Output frequency response function-based analysis for nonlinear Volterra systems

Analysis of nonlinear systems has been studied extensively. Based on some recently developed results, a new systematic approach to the analysis of nonlinear Volterra systems in the frequency domain is proposed in this paper, which provides a novel insight into the frequency domain analysis and design of nonlinear systems subject to a general input instead of only specific harmonic inputs using input-output experimental data. A general procedure to conduct an output frequency response function (OFRF) based analysis is given, and some fundamental results and techniques are established for this purpose. A case study for the analysis of a circuit system is provided to illustrate this new frequency domain method

Metodologia Per la Caratterizzazione di amplificatori a basso rumore per UMTS

In questo lavoro si presenta una metodologia di progettazione elettronica a livello di sistema, affrontando il problema della caratterizzazione dello spazio di progetto dell' amplificatore a basso rumore costituente il primo stadio di un front end a conversione diretta per UMTS realizzato in tecnologia CMOS con lunghezza di canale .18u. La metodologia è sviluppata al fine di valutare in modo quantititativo le specifiche ottime di sistema per il front-end stesso e si basa sul concetto di Piattaforma Analogica, che prevede la costruzione di un modello di prestazioni per il blocco analogico basato su campionamento statistico di indici di prestazioni del blocco stesso, misurati tramite simulazione di dimensionamenti dei componenti attivi e passivi soddisfacenti un set di equazioni specifico della topologia circuitale. Gli indici di prestazioni vengono successivamente ulizzati per parametrizzare modelli comportamentali utilizzati nelle fasi di ottimizzazione a livello di sistema. Modelli comportamentali atti a rappresentare i sistemi RF sono stati pertanto studiati per ottimizzare la scelta delle metriche di prestazioni. L'ottimizzazione dei set di equazioni atti a selezionare le configurazione di interesse per il campionamento ha al tempo stesso richiesto l'approfondimento dei modelli di dispositivi attivi validi in tutte le regioni di funzionamento, e lo studio dettagliato della progettazione degli amplificatori a basso rumore basati su degenerazione induttiva. Inoltre, il problema della modellizzazione a livello di sistema degli effetti della comunicazione tra LNA e Mixer è stato affrontato proponendo e analizzando diverse soluzioni. Il lavoro ha permesso di condurre un'ottimizzazione del front-end UMTS, giungendo a specifiche ottime a livello di sistema per l'amplificatore stesso

Mapping from parametric characteristics to generalized frequency response functions of nonlinear systems

Based on the parametric characteristic of the nth-order GFRF (Generalised Frequency Response Function) for nonlinear systems described by an NDE (nonlinear differential equation) model, a mapping function from the parametric characteristics to the GFRFs is established, by which the nth-order GFRF can directly be written into a more straightforward and meaningful form in terms of the first order GFRF, i.e., an ndegree polynomial function of the first order GFRF. The new expression has no recursive relationship between different order GFRFs, and demonstrates some new properties of the GFRFs which can explicitly unveil the linear and nonlinear factors included in the GFRFs, and reveal clearly the relationship between the nth-order GFRF and its parametric characteristic, and also the relationship between the nth-order GFRF and the first order GFRF. The new results provide a novel and useful insight into the frequency domain analysis and design of nonlinear systems based on the GFRFs. Several examples are given to illustrate the theoretical results

Variable domain transformation for linear PAC analysis of mixed-signal systems

This paper describes a method to perform linear AC analysis on mixed-signal systems which appear strongly nonlinear in the voltage domain but are linear in other variable domains. Common circuits like phase/delay-locked loops and duty-cycle correctors fall into this category, since they are designed to be linear with respect to phases, delays, and duty-cycles of the input and output clocks, respectively. The method uses variable domain translators to change the variables to which the AC perturbation is applied and from which the AC response is measured. By utilizing the efficient periodic AC (PAC) analysis available in commercial RF simulators, the circuit’s linear transfer function in the desired variable domain can be characterized without relying on extensive transient simulations. Furthermore, the variable domain translators enable the circuits to be macromodeled as weakly-nonlinear systems in the chosen domain and then converted to voltage-domain models, instead of being modeled as strongly-nonlinear systems directly

Harmonic analysis of oscillators through standard numerical continuation tools

In this paper, we describe a numerical continuation method that enables harmonic analysis of nonlinear periodic oscillators. This method is formulated as a boundary value problem that can be readily implemented by resorting to a standard continuation package - without modification - such as AUTO, which we used. Our technique works for any kind of oscillator, including electronic, mechanical and biochemical systems. We provide two case studies. The first study concerns itself with the autonomous electronic oscillator known as the Colpitts oscillator, and the second one with a nonlinear damped oscillator, a non-autonomous mechanical oscillator. As shown in the case studies, the proposed technique can aid both the analysis and the design of the oscillators, by following curves for which a certain constraint, related to harmonic analysis, is fulfilled.Comment: 20 pages, 4 figure

A nonlinear integral model of electron devices for HB circuit analysis

A technology-independent large-signal model of electron devices, the nonlinear integral model (NIM), is proposed. It is rigorously derived from the Volterra series under basic assumptions valid for most types of electron devices and is suitable for harmonic-balance circuit analysis. Unlike other Volterra-based approaches, the validity of the NIM is not limited to weakly nonlinear operation. In particular, the proposed model allows the large-signal dynamic response of an electron device to be directly computed on the basis of data obtained either by conventional measurements or by physics-based numerical simulations. In this perspective, it provides a valuable tool for linking accurate device simulations based on carrier transport physics and harmonic-balance circuit analysis algorithms. Simulations and experimental results, which confirm the validity of the NIM, are also presente

The transmissibility of vibration isolators with a nonlinear anti-symmetric damping characteristic

In the present study, the concept of the Output Frequency Response Function (OFRF), recently proposed by the authors, is applied to theoretically investigate the transmissibility of SDOF passive vibration isolators with a nonlinear anti-symmetric damping curve. The results reveal that a nonlinear anti-symmetric damping characteristic has almost no effect on the transmissibility of SDOF vibration isolators over both low and high frequency ranges where the frequencies are much lower or higher than the isolator’s resonant frequency. On the other hand, the introduction of a nonlinear anti-symmetric damping can significantly reduce the transmissibility of the vibration isolator over the resonant frequency region. The results indicate that nonlinear vibration isolators with an anti-symmetric damping characteristic have great potential to overcome the dilemma encountered in the design of passive linear vibration isolators, that is, increasing the level of damping to reduce the transmissibility at the resonance could increase the transmissibility over the range of higher frequencies. These important theoretical conclusions are then verified by simulation studies

5G NR-밴드 무선 주파수 송수신기의 검증을 위한 모델링 방법

학위논문(석사) -- 서울대학교대학원 : 공과대학 전기·정보공학부, 2021.8. 김재하.도래한 초연결시대에서는 스마트폰뿐만 아니라 다양한 사물 인터넷 디바이스들이 5세대 이동통신 시스템을 활용하면서, 늘어난 데이터량과 트래픽을 감당하기 위해 밀리미터파 대역의 사용이 필수적일 것이다. 시스템이 보다 대용량화 그리고 광대역화 됨에 따라, 통신 규약을 만족시키기 위해, 점차 거대한 디지털 캘리브레이션 및 신호처리 로직이, 무선 통신 전단부 칩에 함께 집적되고 있다. 따라서 멀티-도메인의 신호(아날로그/디지털/무선통신 신호)가 복잡하게 혼성된 무선통신 집적회로 칩을, 짧은 개발 기간 동안 충분히 검증하기엔 어려움이 따른다. 일반적으로 혼성 신호 시스템을 검증하기 위해서는, 하위 시스템을 모두 포함해서 시간 도메인의 시뮬레이션을 수행해야 하는데, 이를 위한 스파이스와 스파이스-하드웨어 기술 언어의 co-시뮬레이션은 지나치게 느리다는 한계가 있기 때문이다. 따라서, 멀티-도메인의 신호를 빠르고 정확하게 시뮬레이션 가능하게 하는 모델링 방법과, 다양한 시나리오의 검증 완성도를 향상시켜줄 있는 검증 기술이 모두 요구된다. 혼성 시스템을 검증하기 위해서는, 아날로그와 무선 통신 블록들을 시스템 베릴로그 상에서 구현된 함수적 모델로 대체하고, 디지털 블록들과 함께 하나의 디지털 플랫폼에서 시뮬레이션하는 것이 효과적이다. 실제 설계할 때, 문제가 되는 대부분의 에러들은, 연결 오류, 부호 오류, 신호 순서 오류, 혹은 잘못된 파워 도메인과의 연결과 같이 사소한 오류들이다. 이러한 오류를 찾기 위해, 오래 걸리는 트랜지스터-레벨의 시뮬레이션을 수행하기보다는, 아날로그 스파이스 모델들을 시스템 베릴로그 모델들로 대체하고, 보다 다양한 시나리오를 빠르게 검증하는 방법이 검증 완성도를 향상시키는데 적합하다. 그럼에도, 지나치게 단순한 선형 모델이나, 중요한 회로 특성이 빠진 모델로는 원하는 수준의 검증이 불가능할 수 있다. 예를 들어, 직접 변조 구조의 무선통신 송수신기에서 발생하는 비이상 효과, 저전력 동작을 하면서 발생하는 비선형 효과, 그리고 흔히 메모리 효과는 모델에 효과를 충분히 반영해 주어야만, 주파수 도메인에서의 검증, 성능 예측 등의 검증을 의미 있게 수행할 수 있다. 문제는 비선형 시스템은 훨씬 복잡한 식으로 표현되며, 시뮬레이션 시 연산량도 크게 늘어나기 때문에, 비선형 모델을 만들고 시뮬레이션 하기가 쉽지 않다는 것이다. 따라서 모델이 비이상성들을 충분히 반영하면서도 효과적인 검증을 가능하게 하는 모델링/시뮬레이션 방법 역시 요구된다. 본 학위 논문에서는, 무선통신 송수신기 집적회로 전체의 모사 모델을 제안한다. 모델은 누설 신호와 신호 간 불일치에 의한 비-이상적인 효과를 엑스모델의 알고리즘을 활용해 반영하였고, 비선형성과 메모리 효과를 볼테라-섭동법을 활용해 반영하였다. 제안하는 모델은 다양한 주파수 대역과 동작 모드를 검증하는데, 기존 등가 베이스밴드 모델보다 30~1800배 빠르게 시뮬레이션 할 수 있었고, 비이상 효과에 대해, 통신 성능들(심볼의 오류 벡터의 크기, 인접 채널의 파워 그리고 비트 에러)을 평가 가능했다. 나아가, 아날로그 검사기를 활용한 기능 검증법과 모델 파라미터 커버리지 분석법을 적용하여, 시스템-레벨 검증의 완성도를 향상시켰다. 무선통신 집적회로 모델에 다양한 디자인/파라미터 오류를 주입하고, 시뮬레이션 동안 검사기가 찾은 에러의 개수와 커버리지 결과를 실험적으로 보였다.In mobile RF transceiver systems, the large number of digital circuits employed to compensate or calibrate the non-idealities of the RF circuits call for models that can work within the digital verification platform, such as SystemVerilog. While baseband-equivalent real-number models (RNMs) are the current state-of-the-art for modeling RF transceivers in SystemVerilog, their simulation speeds and accuracy are not adequate predicting performance degradation. Since, its signals can only model the frequency components near the carrier frequency but not the DC offsets or high-order harmonic effects arising due to nonlinearities. Therefore, the growing impacts of nonlinearities call for nonlinear modeling of their key components to predict the overall system's performance. This dissertation presents the models for a multi-standard, direct-conversion RF transceiver for evaluating its system-level performance and verifying its digital controllers. Also, this work demonstrates the Volterra series model for the nonlinear analysis of a low-noise amplifier circuit in SystemVerilog, leveraging the functional expression and event-driven simulation capability of XMODEL. The simulation results indicate that the presented models, including the digital configuration/calibration logic for the 5G sub-6GHz-band and mmWave-band transceiver, can deliver 30–1800× higher speeds than the baseband-equivalent RNMs while estimating the quadrature amplitude modulation signal constellation and error vector magnitude in the presence of non-idealities such as nonlinearities, DC offsets, and I/Q imbalances. In addition, it implements functionality checkers and parameter coverage analysis to advance the completeness of system-level verification of the RF transceivers model.Chapter 1. Introduction 1 1.1 Design and Verification Flow . 1.2 5G NR Band RF Transceiver IC . 1.3 Baseband-Equivalent and Passband Modeling . 1.4 Thesis Organization . Chapter 2. Modeling and Simulation of RF Transceiver 11 2.1 Direct Conversion RF Transceiver . 2.2 Proposed Transceiver Models . 2.3 System and Simulation Performance . Chapter 3. Nonlinear RF System Modeling 28 3.1 Volterra / Perturbation Method . 3.2 Low Noise Amplifier Example . 3.3 Nonlinearity Analysis . Chapter 4. Coverage Analysis and Functional Verification 42 4.1 Model Parameter Coverage Analysis . 4.2 Self-Checking Testbench . Chapter 5. Conclusion 54 Appendix 55 A.1 Trigonometric Equation for Non-Ideal Effects . A.2 RNM Baseband Equivalent Modeling . A.3 Parameter Coverage Analysis . A.4 List of Models . Bibliography 63 Abstract in Korean 66석