Approches biochimiques et bioinformatiques pour l'identification de peptides antimicrobiens d'origine laitière

Une base de données regroupant l'ensemble des peptides antimicrobiens provenant de protéines laitières et décrits dans la littérature a été réalisée, révélant le fait que peu de peptides antimicrobiens ont été identifiés à partir d'un mélange de protéines du lactosérum ou de produits laitiers. D'autre part, un hydrolysat d'isolat de protéines sériques a été fractionné par chromatographie liquide haute performance afin de séparer spécifiquement des fractions contenant des peptides antimicrobiens. Cinq fractions antimicrobiennes ont été obtenues et les peptides responsables de l'activité ont été identifiés. En parallèle, cinq extraits peptidiques hydrosolubles ont été isolés de fromages canadiens. Deux de ces extraits ont révélé une activité antimicrobienne et confirme la présence de peptides antimicrobiens dans les produits laitiers. Les protéines laitières ont ainsi démontré leur capacité à générer des peptides antimicrobiens après hydrolyse

BJT application expansion by insertion of superjunction

International audienceIn this paper, some high voltage Bipolar Junction Transistors are presented and compared in order to suggest a switch for household appliances with fully turn-on, turn-off control. For the first time, a comparative theoretical study, using 2D simulations, shows that concepts like the "superjunction" improve the static behaviour of conventional BJT. These new structures are compared with a SJMOSFET and an IGBT. The new BJT exhibits lower static losses than SJMOSFET and gives up an interest in bipolar structure

Conception de transistor MOS haute tension (1200 volts) pour l'électronique de puissance

IGBTs are currently used in rail train 1200 Volts power converter. These are disabled by important switch losses and thermal surge. Substitute IGBTs by power MOSFETs would enable to overcome these drawbacks. However, in this voltage range, MOSFETs are penalized by the Breakdown voltage / On-state resistance trade-off. As part of this thesis works, we have studied many principles to invent a new powerful MOSFET structure. We have chosen a Superjunction structure, made by deep trench etching and boron diffusion. Theoretically, this structure exhibits 13 m.cm2 for 1200 V. The main part of the work was to optimize this structure. For this, we have studied many technological parameters influence on Breakdown voltage / On-state resistance the trade-off. We have developed a new innovated junction termination in order to sustain the desired breakdown voltage. It was necessary to identify the process critical steps. From this point, we have fabricated a 1200 V diode which enabled to validate some of these steps.Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyés pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapés par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS de puissance permettrait de pallier ces inconvénients. Néanmoins, à ces niveaux de tension, les transistors MOS sont pénalisés par leur compromis "tenue en tension/résistance passante spécifique". Dans le cadre de ces travaux de thèse, nous avons étudié différents principes pour concevoir une nouvelle structure MOS performante. Nous avons arrêté notre choix sur une structure se basant sur le concept de la superjonction, réalisé par gravure profonde et diffusion de bore. Théoriquement, cette structure atteint 13 mOcm2 pour 1200 V. Une grande partie des travaux de recherche a consisté à optimiser cette structure. Pour cela, nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur le compromis "tenue en tension/résistence passante spécifique". Nous avons également développé une terminaison innovante afin d'assurer la tenue en tension du composant. Il a ensuite fallu identifier les étapes critiques du procédé de fabrication. A partir de ces résultats, nous avons réalisé une diode 1200 V qui nous a permis de valider certaines briques technologiques

Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

International audienceDans le cadre de ces travaux, nous avons étudié différents principes pour concevoir une nouvelle structure MOS performante. Nous avons arrêté notre choix sur une structure se basant sur le concept de la superjonction, réalisée par gravure profonde et diffusion de bore. Une grande partie des travaux de recherche a consisté à optimiser cette structure. Pour cela, nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur le compromis " tenue en tension/résistance passante spécifique ". Nous avons également développé une terminaison innovante afin d'assurer la tenue en tension du composant. Il a ensuite fallu identifier les étapes critiques du procédé de fabrication. À partir de ces résultats, nous avons réalisé une diode 1 200 V qui nous a permis de valider certaines briques technologiques mais également la terminaison originale

Improvement of a bidirectional switch for electric network

International audienceIn this paper, we suggest a new behaviour for a bipolar bidirectional switch for network application. We use two high current gain bipolar power transistors, based on TBSBT, one to control the forward current, and the second one to short-circuit the complementary diode, thus, for the first time, significantly decrease its power dissipation. For that, we must improve the power transistor's reverse current gain

Lead exposure from honey: meta-analysis and risk assessment for the Arab region

The Codex Alimentarius Commission has adopted a maximum level for lead in honey (0.1 mg/kg). Despite representing a population of more than half a billion, exposure and risk assessments for lead specific to the Arab region are lacking. The aim of this work was to collect analytical data for lead in honey available in Arab countries and to assess the risk caused by exposure to lead from these samples for local consumers. A regional mean lead concentration in honey, obtained through a meta-analysis of 57 studies, was used in deterministic risk assessments for adults (nephrotoxicity and cardiovascular effects) and young children (developmental neurotoxicity). A regional pooled mean concentration of 0.12 mg/kg [95%CI: 0.07–0.21] (0.13 mg/kg, if non-detects are considered at their highest possible value) was obtained. Margins of exposure of 363 [71–17182] and 865 [168–40909] were calculated for adults, and of 48 [9–2273] for children, indicating potential concern for the latter population subset. These values were produced using GEMS consumption data, and considering the same intake for both children and adults, potentially overestimating the risk for children. Nevertheless, food competent authorities should consider measures to reduce lead concentration in honey available for sale in the region to prevent trade constraints and to better protect vulnerable populations.</p

A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT²)

International audienceNumerous techniques have been used to improve the voltage handling capability of high voltage power devices with the aim to obtain the breakdown of a plane junction. In this work, a new concept of low cost, low surface and high efficiency junction termination for power devices is presented and experimentally validated. This termination is based on a large and deep trench filled by BCB (BenzoCycloButene) associated to a field plate. Simulation results show the important impact of trench design and field plate width on termination performances. The experimental breakdown voltage of this Deep Trench Termination (DT2) is close to 1300 Volts: this value validates not only the concept of the DT2 but also the choice of the BCB as a good dielectric material for this termination

Influence des contraintes résiduelles de grenaillage sur la microplasticité des solides isotropes

Nous présentons le calcul de l'influence des contraintes internes sur les propriétés microplastiques d'échantillons cylindriques grenaillés soumis à torsion, présentant un champ de contraintes internes d'extension à cœur, de compression dans les zones périphériques, dues à un écrouissage localisé. Nous avons un bon accord entre les valeurs théoriques et expérimentales et nous montrons que l'influence des contraintes internes de compression sur la microplasticité est compensée pour une large part par l'écrouissage introduit par le grenaillage. Nous montrons également les effets d'un surgrenaillage et d'un chauffage