. All rights reserved.164CNPq, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e TecnológicoConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq

EFFECT OF FREE-CARRIER SCREENING ON THE ULTRAFAST RELAXATION KINETICS IN HOT POLAR SEMICONDUCTORS

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Filosofia do direito

Divulgação dos SUMÁRIOS das obras recentemente incorporadas ao acervo da Biblioteca Ministro Oscar Saraiva do STJ. Em respeito à Lei de Direitos Autorais, não disponibilizamos a obra na íntegra.Localização na estante: 340.12 A851

A prisão em questão

Resumo: O presente trabalho tem por objeto de investigação desenvolver reflexões sobre a instituição total prisão a partir da realidade brasileira e latino-americana, a fim de entender em que bases estão assentados os fundamentos que, supostamente, atribuem-lhe legitimação. Contudo, o foco principal da presente investigação não está estabelecido em pensar e apresentar alguma espécie "oficial" de alternativa ao cárcere, ou mesmo defender, por meio da argumentação, qualquer tipo de postura no âmbito da política criminal, de cariz repressivo ou minimalizante. De outra banda, também não é premissa da presente investigação desenvolver uma arqueologia da história da prisão de modo a descrever como a prisão, inicialmente uma estrutura acessória de contenção para a aplicação de outras formas de castigo, passou a ser a principal resposta punitiva à delinquência no âmbito dos sistemas penais ocidentais, ou ainda descrever analiticamente os diversos modelos penitenciários que foram sendo pensados e implementados no decorrer dos últimos dois séculos. Estabelecidos, então, tais marcos investigativos e a perspectiva em que se assenta o trabalho, busca-se então efetivamente averiguar, a partir do contraste entre o discurso oficial jurídico-penal legitimante do cárcere como forma de castigo e os discursos críticos da instituição prisão, se o fenômeno da contínua reiteração do uso do cárcere encontra explicação no campo estritamente jurídico, ou se, ao contrário, tal justificativa está imbricada em outro campo epistemológico do saber humano, mais precisamente, o político. Feitos este contraste e mediação entre os discursos, procura-se projetar neste trabalho, então, quais os processos e os mecanismos existentes nas próprias relações de poder que, principalmente no fim do século XX e início do século XXI, realocaram o cárcere novamente em uma posição central nos sistemas penais ocidentais, culminando por conduzir à explosão das taxas de encarceramento em todo o mundo ocidental a partir dos anos 90 do século passado, em progressão sensivelmente maior que a taxa demográfica dos países ocidentais. E, por fim, feita essa análise de maneira aprofundada, pretende-se então fixar qual o atual papel histórico da instituição prisão nas sociedades ocidentais, com evidente destaque para as realidades brasileira e latino-americana, bem assim identificar algumas tendências que, desde agora, parecem ser possíveis de vislumbrar quanto ao próprio cárcere e sua (crescente) utilização pelos Estados democráticos que neste trabalho se tomam em conta com especial interesse

Evolução temporal de excitações elementares em semicondutores fortemente fotoexcitados

Orientador: Roberto LuzziTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: É apresentado um método que permite, a partir de primeiros princípios, obter equações de transporte generalizadas com as quais é possível estudar sistemas longe do equilíbrio térmico. Usando esse método obtivemos equações de transporte não lineares que descrevem os processos irreversíveis que ocorrem em experimentos do tipo "bombeamento-prova". Conseguimos, dessa forma, analisar a termodinâmica de não equilíbrio e os processos de relaxação em semicondutores polares submetidos a altos níveis de excitação ótica. Calculamos também a função número de ocupação para diferentes modos de fonons longitudinais óticos. A equação cinética para essa função é escrita em termos dos parâmetros termodinâmicos relevantes que descrevem o estado macroscópico de não equilíbrio. Em ambos os casos os resultados obtidos são comparados com dados experimentais referentes ao GaAsAbstract: We present a method that using a first principle theory allow us for the determination of nonlinear transport equations which describe irreversible processes in far from equilibrium systems. This method is applied to study the nonequilibrium thermodynamics and kinetics of evolution of relaxation processes in polar semiconductors under high levels of optical excitation. We also calculate the time-evolution of the number occupation function of different longitudinal optical phonon modes. The kinetic equation for this function is written in terms of the relevant thermodynamic parameters that describe the nonequilibrium macroscopic state of the system. Comparison of theory with results obtained in experiments of ultra-fast time resolved optical spectroscopy of GaAs is done, obtaining a good agreementDoutoradoFísicaDoutor em Ciência

Time Evolution Of Nonequilibrium Photoexcited Plasma In Polar Semiconductors

The nonequilibrium thermodynamics and kinetics of evolution of relaxation processes in polar semiconductors under high levels of optical excitation is studied. This is done using a first-principles theory that allows for the determination of the nonlinear transport equations which describe the irreversible processes that develop in the media in typical pump-probe experiments. Numerical calculations are presented which permit a comprehensive discussion of measurements of ultrafast-time-resolved optical spectra of GaAs. © 1983 The American Physical Society.27127563757

Gravidez, Aborto e Parentalidade nas Transmasculinidades:: Um estudo de caso das políticas, práticas e experiências discursivas

As diversas facetas das transmasculinidades coexistem com frequentes obstáculos que se interpõem nos campos da saúde, da segurança pública, da educação e de muitos outros. Pessoas transmasculinas enfrentam a invisibilização de seus corpos, identidades e a alocação dos mesmos em lugares sociais que não lhes dizem respeito, promovendo inacessibilidade a serviços e direitos básicos - especialmente relativos à saúde

Ultrafast kinetics of evolution of optical phonons in a photoinjected highly excited plasma in semiconductors

We consider the ultrafast kinetics of evolution of optical phonons in a photoinjected highly excited plasma in semiconductors. The state of the nonequilibrium ('hot') phonon system is described in terms of the concept of a nonequilibrium temperature, referred to as quasitemperature, per mode, which can be experimentally characterized and measured. The phonon emission time shows that optical phonons are preferentially produced, well in excess of equilibrium, in a reduced off-center region of the Brillouin zone. The phonons in this region are responsible for the phenomenon referred to as 'hot-phonon temperature overshoot.' Most of the phonons, namely, those outside such a region, are only weakly to moderately excited, and mutual thermalization of the nonequilibrium carriers and optical phonons follows, typically, in the tenfold picosecond scale. All these results are influenced by the experimental conditions, which we discuss on the basis of calculations specialized for GaAs. Comparison with experimental data is presented.5416113111131

DIFFUSION OF PHOTOINJECTED CARRIERS IN PLASMA IN NONEQUILIBRIUM SEMICONDUCTORS

We consider effects of diffusion in the photogenerated carrier system in highly photoexcited polar semiconductors. We develop a quantum quasihydrodynamic description of the system based on the nonequilibrium statistical operator formalism. We derive a generalized Fick's diffusion equation for the charge density of the carriers, with the ambipolar diffusion coefficient obtained at the microscopic level and depending on the evolving macroscopic (nonequilibriium thermodynamic) state of the sample. A detailed numerical calculation for the case of GaAs is done, obtaining good agreement with experimental data.4815108731088