Scanning transmission electron microscopy strain measurement from millisecond frames of a direct electron charge coupled device

A high-speed direct electron detection system is introduced to the field of transmission electron microscopy and applied to strain measurements in semiconductor nanostructures. In particular, a focused electron probe with a diameter of 0.5 nm was scanned over a fourfold quantum layer stack with alternating compressive and tensile strain and diffracted discs have been recorded on a scintillator-free direct electron detector with a frame time of 1 ms. We show that the applied algorithms can accurately detect Bragg beam positions despite a significant point spread each 300 kV electron causes during detection on the scintillator-free camera. For millisecond exposures, we find that strain can be measured with a precision of 1.3  × 10−3, enabling, e.g., strain mapping in a 100×100 nm2 region with 0.5 nm resolution in 40 s

Reaktoren für spezielle technisch-chemische Prozesse: Mikrostrukturreaktoren

Mikrostrukturreaktoren haben sich mittlerweile zu einem wichtigen Bestandteil der Prozessintensivierung in der chemischen Verfahrenstechnik entwickelt. Zudem sind sie zu wichtigen Werkzeugen für die Entwicklung neuer Synthesen und die Prozessentwicklung im Labor geworden. Die wesentlichen Charakteristiken, die sich aufgrund der Miniaturisierung ergeben, werden zusammengefasst und Entwicklungen für den industriellen Einsatz und die Prozessentwicklung beschrieben