ZJAWISKO GIGANTYCZNEGO MAGNETOOPORU OBSERWOWANE W CIENKICH STRUKTURACH NiFe/Cu/NiFe

In this paper, the technology for fabricating NiFe/Cu/NiFe layered structures by magnetron sputtering is presented. Two series of samples were fabricated on a glass substrate with a layered structure, where the individual layers were 30 nm NiFe, 5 nm Cu, and finally NiFe with a thickness of 30 nm. The series differed in the type of technology mask used. A constant magnetic field was applied to the substrate during the sputtering of the ferromagnetic layers. Measurements of the DC resistance of the obtained structures in the constant magnetic field of neodymium magnet packs with a constant magnetic field of about 0.5 T magnetic induction have been carried out. Comparison of the two series allows us to conclude the greater validity of using masks in the form of Kapton tape. The obtained results seem to confirm the occurrence of phenomena referred to as the giant magnetoresistance effect.W pracy przedstawiono technologię produkcji struktur warstwowych NiFe/cu/NiFe  metodą rozpylania magnetronowego. Wykonane zostały dwie serie próbek na szklanym podłożu o strukturze warstwowej, gdzie poszczególne warstwy stanowiły 30 nm NiFe, 5 nm Cu oraz ostatecznie NiFe o grubości 30 nm. Serie różniły się rodzajem zastosowanej maski technologicznej. Podczas napylania warstw ferromagnetycznych do podłoża przyłożone zostało stałe pole magnetyczne. Przeprowadzone zostały pomiary rezystancji stałoprądowej otrzymanych struktur w stałym polu magnetycznym okładów magnesów neodymowych o stałym polu magnetycznym o wartości indukcji magnetycznej około 0,5 T. Porównanie obu serii pozwala stwierdzić większą zasadność stosowania masek w postaci taśmy Kaptonowej. Otrzymane wyniki zdają się potwierdzać występowanie zjawisk określanych jako efekt gigantycznego magnetooporu

OPRACOWANIE TECHNOLOGII OSADZANIA I POMIARÓW ZMIĘNNOPRĄDOWYCH ULTRACIENKICH WARSTW MIEDZI

In this paper, the transport properties of discontinuous 4 nm copper layers obtained by dual-source non-reactive magnetron sputtering in the presence of argon are presented. The value of resistance and capacitance of the current parallel to the plane of these layers can be adjusted independently by changing the nominal thickness of the metallization. The influence of frequency on the conductivity of the obtained structures in the range from 4 Hz to 8 MHz was studied. Additionally, in order to compare the non-oxidized and oxidized layers, some of them were heated at 500 °C. Based on the results obtained, the mechanism of electric charge transfer was determined, the knowledge of which is essential for planning further experiments based on this sputtering method and potential selection of future application of the structures. Statistical measurements at room temperature will serve as a reference for the conductivity and resistivity values obtained by mathematical calculations from measurements of resistance, capacitance, phase shift angle, and dielectric loss tangent as a function of temperature from 20 K to 375 K, which are expected in further studies on the obtained structures. The work is an introduction to the technology of obtaining multi-layer metal-dielectric structures.W niniejszej pracy przedstawione zostały właściwości transportowe nieciągłych 4 nm warstw miedzi otrzymanych metodą dwuźródłowego niereaktywnego rozpylania magnetronowego w obecności argonu. Wartość rezystancji i pojemności prądu równoległego do płaszczyzny tych warstw można dostrajać niezależnie poprzez zmianę nominalnej grubości metalizacji. Przebadano wpływ częstotliwości na konduktywność otrzymanych struktur w zakresie od 4 Hz do 8 MHz. Dodatkowo, w celu porównania nieutlenionych i utlenionych warstw niektóre z nich zostały wygrzane w temperaturze 500 °C. Na podstawie otrzymanych wyników określono mechanizm przenoszenia ładunków elektrycznych, którego znajomość jest niezbędna do planowania kolejnych eksperymentów bazujących na tej metodzie napylania oraz potencjalnym doborze przyszłego zastosowania struktur. Statystyczne pomiary w temperaturze pokojowej posłużą za punkt odniesienia dla wartości konduktywności i rezystywności otrzymanych na drodze obliczeń matematycznych z pomiarów rezystancji, pojemności, kąta przesunięcia fazowego oraz tangensa strat dielektrycznych w funkcji temperatury od 20 K do 375 K, które przewidywane są w dalszej części badań nad otrzymanymi strukturami. Praca stanowi wstęp do technologii otrzymywania wielowarstwowych struktur typu metal-dielektryk

TECHNOLOGIA I POMIARY MAGNETOOPORU W CIENKOWARSTWOWYCH STRUKTURACH FERROMAGNETYCZNYCH

The paper presents the technology for obtaining NiFe/Ti/NiFe layer structures in MEMS technology using magnetron purge with the assumption of being used as semi-magnetic sensors. A series of samples was made on a glass substrate with a sandwich structure, where the individual layers were 100 nm NiFe, 10 nm Ti and on top again NiFe with a thickness of 100 nm. Measurements of DC resistance of the obtained structures in a constant magnetic field, which was produced by neodymium magnets and an electromagnet, were carried out. The obtained results confirm the occurrence of phenomena known as the magnetoresistance effect. The influence of the spatial arrangement of structures relative to the constant magnetic field vector was checked and proved.W pracy przedstawiono technologię otrzymywania struktur warstwowych NiFe/Ti/NiFe w technologii MEMS metodą rozpylania magnetronowego w założeniu mających służyć jako czujniki pół magnetycznych. Wykonano serię próbek na szklanym podłożu o budowie kanapkowej, gdzie poszczególne warstwy stanowiły 100 nm NiFe,10 nm Ti oraz na wierzchu ponownie NiFe o grubości 100 nm. Przeprowadzono pomiary rezystancji stałoprądowej otrzymanych struktur w stałym polu magnetycznym, które było wytwarzane przez magnesy neodymowe oraz elektromagnes. Otrzymane wyniki potwierdzają występowanie zjawisk określanych jako efekt magnetooporowy. Sprawdzony oraz udowodniony został wpływ ułożenia przestrzennego struktur względem wektora stałego pola magnetycznego

Modeling, Simulation and Calibration of Silicon Wet Etching, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

kwartalni

MONITOROWANIE HODOWLI KOMÓRKOWYCH W CZASIE RZECZYWISTYM PRZY ZASTOSOWANIU NIKLOWYCH KONDENSATORÓW GRZEBIENIOWYCH

The aim of the study was to present a method for assessing the condition of cell culture by measuring the impedance of cells cultured in the presence of nickel. For this purpose, an impedance measurement technique using nickel comb capacitors was used. The capacitor electrodes were made using a thin film magnetron sputtering. In the experimental part, the culture of cells of mouse fibroblasts on the prepared substrate was performed. The cell culture lasted 43 hours and showed that the presented technique allows it to be used to analyze the effect of nickel on cells.Celem pracy było przedstawienie metody oceny stanu hodowli komórkowej poprzez pomiar impedancji komórek hodowanych w obecności niklu. W tym celu zastosowano technikę pomiaru impedancji z wykorzystaniem niklowych kondensatorów grzebieniowych. Cienkowarstwowe elektrody kondensatora wykonano metodą rozpylania magnetronowego. W części eksperymentalnej przeprowadzono hodowlę komórek mysich fibroblastów na przygotowanym podłożu. Hodowla komórkowa trwała 43 godziny i wykazała, że przedstawiona technika mogłaby być zastosowana do analizy wpływu niklu na komórki

Semi-automatic test system for characterization of ASIC/MPWS, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

A measurement system for integrated circuit testing has been developed. It consists of a semi-automatic probe station and a set of measurement equipment controlled by commercially available measurement software. The probe station is controlled by dedicated software. Both the measurement and station-control software communicate using the DDE protocol. The measurement system is flexible. It is particularly suitable for semi-automatic testing of multi-project wafers. Output data generated by the system is used for the characterization of the CMOS technologies

A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Extraction of MOSFET parameters is a very important task for the purposes of MOS integrated circuits characterization and design. A versatile tool for the MOSFET parameter extraction has been developed in the Institute of Electron Technology (IET). It is used to monitor the technologies applied for fabrication of several groups of devices, e.g., CMOS ASICs, SOI pixel detectors. At present two SPICE MOSFET models (LEVEL = 1, 2) have been implemented in the extraction tool. The LEVEL = 3 model is currently being implemented. The tool combines different methods of parameter extraction based on local as well as global fitting of models to experimental data

Multi-Domain Modeling and Simulations of the Heterogeneous Systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

This paper discusses the multi-domain modeling and simulation issues of the design and analysis of heterogeneous integrated systems. Modeling and simulation methodology and tools are also discussed

TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

This paper reports a test structure for characterization of a new technology combining a standard CMOS process with pixel detector manufacturing technique. These processes are combined on a single thick-_lm SOI wafer. Preliminary results of the measurements performed on both MOS SOI transistors and dedicated SOI test structures are described in detail

Contemporary determinants of international relatioos

Z wprowadzenia: "Nauka o stosunkach międzynarodowych nie może się obejść bez systematyzowania i porządkowania omawianej przez siebie niezwykle szerokiej materii. Poszukując odpowiedzi na pytania związane z relacjami pomiędzy uczestnikami interakcji międzynarodowych, nie sposób nie dostrzegać czynników, jakie na nie wpływają, czy to w sposób pośredni czy też bezpośredni, zależny lub niezależny od nich. Wielość tych czynników i zmienność wagi przykładanej do poszczególnych, zależnie od epoki, stwarza konieczność gruntownego badania i wskazywania na najważniejsze z nich, decydujące w danym okresie."(...