Lateral-angular and temporal characteristics of EAS optical radiation

Characteristics of the direct and scattered components of electron-photon shower optical radiation for distances R 500 m from the shower core to a detector, allowing for the Cerenkov and fluorescent mechanism of photon generation are presented. The results of calculations are employed to clarify the techniques for determination of the shower parameters detected by both installations registering fluorescent light and those recording Cerenkov light

Theoretical investigation of TbNi_{5-x}Cu_x optical properties

In this paper we present theoretical investigation of optical conductivity for intermetallic TbNi_{5-x}Cu_x series. In the frame of LSDA+U calculations electronic structure for x=0,1,2 and on top of that optical conductivities were calculated. Disorder effects of Ni for Cu substitution on a level of LSDA+U densities of states (DOS) were taken into account via averaging over all possible Cu ion positions for given doping level x. Gradual suppression and loosing of structure of optical conductivity at 2 eV together with simultaneous intensity growth at 4 eV correspond to increase of Cu and decrease of Ni content. As reported before [Knyazev et al., Optics and Spectroscopy 104, 360 (2008)] plasma frequency has non monotonic doping behaviour with maximum at x=1. This behaviour is explained as competition between lowering of total density of states on the Fermi level N(E_F) and growing of number of carriers. Our theoretical results agree well with variety of recent experiments.Comment: 4 pages, 3 figure

ВИБІР ДРАЙВЕРІВ СИЛОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ В ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ, ВИКОРИСТОВУВАНИХ В ЯКОСТІ КЕРОВАНИХ ДРАЙВЕРІВ СВІТЛОДІОДІВ

This paper represents one of the development stages of the converter (light-emitting diode driver) operating in amplitude mode light regulation. The principles of construction of the MOSFET driver circuits for the schematic with two n-channel MOSFET transistors are described. Also the schematic where high side transistor is substituted with p-channel transistor is considered. Utilization of the p-channel transistor allows eliminating necessity of using of isolated power supply for the driver of the high side transistor. In the last two sections of the article the losses in driver circuits are considered. This allows evaluating the scope of application for all considered approaches. From point of view of transistor driver losses it is preferable to use schematic with p-channel transistor at lower input voltages (in range of 12…30V) and higher switching frequencies.Данная статья представляет собой описание одного из этапов разработки преобразователя (драйвера светодиодов), работающего по новым принципам в режиме амплитудного регулирования. Описаны принципы построения драйверов силовых транзисторов для схемы, в которой оба ключа являются n-канальными полевыми транзисторами. Рассмотрена так же схема, в которой один из полевых транзисторов заменен на р-канальный. Использование р-канального транзистора позволяет избавиться от использования гальванически развязанного блока питания для драйвера транзистора верхнего плеча. В последней части статьи приведены расчеты потерь драйверов транзисторов, что позволяет судить о целесообразности использования того или иного подхода в зависимости от конфигурации преобразователя и области его применения. С точки зрения потерь схему с p-канальным транзистором выгоднее использовать при низком входном напряжении (порядка 12…25В) и при более высоких частотах преобразователя.Дана стаття являє собою опис одного з етапів розробки перетворювача (драйвера світлодіодів), що працює за новими принципами в режимі амплітудного регулювання струму. Описано принципи побудови драйверів силових транзисторів для схеми, в якій обидва ключа є n-канальні польові транзистори. Розглянута так само схема, в якій один з польових транзисторів замінений на р-канальний. Використання р-канального транзистора дозволяє позбутися від використання гальванічно розв'язаного блоку живлення для драйвера транзистора верхнього плеча. В останній частині статті наведено розрахунки втрат драйверів транзисторів, що дозволяє судити про доцільність використання того чи іншого підходу в залежності від конфігурації перетворювача і області його застосування. З точки зору втрат схему з p-канальним транзистором вигідніше використовувати при низькій вхідній напрузі (порядку 12 - 25В). З точки зору втрат схему з p-канальним транзистором вигідніше використовувати при низькій вхідній напрузі (порядку 12 - 25В) і при більш високих частотах перетворювача