Coupling of electron rotation with spin in semiconductors

Account of an intrinsic spin-orbit coupling in the valence bands of common semiconductors yields the scalar spin-orbit-rotation term in the effective-mass Hamiltonian of the conduction-band electron. This result is obtained within the multiband envelope function approximation. Fundamentally, the spin-orbit-rotation coupling can be described in purely geometric terms as a consequence of the difference in the Berry phase acquired by the components of the spin-orbitally mixed Kramers-doublet during its cyclic evolution in the reciprocal momentum space.Comment: Will appear in Phys. Lett.

Nonequilibrium electron spin polarization in a double quantum dot. Lande mechanism

In moderately strong magnetic fields, the difference in Lande g-factors in each of the dots of a coupled double quantum dot device may induce oscillations between singlet and triplet states of the entangled electron pair and lead to a nonequilibrium electron spin polarization. We will show that this polarization may partially survive the rapid inhomogeneous decoherence due to random nuclear magnetic fields.Comment: New version contains figures. New title better reflects the content of the pape

Моделювання комплексного поверхневого струму витоку високовольтних ізоляторів з урахуванням нерівномірності забруднення поверхні

Удосконалено математичну модель комплексного поверхневого струму витоку опорних ізоляторів КРПЗ шляхом урахування нерівномірності розподілення параметрів. Запропоновано ітераційний метод вирішення диференційних рівнянь для струму витоку вздовж поверхні ізолятора. Усовершенствована математическая модель комплексного поверхностного тока утечки опорных изоляторов КРУН путем учета неравномерности распределения параметров. Предложен итерационный метод решения дифференциальных уравнений для тока утечки вдоль поверхности изолятора. The mathematical model of complex surface leakage current of supporting insulators is improved by taking into account the uneven distribution of parameters. An iterative method for solving differential equations for the leakage current along the insulator surface is proposed

Автоматизированный электрический контроль состояния высоковольтных изоляторов под напряжением

http://patonpublishinghouse.com/tdnk/pdf/2011/pdfarticles/01/10.pdfПредставлений двухпараметричний метод електричного контролю ступеня забруднення високовольтних опорних ізоляторів під робочою напругою, точність якого підвищена за рахунок вимірювання активної та реактивної складових поверхневого струму витоку для визначення площі сектора забруднення на поверхні ізолятора. У розробленій системі діагностики використаний змінний пороговий рівень струму витоку, що залежить від вологості повітря, різниці температур, сектора забруднення і прикладеної напруги. Представлен двухпараметрический метод электрического контроля степени загрязнения высоковольтных опорных изоляторов под рабочим напряжением, точность которого повышена за счет измерения активной и реактивной составляющих поверхностного тока утечки для определения площади сектора загрязнения на поверхности изолятора. В разработанной системе технической диагностики использован плавающий пороговый уровень тока утечки, зависящий от влажности воздуха, разности температур, сектора загрязнения и приложенного напряжения. Represented by two-parameter method of electrical control pollution of high voltage insulators at an operating voltage accuracy is improved by measuring active and reactive components of the surface leakage current for determining the area of sector of pollution on the insulator surface. In the developed system of technical diagnostics used floating threshold leakage current depends on the humidity, temperature difference, the sector of pollution and the applied voltage

Pumping in quantum dots and non-Abelian matrix Berry phases

We have investigated pumping in quantum dots from the perspective of non-Abelian (matrix) Berry phases by solving the time dependent Schr{\"o}dinger equation exactly for adiabatic changes. Our results demonstrate that a pumped charge is related to the presence of a finite matrix Berry phase. When consecutive adiabatic cycles are performed the pumped charge of each cycle is different from the previous ones