Factors Affecting Retention of Transfer Students at Linfield College

Building on the work of Tyler (2011), this paper analyzes the factors that affect the decision by transfer students at Linfield College to return for a second year. Data was obtained for transfer students from the Department of Institutional Research at Linfield College from 2009 to 2013. We estimate the logit probabilities of retention likelihood as a function of academic ability, net price, curricular engagement, extra-curricular engagement, choice of major and demographic characteristics. We find that academic ability, curricular engagement, institutional commitment, and choice of major variables may be significant factors in the retention of transfer students at Linfield College. The estimated effects and the resulting conclusions must be interpreted cautiously due to our small sample size. However, a discussion of the results shows that Linfield may be able to improve retention of transfer students through increased curricular engagement and greater departmental awareness

Globales Outsourcing

Im Rahmen dieser Arbeit werden die verschiedenen Ausprägungen von Outsourcing dargestellt, sowie deren Erfolgsfaktoren, die Vor- und Nachteile und die Risiken erläutert. Es wird besonders auf die zu beachtenden Kriterien bei Offshore und Nearshore Projekten aus Sicht mittel- bzw. westeuropäischer geografischer Lage eingegangen. Ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit ist die Beschreibung der Vorgehensweise zur Identifikation auslagerungsfähiger Prozesse. Der abschließende Teil dieser Arbeit konzentriert sich auf die Beantwortung der Frage: „Wie kann ich Outsourcing Alternativen bewerten und vergleichbar machen?“. Die zugrunde liegenden Bewertungskriterien werden vorgestellt, und anhand eines Leitfadens zur Abwicklung der gesamten Entscheidungsfindung soll den Entscheidungsträgern ermöglicht werden, ihr zuvor definiertes optimales Profil einer Variante mit dem eingegangen Angeboten abzugleichen und mit Hilfe von Kennzahlen ausgewählter Bewertungsverfahren die für das Unternehmen beste Alternative zu erkennen. Zur grafischen Darstellung der gesamten Auswahlprozedur wurde mit Hilfe des BPM-Tools ADONIS ein Konzept erstellt, das dem Anwender die auszuführenden Aktivitäten Schritt für Schritt aufzeigt, von der IST-Analyse bis zu den Vertragsverhandlungen

Untersuchungen zu Schichtwachstum und Grenzflächen an Ta-basierten Dünnschichten mittels XPS

In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Ta- und TaN-Schichten auf Si- und SiO_2-Substraten untersucht Die Schichten werden dabei unter technologienahen Bedingungen mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Untersuchungen erfolgen hauptsächlich mit winkelaufgelöster röntgenstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie (ARXPS). Die Analysen erfolgen in situ, ohne Unterbrechung des Ultrahochvakuums, um die Deposite vor Oxidation und Kontamination zu schützen. Zur zerstörungsfreien Tiefenprofilanalyse wird ein Quantifizierungsalgoritmus beschrieben und angewandt. Für die Kombination Ta/Si wird die Bildung einer zunächst unvollständigen TaSi_2-Schicht, danach das Aufwachsen von Ta auf diese Zwischenschicht beobachtet. Für die Kombination Ta/SiO_2 wird eine Reduktion des SiO_2-Substrates bei gleichzeitigem Aufwachsen von Ta-Oxiden beobachtet. Auf dem durchmischten Schichtstapel wächst danach Ta auf. Für die Kombination TaN/Si wird die Bildung einer Si-N-Zwischenschicht bei gleichzeitigem Wachsen einer TaN-Schicht beobachtet. Für die Kombination TaN/SiO_2 wird das Aufwachsen einer TaN-Schicht ohne Ausbilung von Zwischenschichten beobachtet. Das Wachstumsverhalten des Ta/Si-Systems wird zusätzlich mit in situ Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie untersucht. Es wurden Untersuchungen zur thermischen Stabilität von abgeschiedenen Schichten an den Systemen Ta/Si und TaN/SiO_2 durchgeführt. Als mögliche Alternative zur winkelaufgelösten XPS wurden Untersuchungen mittels synchrotronstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie bei variierter Anregungsenergie durchgeführt

Binding Energy Referencing for XPS in Alkali Metal-Based Battery Materials Research (II): Application to Complex Composite Electrodes

X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is a key method for studying (electro-)chemical changes in metal-ion battery electrode materials. In a recent publication, we pointed out a conflict in binding energy (BE) scale referencing at alkali metal samples, which is manifested in systematic deviations of the BEs up to several eV due to a specific interaction between the highly reactive alkali metal in contact with non-conducting surrounding species. The consequences of this phenomenon for XPS data interpretation are discussed in the present manuscript. Investigations of phenomena at surface-electrolyte interphase regions for a wide range of materials for both lithium and sodium-based applications are explained, ranging from oxide-based cathode materials via alloys and carbon-based anodes including appropriate reference chemicals. Depending on material class and alkaline content, specific solutions are proposed for choosing the correct reference BE to accurately define the BE scale. In conclusion, the different approaches for the use of reference elements, such as aliphatic carbon, implanted noble gas or surface metals, partially lack practicability and can lead to misinterpretation for application in battery materials. Thus, this manuscript provides exemplary alternative solutions

Modeling of Emission Signatures of Massive Black Hole Binaries:I Methods

We model the electromagnetic signatures of massive black hole binaries (MBHBs) with an associated gas component. The method comprises numerical simulations of relativistic binaries and gas coupled with calculations of the physical properties of the emitting gas. We calculate the UV/X-ray and the Halpha light curves and the Halpha emission profiles. The simulations are carried out with a modified version of the parallel tree SPH code Gadget. The heating, cooling, and radiative processes are calculated for two different physical scenarios, where the gas is approximated as a black-body or a solar metallicity gas. The calculation for the solar metallicity scenario is carried out with the photoionization code Cloudy. We focus on sub-parsec binaries which have not yet entered the gravitational radiation phase. The results from the first set of calculations, carried out for a coplanar binary and gas disk, suggest that there are pronounced outbursts in the X-ray light curve during pericentric passages. If such outbursts persist for a large fraction of the lifetime of the system, they can serve as an indicator of this type of binary. The predicted Halpha emission line profiles may be used as a criterion for selection of MBHB candidates from existing archival data. The orbital period and mass ratio of a binary may be inferred after carefully monitoring the evolution of the Halpha profiles of the candidates. The discovery of sub-parsec binaries is an important step in understanding of the merger rates of MBHBs and their evolution towards the detectable gravitational wave window.Comment: 28 pages, 29 figures, to appear in ApJ

12 Years a Prisoner: Guantanamo\u27s Legacy of Re-Forged Chains

What insights can different disciplines and modes of inquiry offer about the legacies of war? How might integration of these insights help us learn more about the impact of war, broadly conceived? And what lessons might be drawn for the future? This presentation on the suspension of habeas corpus and the indefinite detention of suspected terrorists at Guantanamo Bay is part of Legacies of War and the Liberal Arts: Learning from Difference, a series of short, student-led talks that bring a variety of disciplinary perspectives — sciences, arts, humanities, and social sciences — to bear on arguably the most consequential experiences of human history. Patrick Cottrell, Associate Professor of Political Science at Linfield College, introduces the series of talks at the beginning of the presentation

Untersuchungen zu Schichtwachstum und Grenzflächen an Ta-basierten Dünnschichten mittels XPS

In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Ta- und TaN-Schichten auf Si- und SiO_2-Substraten untersucht Die Schichten werden dabei unter technologienahen Bedingungen mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Untersuchungen erfolgen hauptsächlich mit winkelaufgelöster röntgenstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie (ARXPS). Die Analysen erfolgen in situ, ohne Unterbrechung des Ultrahochvakuums, um die Deposite vor Oxidation und Kontamination zu schützen. Zur zerstörungsfreien Tiefenprofilanalyse wird ein Quantifizierungsalgoritmus beschrieben und angewandt. Für die Kombination Ta/Si wird die Bildung einer zunächst unvollständigen TaSi_2-Schicht, danach das Aufwachsen von Ta auf diese Zwischenschicht beobachtet. Für die Kombination Ta/SiO_2 wird eine Reduktion des SiO_2-Substrates bei gleichzeitigem Aufwachsen von Ta-Oxiden beobachtet. Auf dem durchmischten Schichtstapel wächst danach Ta auf. Für die Kombination TaN/Si wird die Bildung einer Si-N-Zwischenschicht bei gleichzeitigem Wachsen einer TaN-Schicht beobachtet. Für die Kombination TaN/SiO_2 wird das Aufwachsen einer TaN-Schicht ohne Ausbilung von Zwischenschichten beobachtet. Das Wachstumsverhalten des Ta/Si-Systems wird zusätzlich mit in situ Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie untersucht. Es wurden Untersuchungen zur thermischen Stabilität von abgeschiedenen Schichten an den Systemen Ta/Si und TaN/SiO_2 durchgeführt. Als mögliche Alternative zur winkelaufgelösten XPS wurden Untersuchungen mittels synchrotronstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie bei variierter Anregungsenergie durchgeführt

Untersuchungen zu Schichtwachstum und Grenzflächen an Ta-basierten Dünnschichten mittels XPS

In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Ta- und TaN-Schichten auf Si- und SiO_2-Substraten untersucht Die Schichten werden dabei unter technologienahen Bedingungen mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Untersuchungen erfolgen hauptsächlich mit winkelaufgelöster röntgenstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie (ARXPS). Die Analysen erfolgen in situ, ohne Unterbrechung des Ultrahochvakuums, um die Deposite vor Oxidation und Kontamination zu schützen. Zur zerstörungsfreien Tiefenprofilanalyse wird ein Quantifizierungsalgoritmus beschrieben und angewandt. Für die Kombination Ta/Si wird die Bildung einer zunächst unvollständigen TaSi_2-Schicht, danach das Aufwachsen von Ta auf diese Zwischenschicht beobachtet. Für die Kombination Ta/SiO_2 wird eine Reduktion des SiO_2-Substrates bei gleichzeitigem Aufwachsen von Ta-Oxiden beobachtet. Auf dem durchmischten Schichtstapel wächst danach Ta auf. Für die Kombination TaN/Si wird die Bildung einer Si-N-Zwischenschicht bei gleichzeitigem Wachsen einer TaN-Schicht beobachtet. Für die Kombination TaN/SiO_2 wird das Aufwachsen einer TaN-Schicht ohne Ausbilung von Zwischenschichten beobachtet. Das Wachstumsverhalten des Ta/Si-Systems wird zusätzlich mit in situ Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie untersucht. Es wurden Untersuchungen zur thermischen Stabilität von abgeschiedenen Schichten an den Systemen Ta/Si und TaN/SiO_2 durchgeführt. Als mögliche Alternative zur winkelaufgelösten XPS wurden Untersuchungen mittels synchrotronstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie bei variierter Anregungsenergie durchgeführt