Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку

В роботі з використанням традиційного квазіхімічного підходу проведено розрахунок концентрації нейтральних і заряджених точкових дефектів, положення рівня Фермі та вільних носіїв струму у монокристалах та плівках сульфіду цинку у залежності від умов їх осадження. Для розрахунків використані експериментально знайдені енергії залягання дефектів в забороненій зоні ZnS. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2966

Структурні особливості плівок Zn1-XMnXS

Під час роботи вивчено елементний склад твердих розчинів Zn1-xMnxS. Дослідження показало, що шихта сполуки мала гексагональну структуру, в той час як плівки були двохфазними. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/24753Во время работы изучен элементный состав твердых растворов Zn1-xMnxS. Исследование показало, что шихта соединения имела гексагональную структуру, в то время как пленки были двухфазными. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/24753During the work studied the elemental composition of solid solutions of Zn1-xMnxS. The study showed that the connection charge was a hexagonal structure, while the films were biphasic. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2475

Characterizations of Structural Properties of ZnO Thin Films Depending on the Experimental Conditions

Zinc oxide (ZnO) is one of the most promising materials for the fabrication of optoelectronic devices operating in the blue and ultra-violet (UV) spectral regions, owing to its direct wide band gap (Eg ~3.37 eV) and large exciton binding energy (~60 meV)

Characterizations of Structural Properties of ZnO Thin Films Depending on the Experimental Conditions

Zinc oxide (ZnO) is one of the most promising materials for the fabrication of optoelectronic devices operating in the blue and ultra-violet (UV) spectral regions, owing to its direct wide band gap (Eg ~3.37 eV) and large exciton binding energy (~60 meV)

Characterizations of Structural Properties of ZnO Thin Films Depending on the Experimental Conditions

Zinc oxide (ZnO) is one of the most promising materials for the fabrication of optoelectronic devices operating in the blue and ultra-violet (UV) spectral regions, owing to its direct wide band gap (Eg ~3.37 eV) and large exciton binding energy (~60 meV)

Оптичні втрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-CdTe

Метою даної роботи є визначення оптичних втрат в СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3260

Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук CU2(M11)(M1V)(S,SE)4 (M1: MN, FE, CO, NI, ZN, CD, HG; M1V: SI, GE,SN) методом пульсуючого спрей-піролізу

Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук Cu2(MII)(MIV)(S, Se)4 (МII: Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Hg; MIV: Si, Ge, Sn) методом пульсуючого спрей-піролізу, що включає розпилення початкового прекурсору, який містить розчин хлоридів (MIuvmCln) або ацетатів (MII,IVrn(CH2COOH)n) металів та тіомочевини (SC(NH2)2) на поверхню нагрітої підкладки з наступним формуванням відповідної плівки, який відрізняється тим, що розпилення прекурсору здійснюють на нагріту до температури 673-683 К підкладку в інертній атмосфері, утвореній в частково герметизованій металевій робочій камері, яку продувають інертним газом з робочим тиском більшим за атмосферний, причому після формування плівки проводять селенізацію шляхом відпалу в парі селену в одному робочому циклі

Injection and Optical Spectroscopy of Localized States in II-VI Semiconductor Films

Novel achievements of nano- and microelectronics are closely connected with working-out of new semiconductor materials. Among them the compounds II-VI (where A = Cd, Zn, Hg and B = О, S, Se, Te) are of special interest. Due to unique physical properties these materials are applicable for design of optical, acoustical, electronic, optoelectronic and nuclear and other devices. First of all the chalcogenide compounds are direct gap semiconductors where the gap value belongs to interval from 0.01 eV (mercury chalcogenides) up to 3.72 eV (ZnS with zinc blende crystalline structure). As potential active elements of optoelectronics they allow overlapping the spectral range from 0.3 mkm to tens mkm if using them as photodetectors and sources of coherent and incoherent light. The crystalline structure of II-VI compounds is cubic and hexagonal without the center of symmetry is a good condition for appearing strong piezoeffect. Crystals with the hexagonal structure have also pyroelectric properties. This feature may be used for designing coustoelectronic devices, amplifiers, active delay lines, detectors, tensile sensors, etc. Large density of some semiconductors (CdTe, ZnTe, CdSe) makes them suitable for detectors of hard radiation. The mutual solubility is also important property of these materials. Their solid solutions give possibility to design new structures with in-advance defined gap value and parameters of the crystalline lattice, transmission region, etc. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3023