Trajetória de migração de sistemas de informação de gestão (ERP): evidências empíricas associadas ao caso de uma distribuidora de produtos químicos

O presente artigo analisa a trajetória de migração de um sistema de informação de gestão (ERP) para uma nova versão. Especificamente, foi analisado o processo de migração e identificados os fatores determinantes de sucesso/resistência na implantação do novo sistema, em uma empresa privada brasileira do ramo de distribuição de produtos químicos. O referencial teórico aborda a adoção/resistência a sistemas de informação, constituindo a base de conhecimento para o entendimento dos fatores observados em campo. A metodologia de estudo de caso único foi aplicada, de modo que os dados de campo foram recolhidos via análise de documentação, entrevistas, questionários, observações diretas e participantes, e avaliados por meio de análise de conteúdo e estatística não paramétrica. Foram identificados três grupos de usuários com comportamentos distintos em relação à intenção de uso do novo sistema, analisando-se as razões para tal comportamento, em função da identificação dos fatores críticos associados à aceitação/resistência ao software implantado.info:eu-repo/semantics/publishedVersio

O poder da nanofabricação: substratos de alta performance para células solares ultrafinas de CIGS

CIES2020 - XVII Congresso Ibérico e XIII Congresso Ibero-americano de Energia SolarRESUMO: O grupo de Nanofabrication for Optoelectronic Applications -NOA- inserido no International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL) tem focado grande parte da sua investigação e operações no desenvolvimento de substratos de alta performance, baseados em diferentes esquemas de manipulação da luz para aplicação em células solares de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Estes substratos baseiam-se na inserção de uma camada dielétrica de passivação entre o contacto posterior (Mo) e a camada de CIGS. Esta abordagem permite mitigar defeitos ativos na interface posterior, bem como a absorção ótica parasítica no Mo. Neste manuscrito compara-se o desempenho de duas células solares de CIGS ultrafino: uma célula solar com arquitetura convencional e uma segunda célula solar com um substrato contendo uma camada passivadora de 18 nm de SiOx, com um esquema de contactos por nano-pontos. Todos os valores das figuras de mérito da célula solar são melhorados quando é adicionado o substrato de alta performance à arquitetura da célula solar de CIGS ultrafino.ABSTRACT: The Nanofabrication for Optoelectronic Applications -NOA- group belongs to the International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL), and has been focusing its investigation efforts on the development of high-performance substrates for Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells. Through the incorporation of a dielectric passivation layer between the rear contact (Mo) and the CIGS layer, we are able to mitigate active recombination centers at the rear interface and the Mo parasitic optical absorption. In this manuscript the performance of two ultrathin CIGS solar cells are evaluated: one solar cell with a conventional architecture and a second solar cell with a substrate based on 18 nm SiOX point contact scheme. All figures of merit values are improved when the high-performance substrate is added to the solar cell architecture in comparison with the conventional ultrathin CIGS solar cell.info:eu-repo/semantics/publishedVersio

Schwannoma of the oesophagus: computed tomography and endosonographic findings of a special type of schwannoma

Schwannomas of the digestive tract are uncommon benign tumors seldom located in the esophagus. We present a case of intramural esophageal schwannoma with histopathological correlation evaluated by computed tomography and endoscopic ultrasonography. The imaging findings are described and other relevant features of schwannomas of the esophagus are discussed

Equivalent circuit for AC response of Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells

Ultrathin Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) is desired to reduce production costs of CIGS solar cells. The present work aims to study the AC electrical response of standard-thick, ultrathin and passivated ultrathin devices. Admittance measurements allow to choose the AC equivalent circuit for each type of CIGS device. It is of utmost importance to understand the AC electrical behavior of each device, as the differences between reference thick, reference ultrathin and passivated ultrathin CIGS solar cells are yet to be fully understood. The analyses show a simpler AC equivalent circuit for the reference ultrathin device, which is explained by the lowered bulk recombination for thin film CIGS solar cells when compared with thick ones. The importance of shunts mitigation by the use of a passivation layer is also demonstrated, with a shunt resistance increase for the passivation device compared to both reference devices.publishe

Optoelectronic Study of Perovskites/SnO2 based Metal-Insulator-Semiconductor Structures [Poster]

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