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    Análisis de los Fenómenos de Transporte y Ruido Electrónico en Transistores MOSFET y SOI Submicrométricos

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    [ES]En este trabajo hemos desarrollado un simulador bidimensional Monte Carlo de Dispositivos de Silicio basado en un modelo microscópico con el fin de investigar los procesos de transporte de carga y el ruido electrónico a alta frecuencia en transistores de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) convencionales y Silicon-On-Insulator (SOI). La principal aportación de este trabajo radica en la utilización de una única herramienta de simulación numérica para el estudio global del comportamiento de los dispositivos, lo que constituye una aproximación altamente novedosa al problema con respecto a los estudios usualmente encontrados en la literatura. El escalado de los dispositivos MOSFET convencionales por debajo del cuarto de micra ha sido analizado en profundidad, encontrándose discrepancias con respecto a las predicciones del escalado ideal en algunas de las principales figuras de mérito. Asimismo, se ha evaluado el efecto de variar de manera aislada algunos parámetros dado su interés desde el punto de vista tecnológico, tales como la longitud de puerta o la impurificación del substrato. Las características del simulador han permitido efectuar un análisis comparativo global entre estructuras MOSFET convencionales y SOI con topologías totalmente equivalentes, lo que consituye una importante novedad dentro del estudio de este tipo de estructuras a nivel internacional. Finalmente, se ha procedido al estudio de estructuras SOI fabricadas en laboratorio, obteniéndose un acuerdo altamente satisfactorio entre los resultados de la simulación y las medidas experimentales para los principales parámetros estáticos, dinámicos y de ruido a alta frecuencia. El comportamiento de estos parámetros ha sido interpretado en relación con las principales magnitudes internas del transporte en los dispositivos. También se ha efectuado un análisis de las posibilidades de optimización de los dispositivos experimentales mediante el estudio de la variación de determinados parámetros de interés de la topología de los mismos

    “Adquisición de competencias en mecatrónica mediante el aprendizaje basado en mini-proyectos”

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    Memoria ID-298. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2013-2014.[ES] El presente proyecto tenía como principal objetivo abordar, mediante el aprendizaje basado en mini-proyectos, la adquisición de competencias de mecatrónica (disciplina que aúna la Mecánica y la Electrónica) en la asignatura “Electrónica de los sistemas mecánicos”, del cuarto curso del grado en Ingeniería Mecánica impartido en la Escuela Politécnica Superior de Zamora. En el caso de las ingenierías, esta metodología parece particularmente interesante dada la propia naturaleza de la carrera profesional asociada. En el aprendizaje basado en proyectos (ABP), cuyo eje fundamental gira precisamente en torno a la mejora en la adquisición de competencias, los estudiantes asumen un mayor protagonismo en el proceso de aprendizaje, con una mayor autonomía, responsabilidad y grado de libertad a la hora de enfocar las tareas propias de cada materia. El profesor pasa a ser un mentor y guía del proceso, encargado de orientar adecuadamente a los estudiantes, tanto en relación a la 2 identificación de los problemas que surjan en el desarrollo de los proyectos como respecto la búsqueda de fuentes de información necesarias para su consecución. En esta acción de innovación docente, el aprendizaje basado en proyectos ha sido planteado en una escala más reducida y controlada, al ser el primer año en que se impartía la asignatura. Para ello se ha optado por desarrollar, en el último tramo de la asignatura, pequeños proyectos de 3 o 4 semanas de duración, lo que nos ha permitido disponer de flexibilidad para asegurar la impartición de todos los contenidos así como controlar de manera adecuada la evolución del aprendizaje de los alumnos. Estos objetivos se han llevado a cabo de manera satisfactoria gracias a una serie de actuaciones concretas que pasamos a describir a continuación
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