杂色鲍碱性磷酸酶在DMSO溶液中的活力与构象变化的研究

以二甲亚砜(DMSO)为效应物,研究其对杂色鲍碱性磷酸酶(ALP)活力的影响,结果表明:该酶的剩余活力随着DMSO浓度增大而迅速下降,当DMSO浓度达40%,酶活力几乎完全丧失.说明DMSO对杂色鲍ALP有明显的失活作用.导致酶活力丧失50%的DMSO浓度为17%.在较低DMSO浓度(<20%)的失活是可逆的反应过程.动力学研究表明,该酶的失活过程属于混合型.进一步测定游离酶(E)和酶底物络合物(ES)与DMSO的结合常数(KI和KIS),结果表明KI<KIS,说明底物存在对酶被DMSO的失活作用有一定的保护作用.应用荧光发射光谱研究杂色鲍ALP经DMSO微扰后的分子构象变化情况,随着DMSO浓度增大,荧光强度逐渐增强,但发射峰未发生明显变化现象,说明酶分子中的生色基团残基的微环境发生了一定的变化

巯基化合物和磷酸盐及其类似物对鲍鱼碱性磷酸酶的抑制作用

研究二巯基苏糖醇(DTT)、巯基乙醇(ME)等巯基化合物及磷酸盐(Na2HPO4)、砷酸盐(Na2HAsO4)、酸盐(Na3WO4)和钼酸盐(Na3MoO4)对鲍鱼碱性磷酸酶(ALP)活力的影响.结果表明:这些效应物对该酶都具有明显的抑制作用,而且它们的抑制作用强度依次为:DTT>ME;Na2HPO4>Na3WO4>Na2HAsO4>Na3MoO4.进一步研究这些效应物对该酶的抑制作用机理,表明:巯基化合(DTT、ME)均非竞争性抑制;Na2HPO4、Na2HAsO4和Na2HWO4表现为竞争性抑制;本文测定了它们的抑制常数并加于比较

鲍鱼碱性磷酸酶的分离纯化和性质研究

以杂色鲍(Haliotis diversicolor)内脏为原料,经Tris HCl缓冲液(pH 7.5,含0.1mol/L NaCl)抽提,正丁醇处理,硫酸铵分级沉淀分离,DE 32离子交换、Sephadex G 150分子筛、DE 32纯化,得到电泳单一纯的碱性磷酸酶制剂,比活力为1 226 U/mg.酶学性质和动力学性质研究表明:该酶催化对硝基苯磷酸水解反应的最适 pH值为 10.08,最适温度为48℃.米氏常数Km 值为0.80 mmol/L,Vm 值为20.1 mmol/L·min-1(pH 10.0,37℃).酶的热稳定性研究表明:该酶在pH 7~11区间和在温度低于55℃下稳定.金属离子对酶活力的影响结果表明:Li+、Na+和K+对酶活力没有影响,Mg2+、Ca2+、Ba2+、Mn2+和Co2+对酶有不同程度的激活作用,而Cu2+、Cd2+、Zn2+、Hg2+、Ag+、Bi2+和Pb2+等对酶起抑制作用

杂色鲍碱性磷酸酶在醇、醛和酮溶液中的失活作用

报道了杂色鲍碱性磷酸酶(ALP)在甲醇、乙醇、丙醇、甲醛、丙酮等溶液中的失 活动力学．结果表明:酶的剩余活力随着有机溶剂浓度的增大而迅速下降．测得上述 5种有机溶剂对该酶的半抑制率(IC50)分别为5．41、3．07、1．80、31．0×10-3、2．30 mol／dm3．在这些有机溶剂溶液中酶的失活过程都是可逆反应．检测醇、醛、酮对该酶 的失活作用机理,结果表明甲醇、乙醇、丙醇对杂色鲍ALP的失活作用均为非竞争性 机制,其抑制常数分别为5．36、3．02、1．80mol／dm3．甲醛、丙酮对杂色鲍ALP的失活 作用都呈现为混合型抑制,其对游离酶的抑制常数(K1)分别为24．7×10-3、1．66 mol／dm3;对酶-底物络合物的抑制常数(KIS)分别为56．2×10-3、5．40mol／dm3

SDS变性剂对杂色鲍碱性磷酸酶的活力与构象的影响

以十二烷基磺酸钠(SDS)为变性剂,研究其对杂色鲍碱性磷酸酶(ALP)活力的影响,结果表明酶的剩余活力随着SDS浓度增高而下降,但当下降到67%时,随着SDS浓度增高,酶活力几乎不再发生明显变化.这说明杂色鲍ALP对SDS具有高度的耐受性.研究SDS对杂色鲍ALP的pH稳定性的影响,发现该酶的pH稳定性区域由5.9～10.0区域漂移到7.6～10.6区域,显示酶的pH稳定性往碱性区域偏移.进一步以荧光和紫外光谱为监测手段,研究杂色鲍ALP经SDS微扰后的分子构象变化情况.其结果表明随着SDS浓度增高,荧光发射强度逐渐发生变化,但发射峰未发生明显变化;紫外吸收强度发生变化,但吸收峰也未发生明显变化.这说明该酶活性中心对SDS变性剂并不敏感.这在以往文献中未见过报道

ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为

Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为

高温处理对ZnO薄膜及其忆阻性能的影响

本文研究了高温处理对ZnO薄膜及其忆阻效应的影响,发现利用经800℃高温处理后的ZnO薄膜制备的Cu/ZnO/Pt器件依然保持忆阻性能,并观察到无电形成过程的忆阻效应。研究表明,无电形成过程的原因在于高温处理后的ZnO薄膜出现了纳米级通道,使得在沉积顶电极Cu的过程中,形成天然的导电通道,使器件呈现低阻态

溶液法制备全碳忆阻器

采用溶液法制备出石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)全碳忆阻器,并且探究了Ar气氛环境下退火温度对石墨烯电极的影响。研究结果表明,退火处理可以在一定程度上改善石墨烯电极的电学性能。利用优化后的石墨烯电极构筑的G/GO/G全碳忆阻器具有一次写多次读的忆阻特性

一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器

本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法