Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique

采用低温缓冲层技术,在SI衬底上生长了质量优良的gE薄膜。利用原子力显微镜(AfM)、双晶X射线衍射(Xrd)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温gE缓冲层的表面是起伏的。然而,gE与SI间的压应变几乎完全弛豫。当缓冲层足够厚时,后续高温gE外延层的生长能够使粗糙的表面变得平整。在90 nM低温gE缓冲层上生长的210 nM高温gE外延层,表面粗糙度仅为1.2 nM,位错密度小于5x105CM-2,Xrd的峰形对称,峰值半高宽为460 ArC SEC。High-quality and thick Ge epitaxial films are grown on Si substrates utilizing the low-temperature(LT) buffer technique by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD) and are characterized by atomic force microscope,X-ray diffraction,and Raman spectroscopy.The results show that the LT Ge buffer is rough due to the three-dimensional islands formations,but the misfit stress is nearly fully relaxed.Fortunately,the rough LT Ge surface is effectively smoothed by subsequent growth at elevated temperature when the LT Ge buffer is thick enough and the compressive strain is largely relaxed.Finally,the 210 nm Ge epitaxial film with smooth surface(root-mean-square roughness of 1.2 nm),low threading dislocation density(5×105 cm-2),and sharp and symmetric X-ray diffraction peak(full width at half maximum of ～460 arc sec) is achieved on LT Ge buffer with thickness of 90 nm.国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404

口唇口蓋裂患者における顎裂部骨移植と鼻翼部軟骨移植の同時併用による口唇外鼻修正術の検討

症例は30歳男性で、左側完全唇顎口蓋裂を伴って出生し、これまでに口唇形成術、口蓋形成術、口唇外鼻修正術、顎裂部腸骨移植術などが施行されてきた。30歳時に口唇外鼻の変形に対する治療を希望して来院した。口腔内所見では、顎裂相当部に瘢痕を認めたが、鼻口腔瘻は認められなかった。咬合はAngle Class Iで左側前歯部は舌側傾斜に伴う反対咬合を呈していた。口唇口蓋裂(左側完全唇顎口蓋裂)、口唇外鼻二次変形と診断した。患者と相談し、全身麻酔下で顎裂部骨移植と鼻翼部軟骨移植を同時併用した口唇外鼻修正術を施行した。術式は、はじめに顎裂部骨移植術から施行した。口腔内の顎裂部を明示させ、骨の陥凹を確認した後に、左側下顎枝から自家骨を採取した。自家骨は陥凹部のみならず、健側梨状口下縁の高さに合わせて、患側梨状口側縁から上顎洞側壁にかけて移植し、吸収性プレートにて固定した。次に耳介軟骨移植による外鼻修正術を施行した。耳介軟骨を採取した後、両側鼻孔から鼻柱にかけて切開を加えて、確実な明視下に鼻翼軟骨の整復と耳介軟骨の移植を行い終術とした。術後、患側の外鼻孔底と鼻翼基部は健側とほぼ同じ高さとなり、鼻翼基部の陥凹も改善したことで、患者の満足が得られた

抗血栓薬の緊急消化管出血止血術に対する影響について

2006年1月から2011年12月までの6年間に内視鏡的止血術を要した胃・十二指腸潰瘍出血症例のうち詳細な経過を追えた151例を対象とし、抗血栓薬の内服が及ぼす影響につき検討した。151症例のうち56例が抗血栓薬を内服しており、止血術後から食事開始までは内服群で有意に多くの日数を要していた。また、抗血栓薬内服群で再出血率が高くなる傾向が認められたが、有意な差は見られなかった