교통서비스지표 개발 및 활용방안 연구(Development and application of transportation service)

노트 : 이 연구보고서의 내용은 국토연구원의 자체 연구물로서 정부의 정책이나 견해와는 상관없습니다

경제자유구역의 물류거점기능 활성화 방안(Strategies for the revitalization of logistics hub function in free economic zone)

노트 : 이 보고서는 국토개발연구원의 자체연구물로서 정부의 정책이나 견해와는 상관없습니다

중장기 SOC 투자전략에 관한 연구(The middle and long term investment strategies of transporation social overhead capitals)

노트 : 이 연구보고서의 내용은 국토연구원의 자체 연구물로서 정부의 정책이나 견해와는 상관없습니다

고속철도 개통에 따른 국토공간구조의 변화전망 및 대응방안 연구(The spatial impact of the high speed rail and its countermeasures)

노트 : 이 연구보고서의 내용은 국토연구원의 자체 연구물로서 정부의 정책이나 견해와는 상관없습니다

단재 신채호의 아나키즘의 정치사상사적 의미 : 식민지 조선의 민족주의와 民衆 개념의 형성

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :외교학과,2006.Maste

나카무라 게이우(中村 敬字)의 도덕과 자유

As is indicated in "Invention of Tradition", Meiji Japan was not a country that just imported modern science and technologies from Europe. To the intellectuals of Meiji Japan, Confucianism was not just to be denied, but also to be re-interpreted and rebuilt. This paper aims to analyze Masanao Nakamura"s thoughts on modernization by focusing on the disputes over "morality" before the enactment of the Imperial Rescript on Education. Nakamura was an educator and leader of the Meiji Enlightenment. Originally a Confucian scholar, he got selected by the Tokugawa Bakufu to study in the Great Britain. After he mastered the English language, Mr. Nakamura translated into Japanese Self Help by Samuel Smiles and On Liberty by J.S.Mill, both of which won tremendous popularity in the Meiji period. Not as well known as his translation works, Nakamura also drafted several versions of the Imperial Rescript on Education. What was the spirit of his versions? How to comprehend the relationship between his insistence on Confucian morality and assertion on liberty? Such issues will be addressed in the paper

중국의 국수파(國粹派)와 일본의 국수주의

When we study modern Chinese history from the viewpoint of national identity rather then that of modernization, emphasis should be put on post Sino-Japanese War(l894 to 95). Because several reform trends that appeared in China after Opium War didn"t fundamentally transcend the frame of the dynasty organization called the large integrity. The nationalist movement make a single-nation state appeared after the impact of Sino-Japanese War(1894 to 95) at least. The first revolutionary sect of this movement didn"t believe in monolith of the Three Principles of the People-the principle of nationalism, the principle of democracy, the principle of livelihood- but bore plural trends of thought. Within it the nationalist(Guocui)sect in Late Qing had a big influence on the formation of national identity. It was a nationalist thought based on Evolutionism and Racial Competition Theory with a big influence of nationalism (Kokusuishugi) in Meiji Eraof Japan. This manuscript describes common point and differences between nationalism of China and Japan, clarifies its logic structure, and analyzes dilemma and problems contained there, through a comparative research on nationalist thought between Late Qing and Meiji Era

스트스트레스가 감소된 고효율 GaN LED에 관한 연구

학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2014. 2. 윤의준.The wide-bandgap GaN and related materials have extensively been studied and utilized in important optoelectronic device applications such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes. However, in order to realize high-performance and reliable optoelectronic devices, high quality GaN epitaxial layers are definitely required. GaN-based epitaxial layers are often grown on foreign substrates such as ZnO, Si, LiGaO2 and Al2O3. Among these substrates, sapphire (Al2O3) substrates are extensively used because of high quality, transparency, high temperature stability, and availability in large-area wafers. However, large mismatches in lattice constant and thermal expansion coefficient between GaN and sapphire substrates cause several severe problems in the fabrication of high efficiency optoelectronic devices. The three major problems in the GaN-based LED structures grown on sapphire substrates are the high dislocation density in GaN due to lattice mismatch, poor light extraction and significant wafer bowing. High density dislocations, regarded as major non-radiative recombination centers in GaN-based LEDs, typically lower the LED external efficiency and shorten the device lifetime. Moreover, the large difference in refractive index between GaN (2.4) and sapphire (1.7) results in poor light extraction due to total internal reflection. Severe wafer bowing also hinders the mass production of LEDs in large-area wafers. The thermal expansion coefficient of sapphire is much larger than that of GaN so that severe biaxial compressive stress is generated within GaN during cooling process after high temperature deposition. As a result, severe wafer bowing is occurred. Wafer bowing often causes cracks in the GaN epitaxial layers during laser radiation for lift-off process used for the fabrication of vertical LEDs. Moreover, it has been reported that the convex wafer bowing increases the X-ray rocking curve full width at half maximum (XRC FWHM) value of GaN (002) plane up to 7%, indicating the reduction of GaN crystal quality. To overcome these problems, two methods were proposed in this study. Firstly, GaN thin film was grown on silica hollow nanosphere(S-HNS) coated sapphire substrate. Secondly, GaN thin film was grown using sapphire substrate with SiO2 thin film on its backside. To grow GaN thin film using S-HNS coated substrate, S-HNS coated sapphire substrate was made by using nanoscale polystyrene(PS)/SiO2 coreshell sphere monolayer fabricated by modified dip coating method. After dip coating of PS/SiO2 coreshell structure, thermal annealing was followed to remove PS and fixation of S-HNS. And un-doped GaN thin film and LED structure was grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD). LED device was fabricated by conventional photolithogra phy, dry etching, and metal electrode deposition using LED structure with and without containing S-HNS monolayers. By insertion of S-HNS into LED structure, XRC FWHM value of (102) plane was reduced from 480 to 345 arcsec, dislocation density was reduced from 4 x 108 cm-2 to 1 x 108 cm-2, compressive stress of GaN thin film was reduced almost 20% and output power of LED device was increased almost 2 times. S-HNS induces nanoscale lateral epitaxial overgrowth so internal quantum efficiency is enhanced. And low refractive index of S-HNS causes photon scattering as a result light extraction efficiency is increased. To reduce the wafer bowing, LED structure was grown on sapphire substrate with SiO2 thin film on its backside. By using this method, wafer bowing is reduced almost 60% and compressive stress is also greatly reduced.Contents Content i List of Figures iv List of Tables ix Chapter 1. Introduction 1 1.1. Problems of conventional GaN LED 1 1.2. Researches to grow high quality GaN thin film 5 1.3. Synthesis of coreshell structure 11 1.4. Stress evolution of GaN thin film 14 1.5. Organization of this thesis 19 1.6. References 22 Chapter 2. Experiments and analysis tools 25 2.1. Synthesis and modified dip coating of PS/SiO2 coreshell spheres 25 2.1.1. Synthesis of polystyrene sphere 25 2.1.2. Synthesis of PS/SiO2 coreshell spheres 25 2.1.2. Modified dip coating of PS/SiO2 coreshell spheres 26 2.2. Growth process and LED fabrication 27 2.2.1. MOCVD system 27 2.2.2. Sample preparation 27 2.2.3. Device fabrication 27 2.3. Analysis tools 29 2.3.1. Field emission scanning electron microscopy(FE-SEM) 29 2.3.2. Transmission electron microscopy(TEM) 29 2.3.3. Photoluminescence(PL) 29 2.3.4. X-ray diffraction(XRD) 30 2.3.5. Cathodoluminescence(CL) 30 2.3.6. Atomic force microscopy(AFM) 30 2.3.7. Spectrophotometer 30 2.3.8. Stress measurement tools 30 Chapter 3. Synthesis of polystyrene/SiO2 coreshell spheres 34 3.1. Introduction 34 3.1.1. Synthesis of polystyrene sphere 34 3.1.2. Synthesis of PS/SiO2 coreshell spheres 38 3.2. Experiment procedure 48 3.2.1. Synthesis of polystyrene sphere 48 3.2.2. Synthesis of PS/SiO2 coreshell sphere 51 3.3. Results and discussion 54 3.3.1. Synthesis of polystyrene spheres 54 3.3.2. Theoretical prediction of polystyrene sphere size 62 3.3.3. Synthesis of PS/SiO2 coreshell spheres 70 3.4. Conclusion 75 3.5. Reference 76 Chapter 4. Modified dip coating of coreshell spheres 78 4.1. Introduction 78 4.2. Experiment procedure 82 4.3. Results and discussion 85 3.4. Conclusion 96 3.5. Reference 97 Chapter 5. Fabrication of high efficiency LED device using silica hollow nanosphere coated sapphire substrate 99 5.1. Introduction 99 5.2. Experiment procedure 102 5.3. Growth and characterization of un-doped GaN using S-HNS coated sapphire substrate 103 5.3.1. Crystal quality evaluation of GaN grown with S-HNS 103 5.3.2. Optical properties of GaN grown with S-HNS 112 5.3.3. Compressive stress calculation of GaN thin film 117 5.4. Fabrication of LED device using LED structure grown using S-HNS coated sapphire substrate 126 5.5. Fabrication of LED devies using LED structues grown using various sized S-HNS coated sapphire substrate 132 5.5.1. Motivation of experiment 132 5.5.2. Experiment 134 5.3.3. Measurement of crystal quality 135 5.5.4. Wafer bowing measurment 134 5.3.5. Fabrication of LED device 143 5.6. Conclusion 148 5.6. Reference 150 Chapter 6. Growth of LED structure using sapphire substrate with SiO2 thin film on its back side 152 6.1. Introduction 152 6.2. Experiment procedure 155 6.3. Results and discussion 157 6.3.1. Wafer bowing measurement and PL mapping of LED structure 157 6.3.2. Stress calculation of LED structure 162 6.3.3. Fabrication of LED device 173 6.4. Conclusion 181 6.5. Reference 182 Chapter 7. Conclusion 183 국문 초록 183Docto

개화당의 기원과 비밀외교, 1879-1884

학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 정치외교학부(외교학전공), 2015. 2. 최정운.이 연구의 목적은, 개화당은 근본적으로 외국의 힘을 빌려 정권의 장악 또는 조선사회의 근본적 혁신을 지향한 비밀결사였다는 전제 하에 이동인(李東仁)이 일본에 밀파된 1879년부터 갑신정변이 발발한 1884까지 그 비밀외교의 실상을 규명하는 데 있다. 개화당 및 개화사상은 지금까지 한국근대사의 중요한 연구주제로 다루어져 왔으나, 대부분의 연구들은 특정한 관점의 사상사적 해석에 경도되어 왔다. 그 특정한 관점의 사상사적 해석이란, 이른바 조선후기 자본주의 맹아론(萌芽論)과 궤를 같이 하여 지성계에도 내재적 근대화의 가능성이 있었음을 입증하기 위해 실학(實學)과 개화사상(開化思想) 간의 연관성을 강조하고 그것을 선험적으로 전제하는 1960년대 이후의 연구경향을 말한다. 하지만 이는 개화당의 기원, 목적, 활동에 관해 중대한 오해를 초래한 원인이 된 것으로 보인다. 이에 따라 이 연구에서는 1880년대 초반 영국·미국·일본·중국 등 각국 외교관들이 남긴 외교문서(diplomatic documents)를 통해 개화당의 정체를 밝히고 그 활동과 사상의 의미를 해석하고자 했다. 비밀외교(backdoor diplomacy)란 일반적으로 대중의 눈을 피해 은밀한 형태로 이뤄지는 외교교섭을 의미하는데, 이 연구에서는 개화당이 정부의 공식명령이나 국왕의 밀명을 받아서 외국에 출사(出使)했으면서도 그 이면에서 자신들의 정치적 목적을 달성하기 위해 은밀히 비밀 교섭을 추진하는 행태를 가리키는 말로 사용했다. 개화당이 획책한 복잡한 비밀외교는 이 비밀결사의 목적이 처음부터 정권의 장악 또는 조선사회의 근본적 혁신에 있었으며, 그 수단으로서 외세를 이용하는 방식을 구상했음을 보여준다. 또 그것은 고종외교의 중요한 특징을 보여준다. 즉, 고종은 비선(秘線)을 활용한 외교를 즐겨 활용했으며, 이른바 별입시(別入侍)는 이러한 비선외교가 이뤄지는 주된 통로가 되었던 것이다. 이는 개화당이 비밀외교를 실천하는 데는 대단히 유리한 조건이 되었다. 이 논문의 구성과 각 장(章)의 내용은 다음과 같다. 제Ⅱ장에서는 1879년에 김옥균·박영효의 밀촉(密囑)으로 일본에 밀항한 승려 이동인(李東仁)의 활동과 사상을 규명했다. 특히 개화당의 비밀외교의 배후에는 조선사회를 근본적으로 혁신하기 위해서라면 외세를 끌어들여도 무방하다는 사유방식이 있었던 바, 이 장에서는 以毒制毒의 논리로 그 해명을 시도했다. 제Ⅲ장에서는 1882년에 김옥균의 첫 번째 도일(渡日) 당시의 행적과 후쿠자와 유키치(福澤諭吉)의 관계를 다루었다. 통설에 따르면, 후쿠자와는 김옥균에게 독립자주(獨立自主)의 사상을 고취시킨 인물이라고 하지만, 여기서는 김옥균이 후쿠자와와 결탁한 이유가 오히려 그의 강경한 조선정략이 개화당의 비밀외교의 구상과 일치한 데서 기인한 것임을 주장했다. 제Ⅳ장에서는 임오군란 직후 설치된 기무처(機務處)가 당시 조선의 외교와 관련해서 갖는 의미를 재조명하고, 수신사 겸 특명전권공사로 일본에 파견된 박영효와 그 수행원 자격으로 동행한 김옥균의 비밀외교를 살펴보았다. 특히 당시 그들이 제시한 조선독립론(朝鮮獨立論)의 이면에 내재된 정치적 동기를 규명하고자 했다. 제Ⅴ장에서는 비밀외교의 정돈(停頓)이라는 관점에서 갑신정변의 원인을 재해석했다. 특히 1883년 가을에 김옥균이 차관교섭에 실패한 직후에 고토 쇼지로(後藤象二郞)와 후쿠자와 유키치 등 일본의 재야세력과 결탁한 이유를 밝히는 데 초점을 맞추었으며, 또 조선주재 일본공사 다케조에 신이치로(竹添進一郞)의 정변개입 여부에 관해 검토했다. 제Ⅵ장에서는 1880년대 조선과 일본사회에서의 개화(開化) 담론의 양상을 다루었다. 우리가 김옥균 일파를 개화당(開化黨)이라고 부를 때는, 그들이 지향한 대의(大義)가 조선의 개화에 있었다는 전제를 내포한다. 하지만 현재까지 알려진 사료에 따르면, 김옥균을 비롯한 개화당이 1884년 이전에 개화 혹은 개화당이라는 말을 사용한 흔적은 찾아볼 수 없다. 김옥균이 개화당을 자처하기 시작한 것은 1884년 여름에 일본에서 귀국한 이후였다. 이는 김옥균이 개화라는 말을 수용한 이유가 정변의 준비와 밀접한 관계가 있음을 의미한다. 제Ⅶ장에서는 김옥균의 수기(手記)로서 갑신정변에 관한 일급사료로 꼽히는 『甲申日錄』의 저술배경을 살펴보았다. 특히 후쿠자와 유키치의 갑신정변 기록인 「明治十七年朝鮮京城變亂之始末」과의 대조를 통해 『甲申日錄』이 그것을 일부 수정하거나 증보하는 방식으로 저술된 글임을 밝히고, 또 『甲申日錄』의 저술과정에서 후쿠자와의 제자이자 동시에 고토의 비서였던 이노우에 가쿠고로(井上角五郞)가 깊이 개입한 사실을 미간사료 「井上角五郞自記年報」를 통해 규명했다. 개화당은 조선사회를 뒤흔들고, 또 정권을 장악하기 위해 필요한 힘(sheer force)을 누대의 적국인 일본이나 전통적으로 금수(禽獸)로 간주되어온 서양열강에서 구했다. 또 그들은 주어진 상황에 따라 전술을 수정하거나 제휴대상을 달리하는 데 거침이 없었다. 이러한 개화당의 현실주의적 사고와 행태는, 그들의 사상적 기원이 조선실학에 있지 않으며, 이른바 의역중인(醫譯中人)들이 주도한 19세기의 사회변혁운동과 맥이 닿아 있음을 의미한다. 개화당은 그들의 정치적 목적을 달성하기 위한 수단을 외국세력과의 공모(共謀)에서 구했다는 점에서 부정할 수 없는 반역집단이었다. 하지만 동시에 그들은 국가와 백성을 분리해서 사유하고 더 중요한 가치를 후자의 생존에 두었으며, 조선사회의 강고한 신분질서를 넘어 개인들의 자발적 의사에 따른 비밀결사를 조직했다는 점에서 전혀 새로운 변혁의 가능성을 보여주었다. 개화당의 비밀외교는 19세기 조선사회의 위기를 배경으로 발생한 의역중인(醫譯中人)과 일부 젊은 양반들의 정치사회 변혁운동이었으며, 또한 조선사회가 이미 내적으로 분해되고 있음을 알리는 하나의 징후였다.Ⅰ. 서론 1 1. 영국공사관을 찾아온 조선인 역관 1 2. 개화당의 기원 6 3. 실학-개화사상 담론의 계보 12 4. 연구방법과 논문의 구성 20 Ⅱ. 이동인(李東仁)의 비밀외교(1879.9~1881.4) 27 1. 오쿠무라 엔신(奧忖圓心) 28 2. 이동인의 첫 번째 도일(渡日) 32 3. 수신사 김홍집(金弘集)과의 만남 45 4. 대미수교의 결정과 이동인의 두 번째 도일(渡日) 54 Ⅲ. 김옥균의 첫 번째 도일(渡日)과 후쿠자와 유키치(福澤諭吉) (1882.3~1882.8) 68 Ⅳ. 수신사 박영효와 김옥균의 비밀외교(1882.9~1883.3) 85 1. 기무처(機務處)의 설치 85 2. 박영효·김옥균의 대일교섭(對日交涉) 92 3. 박영효·김옥균의 독립론(獨立論)과 그 정치적 동기 111 Ⅴ. 갑신정변의 재조명(1883.3~1884.12) 127 1. 묄렌도르프의 고빙(雇聘) 127 2. 당오전(當五錢)의 발행 147 3. 개화당의 군대양성 160 4. 김옥균의 차관교섭과 그 실패 174 5. 고토 쇼지로(近藤象二郞)와의 공모(共謀) 182 6. 다케조에 신이치로(竹添進一郞) 일본공사의 정변개입 문제 206 Ⅵ. 개화(開化)의 의미 217 1. 메이지 일본에서 개화의 의미 217 2. 개화당(開化黨)이라는 명명(命名) 224 3. 개진당(改進黨)이라는 명명 230 4. 갑신정변과 개화 233 5. 구한말 근대개념 수용의 특징 243 Ⅶ. 『甲申日錄』의 해석 247 1.『甲申日錄』과 「明治十七年朝鮮京城變亂の始末」의 대조 248 2.「明治十七年朝鮮京城變亂の始末」과 「朝鮮甲申日記」의 대조 268 3.『甲申日錄』의 저술배경 282 4.『甲申日錄』의 독해방법 288 Ⅷ. 결론 291 부록 304 1. 오경석과 메이어즈(W.T.Mayers)의 회견기록(1874.3.6/ 27) 308 2. 「明治十七年朝鮮京城變亂の始末」(번역) 311 참고문헌 330Docto