Ultra-fast relaxation of electrons in wide-gap dielectrics

Low-energy electrons scattered in the conduction band of a dielectric solid should behave like Bloch electrons and will interact with perturbations of the atomic lattice, i.e. with phonons. Thus the phonon-based description of low-energy scattering within an energy band structure of a solid bears certain advantages against common free-electron scattering mechanisms. Moreover, the inelastic scattering is described by the dielectric energy loss function. With these collective scattering models we have performed the simulation of excited electron relaxation and attenuation in the insulator SiO2. After excitation to a mean initial energy of several eV their energy relaxation occurs within a short time interval of 200 fs to full thermalization. There is a very rapid impact ionization cooling connected with cascading of electrons at the beginning during the first 10 fs, followed by much slower attenuation due to phonon losses in wide-gap dielectrics and insulators

Specific features of the thermoluminescence kinetics of shallow traps in anion-defective single crystals of aluminum oxide

The kinetics of thermoluminescence (TL) arising from shallow traps in single crystals of anion-defective aluminum oxide has been considered. It has been shown that the TL peak at 320-350 К is characterized by identical kinetic parameters in samples containing various concentrations of shallow traps. Кinetic TL parameters for this peak have been calculated by analyzing of the luminescence isothermal decay curves, varying the heating rate, and the peak shape. An interactive relationship of shallow and dosimetric traps in the crystals under study has been supposed.Проведен анализ кинетики термолюминесценции (ТЛ), обусловленной мелкими ловушками в монокристаллах анион-дефектного оксида алюминия. Показано, что ТЛ пика при 320-350 К характеризуется идентичными кинетическими параметрами у образцов с различной концентрацией мелких ловушек. Рассчитаны кинетические параметры ТЛ этого пика методом анализа кривых изотермического затухания люминесценции, вариации скоростей нагрева и анализа формы пика. Высказано предположение о наличии интерактивной взаимосвязи мелких и дозиметрических ловушек в исследуемых кристаллах.Виконано аналiз кiнетики термолюмiнесценцiї (ТЛ), обумовленої мiлкими пастками в анiон-дефектних монокристалах оксиду алюмiнiю. Показано, що ТЛ пiка при 320- 350 К характеризується iдентичними кiнетичними параметрами для зразкiв з рiзними концентрацiями мiлких пасток. Обчислено кiнетичнi параметри цього пiка методами аналiзу кривих iзотермiчного згасання люмiнесценцiї, варiювання швидкостi нагрiвання та аналiзу форми пiка. Висловлено припущення про наявнiсть iнтерактивного взаємозв'язку мiлких та дозиметричних пасток у кристалах, що дослiджувалися