В роботі з використанням традиційного квазіхімічного підходу проведено розрахунок концентрації нейтральних і заряджених точкових дефектів, положення рівня Фермі та вільних носіїв струму у монокристалах та плівках сульфіду цинку у залежності від умов їх осадження. Для розрахунків використані експериментально знайдені енергії залягання дефектів в забороненій зоні ZnS.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2966
