Design and Implementation of Telecom Xinjiang Company ISMP-B Based on J2EE

随着互联网以及软件、云计算等技术及业务的发展，特别是在中国电信全面开展并实施全业务的重大背景下，面向中国电信的政企客户，推出符合市场发展潮流的商务领航业务是正确的决策。电信新疆公司领航平台的构建也正是其时。 作为大型复杂企业系统电信新疆公司领航平不管是从业务功能方面还是相关系统支撑方面存在很多的不足和缺陷，特别是商企平台需要比较大的改进，对领航平台的改造是必要的，同时从平台的网络现状及相关系统的可扩展性来看，对领航平台的建设和改造是可行的。升级后的领航平台主要包括六个模块分别是分别为频道接入、业务管理、能力管理、SI管理、行业综合汇聚网关和外部接口部分这六个模块。 本论文为如何实现大型复杂...With the rapid development of the Internet and technology such as software and cloud computing, China Telecom is facing a big challenge to keep up with other IT companies. So China Telecom is going to develop the complete business for government customers and enterprise customers and brought out the policy to develop the business pilot. As a result, Telecom Xinjiang Company ISMP-B is constructed. ...学位：工程硕士院系专业：软件学院_工程硕士(软件工程)学号：X201123014

浙江省成人吸烟行为趋势研究

目的了解浙江省成人吸烟状况及变化趋势,为制定控烟政策和评估控烟效果提供依据。方法于2004年、2010年和2016年,采用多阶段随机抽样方法从浙江省30个省级卫生监测县(市、区) 15~69岁常住居民中分别抽取7 478、 7 615和7 546人进行吸烟专题调查,分析成人吸烟率和戒烟率变化趋势。结果 2016年,成人现在吸烟率为22.21%,标化率为19.82%,较2004年下降29.64%;男女现在吸烟率分别为45.23%和0.54%,标化率分别为38.54%和0.44%,分别较2004年下降29.13%和55.56%;城市和农村居民现在吸烟率分别为19.27%和24.04%,标化率分别为17.51%和21.27%,分别较2004年下降27.61%和30.26%,且农村居民现在吸烟率高于城市(P0.05)。2016年成功戒烟率为8.29%,标化率为6.16%,总体呈下降趋势(P0.05),但戒烟意愿标化率由2004年的12.23%上升至2016年的19.81%(P<0.05)。结论浙江省成人现在吸烟率呈下降趋势,男性成功戒烟率变化不明显。浙江省公益技术应用研究计划(2017C33090

利用快速傅里叶变换算法仿真光学相关器

光学相关器在图像模式识别中具有广泛的应用,包括匹配滤波相关器和联合变换相关器,两种相关器在应用中各有优势。文章通过利用数学软件MATlAb的快速傅里叶变换算法编程仿真两种光学相关器,得到实验结果的二维图像和三维图像,并比较两种相关器的识别效果

基于电荷共享缓冲输出的LCD驱动电路设计

随着手持移动设备使用的增加,液晶显示器驱动芯片的功耗问题越来越受到人们的关注,如何减少芯片功耗已经成为设计的重点。设计一款适用于小尺寸液晶显示器的驱动芯片,采用rail-to-rail缓冲放大器和电荷共享技术的列驱动缓冲输出电路。设计中采用rail-to-rail缓冲放大器适应驱动电路的电压极性特点,可以很好地减少静态功耗;并且充分利用了点反转驱动方法相邻行和列电压极性均不相同的特点,采用了一种新的电荷共享技术,使其相邻的行和列相互充电,使动态功耗在理论上减少到原来的25%

Research on Automatic Acquisition and Preprocessing Methods of Domain Ontology Learning Corpus

[目的/意义]实现领域语料的自动获取与预处理，为机器/深度学习驱动的领域本体自动构建提供数据及数据处理技术基础。[方法/过程]首先，对所涉及语料的类型、获取方法及应用研究现状进行分析，提出多源异构领域语料的自动获取方法，包括基于Web Spider的网络开放领域语料和基于Web API的科学文献领域语料的自动获取等。其次，分析提出领域基础知识词典的自动构建方法，为语料预处理奠定基础。最后，通过对主流分词方法及开源分词工具进行测试与评估，提出基于增量训练HanLP-SP领域分词模型的多策略混合的自动分词与新词发现方法，并进行实验研究。[结果/结论]方法能够有效获取到领域语料，并实现分词等预处理任务。</p

基于通关效率的定制化产品出口竞争及对策分析

本文研究了"一带一路"背景下基于通关效率提升的定制化产品出口竞争问题。综合考虑通关时间、定制水平和定制时间等因素,通过建立基于行为的定价(behavior-based pricing,BBP)模型,分析我国定制化产品生产企业怎样在通关效率提升环境下提高在"一带一路"沿线国家中的市场竞争力。研究结果表明,"一带一路"倡议提高通关效率对于企业来说至关重要,在定制化偏好较高的行业中,高的通关效率可以降低企业生产压力;而在定制化偏好低的行业中,高通关效率则成为企业增加市场份额的决定性因素。此外,在定制化偏好高的行业中企业的定制化水平是影响其市场份额增加的重要因素。对此,结合我国目前出口现状进一步提出相对应的政策建议。国家自然科学基金项目(71540002; 71601074

双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响

性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷（Γ能谷与L能谷）结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率:一方面,处于Γ能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处于L能谷的导带电子通过谷内光学声子散射以及二次谷间光学声子散射或者直接通过谷间光学声子散射的方式跃迁到Γ能谷.当掺杂浓度界于1017cm-3到1019cm-3时,适当提高N型掺杂浓度有利于提高直接带Γ能谷导带底电子占有率,进而提高Si基Ge材料直接带发光效率.国家自然科学基金青年基金(批准号:61604041);;福建省自然科学基金青年基金(基金号:2016J05147);;福建省教育厅2017年高校杰出青年科研人才培育计划项目;;福建工程学院校科研启动基金(批准号:GY-Z14073)资助的课题~

Design and Analysis of Elastic Component of Resonant Cylinder Pressure Sensor

利用有限元分析软件AnSyS对振筒式压力传感器弹性元件——谐振筒进行了动态特性仿真分析,建立了谐振筒的参数化模型,基于模态分析选定合适的工作振型,重点利用谐响应分析讨论了谐振筒品质因数的影响因素。研究表明,当谐振筒的基模态为(4,1)模态时,品质因数随谐振筒外半径、有效长度以及壁厚的增加而减小,而工作时作用于谐振筒的激励载荷只改变了谐振筒振幅大小,对品质因数无明显影响。通过瞬态动力学分析计算得到谐振筒的调节时间,证明了谐振筒具有较好的动态响应特性。为谐振筒的结构设计和优化提供了参考。Simulation and analysis on dynamic behavior of resonant cylinder which composed the pressure sensor as the elastic component are conducted using the finite element analysis software ANSYS.Parametric model is established.Based on the modal analysis,an appropriate mode for work is selected out.Factors affecting quality factor are discussed mainly through harmonic response analysis.Results indicate that,when the cylinder worked on(4,1) mode,quality factor would decreases as radius,effective length or thickness increase,while the force only had an influence on the amplitude of the vibration rather than the quality factor.Adjusting time is obtained by transient dynamic analysis,thus proving the rapidity of resonant cylinder.The study provides reference both for structure design and optimization

Schottky Barrier S /D Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Ge /SiGe Heterostructure

制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅SI基gE/SIgE异质结构肖特基源漏场效应晶体管(Sb-MOSfET)器件,研究了n型掺杂SI0.16gE0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SIgE层降低器件关态电流的机理。使用uHV CVd沉积系统,采用低温gE缓冲层技术进行了材料生长,首先在SI衬底上外延gE缓冲层,随后生长32 nM SI0.16gE0.84和12 nM gE,并生长1 nM SI作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积nI薄膜并退火形成nIgE/gE肖特基结,制备的P型沟道肖特基源漏MOSfET,其未掺杂gE/SIgE异质结构MOSfET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。Si-based Ge /SiGe heterostructure Schottky barrier source and drain metal oxide semiconductor field effect transistors( SB-MOSFETs) with hafnium dioxide high-k gate were fabricated.The effect of the n-type doped Si 0.16 Ge 0.84 layer on the device performance was investigated,and the mechanism of the device off-state current reduction caused by the n type doping SiGe layer was analyzed.Firstly,Ge buffer was fabricated with low-temperature Ge buffer technique.Then a 32 nm Si 0.16 Ge 0.84 layer and a 12 nm Ge layer were grown on the Ge buffer in the same UHVCVD system.For comparative study, the 32 nm Si 0.16 Ge 0.84 layer was controlled undoped or n-type doped by P.For all samples,1 nm Si layer was grown to passivate the Ge surface.Atomic force microscopy and X-ray diffraction were used to characterize the surface morphology and crystal quality of the materials.NiGe / Ge Schottky junctions in source and drain were formed by nickel layer deposition and anneal.The fabricated Ge / SiGe heterosturctual MOSFET device without n-type doping shows 150% enhancement of the hole effective mobility over that of the control Si device and about 80% enhancement over the universal Si device.And the device with n-type doping shows a comparable hole effective mobility with the universal Si MOSFET device.国家自然科学基金资助项目(61036003;61176092); 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2012CB933503;2013CB632103); 中央高校基本科研业务费资助项目(2010121056