The Ground State of the ``Frozen'' Electron Phase in Two-Dimensional Narrow-Band Conductors with a Long-Range Interelectron Repulsion. Stripe Formation and Effective Lowering of Dimension

In narrow-band conductors a weakly screened Coulomb interelectron repulsion can supress narrow-band electrons' hopping, resulting in formation of a ``frozen'' electron phase which differs principally from any known macroscopic self-localized electron state including the Wigner crystal. In a zero-bandwidth limit the ``frozen'' electron phase is a classical lattice system with a long-range interparticle repulsion. The ground state of such systems has been considered in the case of two dimensions for an isotropic pair potential of the mutual particle repulsion. It has been shown that particle ordering into stripes and effective lowering of dimension universally resides in the ground state for any physically reasonable pair potential and for any geometry of the conductor lattice. On the basis of this fact a rigorous general procedure to fully describe the ground state has been formulated. Arguments have been adduced that charge ordering in High-T_c superconductors testifies to presence of a ``frozen'' electron phase in these systems.Comment: 5 pages, LaTeX 2.09, 1 figure in external PostScript files. To appear in Phys.Rev B Rapid Communication

Problems of the origin and functioning of the ukrainian scientific and technical disco

У статті порушено питання про сучасний стан українського науково-технічного мовлення. Визначено, що на його формування і функціювання впливала низка негативних чинників, з-поміж яких основними були різноманітні заборони на використання української мови (у книгодрукуванні, освіті, офіційному спілкуванні) у царській Росії та в радянський період. Зазначено, що за роки незалежності в Україні було досягнуто певного прогресу щодо формування та функціювання українського науково-технічного мовлення (проведено низку конференцій, присвячених дослідженню проблем української термінології i науково-технічного мовлення; збільшився обсяг науково-технічної літератури, друкованої українською мо- вою; українську мову почали більш активно використовувати в ланках освіти (як середній, так i вищій); зросла кількість різноманітних лексикографічних видань (двомовних технічних словників, довідників, ен- циклопедій i т. ін.): українську мову впроваджують в обслуговування виробничих процесів різноманітних галузей). Водночас аналіз загального стану розвитку та функціювання українського науково-технічного мовлення засвідчив, що на сучасному етапі його не можна вважати задовільним. У цьому зв’язку запропоновано низку заходів соціально-політичного i лінгвістичного характеру, що спрямовані на підвищення рівня українського науково-технічного мовлення (впровадження української мови в усі сфери науки i техніки України; збільшення обсягу україномовної науково-технічної літератури; вироблення теоретичних засад формування i функціювання української термінології i науково-технічного мовлення; укладання лексикографічних джерел науково-технічного характеру; переклад українською мовою популярних закордонних наукових i технічних видань; стандартизація української наукової i технічної термінології). (The paper is dedicated to the analysis of the actual state of the Ukrainian scientific and technical discourse. It was found out that its formation was influenced by a number of negative factors among which different types of banning of the Ukrainian language usage in tzarist Russia and in the Soviet period. Although much has been done to improve the state of academic discourse within the years of Ukrainian Independence, its general state is not considered to be satisfactory. In this regard, a number of measures of socio-political and linguistic character, aimed at improving Ukrainian scientific and technical language are proposed.

First search for double-beta decay of 184Os and 192Os

A search for double-beta decay of osmium has been realized for the first time with the help of an ultra-low background HPGe gamma detector at the underground Gran Sasso National Laboratories of the INFN (Italy). After 2741 h of data taking with a 173 g ultra-pure osmium sample limits on double-beta processes in 184Os have been established at the level of T_{1/2} about 10^{14}-10^{17} yr. Possible resonant double-electron captures in 184Os were searched for with a sensitivity T_{1/2} about 10^{16} yr. A half-life limit T_{1/2} > 5.3 10^{19} yr was set for the double-beta decay of 192Os to the first excited level of 192Pt. The radiopurity of the osmium sample has been investigated and radionuclides 137Cs, 185Os and 207Bi were detected in the sample, while activities of 40K, 60Co, 226Ra and 232Th were limited at the mBq/kg level.Comment: 12 pages, 7 figures, 2 table

Search for 2\beta\ decays of 96Ru and 104Ru by ultra-low background HPGe gamma spectrometry at LNGS: final results

An experiment to search for double beta decay processes in 96Ru and 104Ru, which are accompanied by gamma rays, has been realized in the underground Gran Sasso National Laboratories of the I.N.F.N. (Italy). Ruthenium samples with masses of about (0.5-0.7) kg were measured with the help of ultra-low background high purity Ge gamma ray spectrometry. After 2162 h of data taking the samples were deeply purified to reduce the internal contamination of 40K. The last part of the data has been accumulated over 5479 h. New improved half life limits on 2\beta+/\epsilon \beta+/2\epsilon\ processes in 96Ru have been established on the level of 10^{20} yr, in particular for decays to the ground state of 96Mo: T1/2(2\nu 2\beta+) > 1.4 10^{20} yr, T1/2(2\nu \epsilon\beta+) > 8.0 10^{19} yr and T1/2(0\nu 2K) > 1.0 10^{21} yr (all limits are at 90% C.L.). The resonant neutrinoless double electron captures to the 2700.2 keV and 2712.7 keV excited states of 96Mo are restricted as: T1/2(0\nu KL) > 2.0 10^{20} yr and T1/2(0\nu 2L) > 3.6 10^{20} yr, respectively. Various two neutrino and neutrinoless 2\beta\ half lives of 96Ru have been estimated in the framework of the QRPA approach. In addition, the T1/2 limit for 0\nu 2\beta- transitions of 104Ru to the first excited state of 104Pd has been set as > 6.5 10^{20} yr.Comment: 14 pages, 5 figures, 2 tables; version accepted for publication on Phys. Rev.

Calculation of mechanical stresses in adjoint system of electronic component and compound and strength assessment

The paper represents mathematical model and formulas developed for project calculations which are applied to sealed electronic units and provide assessing strength of passive electronic components having revolution shape (capacitors, resistors, diodes, pins, etc.). The stress calculation has been produced for materials of resistor and compound in the temperature interval (from –60 to +70°C) along the radius of resistor and compound

Asymptotically exact probability distribution for the Sinai model with finite drift

We obtain the exact asymptotic result for the disorder-averaged probability distribution function for a random walk in a biased Sinai model and show that it is characterized by a creeping behavior of the displacement moments with time, ~ t^{\mu n} where \mu is dimensionless mean drift. We employ a method originated in quantum diffusion which is based on the exact mapping of the problem to an imaginary-time Schr\"{odinger} equation. For nonzero drift such an equation has an isolated lowest eigenvalue separated by a gap from quasi-continuous excited states, and the eigenstate corresponding to the former governs the long-time asymptotic behavior.Comment: 4 pages, 2 figure