信息产业与经济增长——以厦门市为例的分析

信息产业作为一种广泛渗透性的高科技新兴产业,不同于传统产业,其对国民经济发展的影响主要表现在:信息产业是国民经济新的增长点与助推器,对国民经济发展具有倍增作用;能促进劳动就业的扩张;是经济可持续发展的重要条件

量子点光电子器件及其研究进展

作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展,并对存在的问题进行了分析和讨论。最后,提出了进一步改善器件性能的几种可能途径

(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺，以高H_2稀释的SiH_4作为反应气体源和PH_3作为磷原子的参杂剂，在p型(100)单晶硅C(p)c-Si)衬底上，成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜C(n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si;H/(p)c-Si异质结，并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性。结果表明，(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构，具有良好的温度稳定性和整流特性。正向偏压下，该异质结的电流输运机理为复合－隧穿模型。当正向偏压V_F1.0V时由隧穿机理决定。反向偏压下，该异质结具有良好的反向击穿持性

测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响

利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出，随着测试温度升高，PL峰值能量发生了54meV的红移，PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用

nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿